显示面板制造技术

本发明专利技术公开一种显示面板，包含：一基板；一第一遮光层位于基板上；一半导体层位于第一遮光层上；一绝缘层位于半导体层上；一栅极线位于绝缘层上；一接触孔贯穿绝缘层，以露出半导体层；以及一金属层，位于绝缘层上，且通过接触孔与半导体层电连接，其中第一遮光层包含有重叠金属层的一重叠区域，重叠区域于一第一方向上具有一第一宽度，且金属层于邻近栅极线的一边缘与接触孔底部之间于第一方向上的最短距离为一第二宽度，且其中第一方向实质上垂直于栅极线的一延伸方向，且第一宽度与第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示技术，且特别是涉及一种用于显示面板的像素单元。
技术介绍
显示装置(例如，液晶显示器(liquid crystal display,LCD)、主动式阵列有机发光显示器(active matrix organic light-emitting display,AMOLED)等等通常装配于电子装置中，例如手提电脑、个人数字助理(personal digital assistants,PDA)、电子书(electronic books)、投影机、及手机等。一般来说，显示面板通常利用薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)作为像素区的开关元件。再者，周边电路区(即，驱动电路区)也需要使用由TFT所构成的CMOS电路。依据主动层所使用的材料分为非晶硅(a-Si)及多晶硅(poly-Si)TFT。相较于非晶硅TFT，多晶硅TFT具有高载流子迁移率及高驱动电路集成度的优势而常用于高速操作的产品。因此，低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)成为显示器技术的一种新的应用。作为像素区的开关元件的薄膜晶体管通常具有上栅极(top gate)或下栅极(bottom gate)结构。在具有上栅极结构的薄膜晶体管的显示面板中，来自背光模块的光线会通过显示装置的下基板(例如，TFT基板)照射于栅极下方的主动层上，因而在主动层中产生漏电流，降低薄膜晶体管的电特性。为了解决上述问题，会在主动层下方设置一遮光层。然而，上述遮光层并无法有效阻挡由背光模块所产生的散射光线，而无法维持薄膜晶体管的电特性。因此，有必要寻求一种显示面板，其可有效阻挡光线照射于栅极下方的主动层，以改善或维持TFT的电特性。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术一实施例提供一种显示面板，包含︰一基板；
一第一遮光层，位于基板上；一半导体层，位于第一遮光层上；一绝缘层，位于半导体层上；一栅极线，位于绝缘层上；一接触孔，贯穿绝缘层，以露出半导体层；以及一金属层，位于绝缘层上，且通过接触孔与半导体层电连接；其中第一遮光层包含有重叠金属层的一重叠区域，重叠区域于一第一方向上具有一第一宽度，且金属层于邻近栅极线的一边缘与接触孔底部之间于第一方向上的最短距离为一第二宽度，其中第一方向实质上垂直于栅极线的一延伸方向，且第一宽度与第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。本专利技术另一实施例提供一种显示面板，包含︰一基板；一第一遮光层，位于基板上；一半导体层，位于第一遮光层上；一绝缘层，位于半导体层上；一栅极线，位于绝缘层上，且具有与半导体层重叠的一凸出部，凸出部沿一第一方向延伸，且第一方向实质上垂直于栅极线的一延伸方向；一接触孔，贯穿绝缘层，以露出半导体层；以及一金属层，位于绝缘层上，且通过接触孔与半导体层电连接；其中第一遮光层包含有重叠金属层的一重叠区域，重叠区域于一第二方向上具有一第一宽度，且金属层于邻近凸出部的一边缘与接触孔底部之间于第二方向上的最短距离为一第二宽度，其中第二方向实质上平行于栅极线的延伸方向，且第一宽度与第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。附图说明图1为本专利技术一实施例的用于显示面板的像素单元上视示意图；图2为图1中沿2-2’线的剖面示意图；图3A为本专利技术一实施例的用于显示面板的像素单元底视示意图；图3B为本专利技术一实施例的用于显示面板的像素单元底视示意图；图4为本专利技术一实施例的用于显示面板的像素单元底视示意图。符号说明10、10’、10”、20 像素单元100 基板102a、202a 第一遮光层102b、202b 第二遮光层104 缓冲层106、206 半导体层108 绝缘层110、210 栅极线110’、106’、114’、214’、220’ 边缘111a 第一中央区域111a’、111b’ 重叠线段111b 第二中央区域112 层间介电层113、117、121 接触孔114a 数据线114b、114c 金属层116 平坦化层118 下层透明电极120 钝化保护层124 上层透明电极203 第一弧形边缘204 第二弧形边缘220 凸出部A、C 第一宽度B、D 第二宽度D1 第一方向D2 第二方向L1 第一长度L2 第二长度L3 第三长度L4 第四长度P 像素区具体实施方式以下说明本专利技术实施例的显示面板。然而，可轻易了解本专利技术所提供的实施例仅用于说明以特定方法制作及使用本专利技术，并非用以局限本专利技术的范围。请参照图1及图2，其中图1绘示出根据本专利技术一实施例的用于显示面板的一像素单元10上视示意图，而图2绘示出图1中沿2-2’线的剖面示意图。在一实施例中，像素单元10可实施于一液晶显示面板中。像素单元10包含：一基板100、一第一遮光层102a及一第二遮光层102b、一半导体层106、一绝缘层108、一接触孔113、一对栅极线110、一对数据线114a及一金属层114b。基板100具有由一对栅极线110及一对数据线114a所定义出的一像素区P。此处，为了简化附图，图1中仅绘示出一对数据线114a及一栅极线110。再者，基板100可由透明材料所构成，例如玻璃、石英、或塑胶，用以作为显示面板的一TFT基板。第一遮光层102a及第二遮光层102b(未绘示于图2)设置于基板100上，其中第一遮光层102a与栅极线110具有一重叠区域，而第二遮光层102b则具有一部分重叠于数据线114a与一栅极线110相交的区域。在本实施例中，第一遮光层102a及一第二遮光层102b用于遮蔽来自显示面板中背光模块(未绘示)的光线，且可由金属材料或其他不透光的非金属材料所构成。在本实施例中，像素单元10还包含一缓冲层104(未绘示于图1)设置于基板10上，且覆盖第一遮光层102a及第二遮光层102b。在本实施例中，缓冲层104可为一单层或具有一多层结构，且包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。半导体层106设置于缓冲层104上，用以作为薄膜晶体管(即，像素单元10的开关元件)的主动层。再者，半导体层106具有一部分与第一遮光层102a重叠，且具有另一部分与第二遮光层102b重叠。在一实施例中，半导体层106可包含一低温多晶硅(Low temperature poly-silicon,LTPS)。绝缘层108设置于缓冲层104上且覆盖半导体层106，用以作为薄膜晶体管的栅极介电层。在本实施例中，绝缘层108可为一单层或具有一多层结构，且包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铪氧氮化物(HfON)或其组合。栅极线110设置于绝缘层108上，用以作为薄膜晶体管的栅极电极。再者，栅极线110具有一部分与半导体层106及第一遮光层102a重叠，且具有另一部分与半导体层106及第二遮光层102b重叠。在一实施例中，栅极线110可由金属材料例如钼、铝、铜、钛或其组合，或其他适当的电极的材料所构成。在本实施例中，像素单元10还包含一层间介电(interlayer dielectric,ILD)
层112(未绘示于图1)设置于绝缘层108上，且覆盖栅极线110。在本实施例中，接触孔113贯穿层间介电层112及绝缘层108，以露出半导体层106。再者，在本实施例中，层间介电层112可为一单层或具有一多层结构，且包含氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包含︰基板；第一遮光层，位于该基板上；半导体层，位于该第一遮光层上；绝缘层，位于该半导体层上；栅极线，位于该绝缘层上；接触孔，贯穿该绝缘层，以露出该半导体层；以及金属层，位于该绝缘层上，且通过该接触孔与该半导体层电连接；其中该第一遮光层包含有重叠该金属层的一重叠区域，该重叠区域于一第一方向上具有一第一宽度，且该金属层于邻近该栅极线的一边缘与该接触孔底部之间于该第一方向上的最短距离为一第二宽度，且其中该第一方向实质上垂直于该栅极线的一延伸方向，且该第一宽度与该第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包含︰基板；第一遮光层，位于该基板上；半导体层，位于该第一遮光层上；绝缘层，位于该半导体层上；栅极线，位于该绝缘层上；接触孔，贯穿该绝缘层，以露出该半导体层；以及金属层，位于该绝缘层上，且通过该接触孔与该半导体层电连接；其中该第一遮光层包含有重叠该金属层的一重叠区域，该重叠区域于一第一方向上具有一第一宽度，且该金属层于邻近该栅极线的一边缘与该接触孔底部之间于该第一方向上的最短距离为一第二宽度，且其中该第一方向实质上垂直于该栅极线的一延伸方向，且该第一宽度与该第二宽度的比值介于0.2至0.8之间。2.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一遮光层具有与该栅极线重叠的一重叠区域，该重叠区域具有两个与该栅极线相对边缘重叠的重叠线段以及位于该两个重叠线段之间的一第一中央区域，该第一遮光层的该两个重叠线段其中之一在一第二方向上具有一第一长度，且该第一中央区域于该第二方向上具有一第二长度，且其中该第二方向实质上平行于该栅极线的该延伸方向，且该第一长度大于该第二长度。3.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一遮光层具有与该半导体层重叠的一重叠区域，该重叠区域具有两个与该半导体层相对边缘重叠的重叠线段以及位于该两个重叠线段之间的一第二中央区域，该第一遮光层的两个重叠线段其中之一于该第一方向上具有一第三长度，且该第二中央区域于该第一方向上具有一第四长度，且其中该第三长度大于该第四长度。4.如权利要求1所述的显示面板，还包含：第二遮光层，位于该基板与该半导体层之间，且具...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜崇纹，刘侑宗，李淂裕，王兆祥，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71