压电薄膜元件的制造方法、压电薄膜元件以及压电薄膜元件用部件技术

提供一种具有表面形态良好、结晶性优异的压电薄膜层的压电薄膜元件的制造方法。压电薄膜元件的制造方法包括：在基板(1)上形成下部电极层(2)的工序；在下部电极层(2)上，以相对较低的成膜温度来形成压电薄膜缓冲层(3)的工序；在压电薄膜缓冲层(3)上，以比压电薄膜缓冲层(3)的成膜温度高的成膜温度来形成压电薄膜层(4)的工序；以及在压电薄膜层(4)上形成上部电极层的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有在下部电极层和上部电极层之间配置有压电薄膜层的构造的压电薄膜元件的制造方法、压电薄膜元件以及压电薄膜元件用部件。
技术介绍
为了推进制动器(actuator)和压电传感器的小型化，提出有各种使用压电薄膜的压电薄膜元件。例如，在下面专利文件I中，公开了图11所示的压电薄膜元件1001。压电薄膜元件1001具有基板1002。在基板1002上，按照以下顺序层叠有下部电极1003、基底电介质薄膜1004、压电薄膜1005、以及上部电极1006。压电薄膜元件1001的制造方法如以下所述。在由Si构成的基板1002上，通过溅射法形成下部电极1003。接着，在下部电极1003上，设基板温度为650°C，通过溅射法来形成由以(Nax2Ky2Liz2)NbO3(0^x2 ^ I,O ^ y2 ^ 1,0 ^ z2 ^ I,x2+y2+z2 = I)表示的碱银氧化物构成的基底电介质薄膜1004。接着，在基底电介质薄膜1004上，设基板温度为650°C，通过溅射法来形成由以(NaxlKylLizl)NbO3(O ^ xl ^ 1,0 ^ yl ^ 1,0 ^ zl ^ I, xl+yl本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池内伸介，山本观照，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：