温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种基于压电材料有源层的TFT结构及其制备方法，该TFT包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层是由添加有压电材料的氧化物或有机物制作而成。TFT器件采用添加有压电材料的氧化物或有机物作为有源层，由于压电材料的特性，...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。