用于注入压电材料的方法技术

技术编号:8456970 阅读:360 留言:0更新日期:2013-03-22 10:50
本发明专利技术涉及一种由压电材料制成的结构的制造方法,包括:a)在由压电材料制成的基板(20)上制造包括至少一个金属层(22)和至少一个导电层(26)的叠层,其中,在导电层(26)和叠层外部的金属元件(29)之间建立至少一个电接触(31),b)通过所述导电层(26)和所述金属层(22)注入离子和/或原子,c)使所述基板转移至转移基板(30)上,随后使转移的压电基板的脆化区(27)破裂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍
射频通信增长的几十年以来,已经导致授权频段的拥挤。为了利用可用的频率范围,系统必需包含具有窄过渡带的带滤波。只有利用材料的压电性质的SAW (表面声波,surface acoustic wave)或 BAW (体声波,bulk acoustic wave)技术谐振器,使得低损耗和紧凑的结构能够符合这些规范。目前,用于这些滤波器的压电层是通过沉积制成的(BAW滤波器)或来自于体(大块,bulk)基板(SAW滤波器)。在图I中示意性地示出了 BAW :它包含设置在两个电极4、6之间的厚度为Ιμπι数量级的精密压电层2。组合件设置在基板12上,而且可以通过装置10隔音。可以通过在空腔上方悬置压电膜(FBAR技术)或通过经由布拉格网格从基板上分离它(SMR技术)而获得隔音。用于这种类型器件的压电材料层通常是通过PVD类的沉积技术制造的。用这种方法制造的层的厚度在几百nm至I μ m之间。除沉积技术之外,在注入之后的转移技术已经形成各种研究的对象。题为“fabrication of single-crystal lithium niobate films by crystal 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:克里斯特尔·德古特尼古拉斯·勃朗布鲁诺·因贝特让塞巴斯蒂安·穆莱
申请(专利权)人:法国原子能及替代能源委员会SOI科技有限公司
类型:
国别省市:

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