TFT显示器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT显示器件及其制作方法，TFT显示器件包括：第一金属层，在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。通过上述方式，本发明专利技术能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其是涉及一种TFT显示器件及其制作方法。
技术介绍
薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)显示器件的制作过程相对比较复杂，需要经过很多个工序才能制作完成，其中又有很多高温工序，比如金属成膜，非金属成膜，干刻等工序，这些工序必须在高温环境下作业，静电放电(Electro-Staticdischarge，ESD)产生的几率相对较高，如果产品的设计对ESD的防护不好，TFT显示器件将很容易被ESD击伤。目前对TFT显示器件ESD防护的措施非常多，也有相对有效的方法。一般ESD容易发生在上下层金属交叠区域，如图1中的图a和图b所示。当上下两层金属跨线重叠的时候，如果所携带的静电流过大时，上下重叠区将发生ESD击穿现象。一般做法是将交叠区域的金属线宽减小，以减少ESD对金属线路的击伤。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种TFT显示器件及其制作方法，能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种TFT显示器件，包括:第一金属层，在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。其中，过孔穿过第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，与第一金属层和/或第二金属层接触。其中，ITO导电薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。其中，第一金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第一金属层接触，使第一金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。其中，第二金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第二金属层接触，使第二金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种TFT显示器件的制作方法，包括:在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；在第一氮化硅薄膜上沉积第二金属层，并经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。其中，过孔穿过第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，与第一金属层和/或第二金属层接触。其中，ITO导电薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。其中，第一金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第一金属层接触，使第一金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。其中，第二金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第二金属层接触，使第二金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术的TFT显示器件通过在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通，能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提尚广品良率，提升广品竞争力。【附图说明】图1是现有技术中的TFT显示器件的ESD击穿的示意图；图2是本专利技术第一实施例的TFT显示器件的剖面结构示意图；图3是图2中的TFT显示器件的平面结构示意图；图4是本专利技术第二实施例的TFT显示器件的剖面结构示意图；图5是图4中的TFT显示器件的平面结构示意图；图6是本专利技术实施例的TFT显示器件的制作方法的流程示意图。【具体实施方式】请参阅图2，图2是本专利技术第一实施例的TFT显示器件的剖面结构示意图。如图2所示，TFT显示器件20包括:第一金属层21、第二金属层22、第一氮化硅薄膜23、过孔24、ITO导电薄膜25以及第二氮化硅薄膜26。在第一金属层21上沉积第一氮化硅薄膜23。第二金属层22沉积在第一氮化硅薄膜23上，经过刻蚀形成图案。第二金属层22上沉积有第二氮化娃薄膜26 ;在第二金属层22与第一金属层21重叠区域，第一金属层21和/或第二金属层22断开，在断开位置使用过孔24刻蚀掉第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26，并沉积ITO导电薄膜25以使断开位置连接导通。如此，通过将TFT显示器件上显示区外围线宽较大的金属走线更改成由ITO薄膜组成的走线，并通过过孔桥接方式连通金属走线的两端，减少线宽较大金属走线与线宽较小金属走线上下跨线产生ESD，分散与导走TFT显示器件上的ESD，从而降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。在本专利技术实施例中，ITO导电薄膜25涂覆在第二氮化硅薄膜26上。过孔24穿过第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26，与第一金属层21和/或第二金属层22接触。第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26可以采用相同的氮化硅薄膜，如SiNx薄膜。在本专利技术的其他实施例中，也可以采用不同的氮化硅薄膜。图2表不在第二金属层22与第一金属层21重叠区域，第一金属层21断开的剖面结构图，图3为对应的平面结构图，27为解剖线。此时，过孔24位置处的ITO导电薄膜25与第一金属层21接触，使第一金属层21的断开位置通过ITO导电薄膜25连接导通。图4表示在第二金属层32与第一金属层31重叠区域，第二金属层32断开的剖面结构图，图5为对应的平面结构图，37为解剖线。第一层金属31上沉积第一氮化硅薄膜33，第一氮化硅薄膜33上沉积第二层金属32，经过刻蚀制程形成图案，第二层金属32上沉积第二氮化硅薄膜36，第二层金属32的断开位置使用过孔34将第一氮化硅薄膜33和第二氮化硅薄膜36刻蚀掉，在第二氮化硅薄膜36上沉积ITO导电薄膜35。此时，过孔34位置处的ITO导电薄膜35与第二金属层32接当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT显示器件，其特征在于，所述TFT显示器件包括：第一金属层，在所述第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在所述第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域，所述第一金属层和/或所述第二金属层断开，在所述断开位置使用所述过孔刻蚀掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使所述断开位置连接导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢克成，洪日，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44