【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于压电材料有源层的TFT结构及其制备方法。
技术介绍
近年来，TFT-1XD得到了迅速的发展。TFT-1XD即薄膜场效应晶体管液晶显示器，是有源矩阵类型显示器AM-1XD中的一种，可以主动对屏幕上的各个独立像素进行控制，实现无串扰的图像显示，可以大大提高反应时间。在液晶显示器中，是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶超CRT的显示器件，性能优良，可大规模生产，自动化程度高，原材料成本低，已经成为新世纪的主流产品，吸引了越来越多人关注和研宄。TFT-1XD的显示质量和整体性能在很大程度上取决于TFT的性能。在研宄如何改善薄膜晶体管性能的过程中，人们发现有源层的沟道厚度对TFT器件性能有很大的影响。通过理论分析与实验表明有源层厚度的减小，可以抑制亚阈特征参数S的增加，能够改善亚阈特性。适当减薄有源层厚度，将有利于关态电流的减小，但减薄超过一定的限度后，通态电流也会随着显著减小，对器件造成很坏的影响，因此有源层厚度的减薄是有一定限度的。有源层厚度的减小，阈值电压也减小，减小到一定程度后，阈值电压趋于稳定。另外，沟...
【技术保护点】
一种基于压电材料有源层的TFT结构，其特征在于：包括基板、栅极、绝缘层、压电材料有源层、保护层、源极和漏极，所述压电材料有源层是含有压电材料的半导体有源层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶芸，郭太良，陈恩果，康冬茹，林连秀，汪江胜，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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