【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
和
技术介绍
射频通信增长的几十年以来,已经导致授权频段的拥挤。为了利用可用的频率范围,系统必需包含具有窄过渡带的带滤波。只有利用材料的压电性质的SAW (表面声波,surface acoustic wave)或 BAW (体声波,bulk acoustic wave)技术谐振器,使得低损耗和紧凑的结构能够符合这些规范。目前,用于这些滤波器的压电层是通过沉积制成的(BAW滤波器)或来自于体(大块,bulk)基板(SAW滤波器)。在图I中示意性地示出了 BAW :它包含设置在两个电极4、6之间的厚度为Ιμπι数量级的精密压电层2。组合件设置在基板12上,而且可以通过装置10隔音。可以通过在空腔上方悬置压电膜(FBAR技术)或通过经由布拉格网格从基板上分离它(SMR技术)而获得隔音。用于这种类型器件的压电材料层通常是通过PVD类的沉积技术制造的。用这种方法制造的层的厚度在几百nm至I μ m之间。除沉积技术之外,在注入之后的转移技术已经形成各种研究的对象。题为“fabrication of single-crystal lithium niobate films b ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:克里斯特尔·德古特,尼古拉斯·勃朗,布鲁诺·因贝特,让塞巴斯蒂安·穆莱,
申请(专利权)人:法国原子能及替代能源委员会,SOI科技有限公司,
类型:
国别省市:
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