【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，特别是一种凸垫的尺寸或相邻凸垫间的间距为可变的半导体装置。
技术介绍
1、在电子装置的制造过程中，常需要将例如电子单元，例如已知良好的芯片(knowngood die,kgd)，进行封装形成半导体装置。例如在封装制程后，位于半导体装置不同区域的凸垫(例如：锡球)所受的结构应力，会因不同材料匹配等因素而有所差异。凸垫结构应力的差异或不平衡，可能会造成凸垫容易因为疲劳而破裂、自芯片剥离或进一步造成半导体装置破裂，进而影响电性或是造成可靠度问题。
2、有鉴于此，如何提供一种半导体装置，降低电性问题或是可靠度问题，成为本领域急需解决的课题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种可以改善电性可靠度的半导体装置。
2、本专利技术提供一种半导体装置。半导体装置包括第一区与第二区，且第二区围绕第一区。半导体装置包括至少一电子单元、重布线路结构、复数个第一凸垫、以及复数个第二凸垫。重布线路结构可电性连接至少一电子单元。复数个第一凸垫设置在重布线路结构上，且对应第一区设置。两个相邻的第一凸垫之间具有第一间距。复数个第二凸垫设置在重布线路结构上，且对应第二区设置。两个相邻的第二凸垫之间具有第二间距，使得第一间距小于第二间距。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括一第一区与一第二区，所述第二区围绕所述第一区，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沿一方向连续排列的至少三个相邻的所述复数个第二凸垫中相邻的所述第二间距彼此不同。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第二凸垫各自具有一第二凸垫尺寸，且沿远离该第一区的一方向连续排列的至少三个所述复数个第二凸垫的所述第二凸垫尺寸渐增。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，沿所述方向连续排列的所述复数个第二凸垫中相邻的所述第二间距彼此不同。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一电子单元具有一侧边，所述侧边与所述复数个第二凸垫不重叠。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述侧边具有一芯片侧边长度D，所述第二区包括所述侧边，并具有自所述侧边向垂直于所述侧边的一方向上延伸1/6D的一第二区宽度。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第三
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，两个相邻的所述复数个第三凸垫之间具有一第三间距，沿远离该第二区的一方向连续排列的所述复数个第三凸垫中的相邻所述第三间距彼此不同。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二间距小于所述第三间距。
11.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第三凸垫的其中一个的一第三凸垫形状与所述复数个第二凸垫的其中一个的一第二凸垫形状不同。
12.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，具有一装置侧边，所述装置侧边具有一装置侧边长度M，所述第三区包括所述装置侧边，并具有自所述装置侧边向垂直于所述装置侧边的一方向上延伸1/4M的一第三区宽度。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一电子单元具有一侧边，所述侧边具有一侧边长度D，所述第二区具有自所述侧边向垂直于所述侧边的一方向上延伸1/6D的一第二区宽度。
14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，D>M/2。
15.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，D<M/2。
16.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第一凸垫与所述复数个第二凸垫一起形成一环状布局。
17.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第一凸垫与所述复数个第二凸垫一起形成一矩阵布局。
18.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第二凸垫其中一个包括复数个子凸垫单元。
19.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一电子单元还包括:
20.如权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第一凸垫与所述复数个第二凸垫分别经由所述导电结构与所述至少一芯片电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括一第一区与一第二区，所述第二区围绕所述第一区，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沿一方向连续排列的至少三个相邻的所述复数个第二凸垫中相邻的所述第二间距彼此不同。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第二凸垫各自具有一第二凸垫尺寸，且沿远离该第一区的一方向连续排列的至少三个所述复数个第二凸垫的所述第二凸垫尺寸渐增。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，沿所述方向连续排列的所述复数个第二凸垫中相邻的所述第二间距彼此不同。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一电子单元具有一侧边，所述侧边与所述复数个第二凸垫不重叠。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述侧边具有一芯片侧边长度d，所述第二区包括所述侧边，并具有自所述侧边向垂直于所述侧边的一方向上延伸1/6d的一第二区宽度。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述复数个第三凸垫中各自具有一第三凸垫尺寸，沿远离该第二区的一方向连续排列的至少三个所述复数个第三凸垫的所述第三凸垫尺寸渐增。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，两个相邻的所述复数个第三凸垫之间具有一第三间距，沿远离该第二区的一方向连续排列的所述复数个第三凸垫中的相邻所述第三间距彼此不同。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：林德勋，廖文祥，施铭贤，陈永锋，王程麒，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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