具有改进开/关电流比和可控阈移的有机场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提供半导体器件，尤其是有机场效应晶体管，其包含含有聚合物和受体化合物的层，所述聚合物包含具有二酮吡咯并吡咯骨架的重复单元(DPP聚合物)，所述受体化合物具有在真空下4.6eV或更大的电子亲合力。将DPP聚合物用受体化合物掺杂导致具有改进空穴迁移率、开/关电流比和可控阈移的有机场效应晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进开/关电流比和可控阈移的有机场效应晶体管本专利技术提供半导体器件，尤其是有机场效应晶体管，其包含含有聚合物和受体化合物的层，所述聚合物包含具有二酮吡咯并吡咯骨架的重复单元(DPP聚合物)，所述受体化合物具有在真空下4. 6eV或更大的电子亲合力。将DPP聚合物用受体化合物掺杂导致具有改进空穴迁移率、开/关电流比和可控阈移的有机场效应晶体管。硅半导体的掺杂已是几十年来的技术发展水平。通过该方法，起初非常低的导电率提高通过在材料中产生电荷载体，以及取决于所用掺杂剂的类型，半导体的费米能级的变化而得到。然而，数年前，还公开了有机半导体在其导电率方面同样可受掺杂强烈影响。这类有机半导体基体材料可由具有良好给电子性能的化合物或具有良好受电子性能的化合物构成。对于掺杂电子给体材料，强电子受体如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2，3，5，6-四氟四氰基-1，4-苯并醌二甲烷(F4TCNQ)变得熟知。M. Pfeiffer,A. Beyer,T. Fritz,K. Leo, Appl.Phys.Lett. ,73 (22),3202-3204 (1998)和 J.Blochwitz, M.Pfei本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·施密德哈尔特，N·舍博塔莱瓦，P·哈约兹，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：
国别省市：