阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上形成有包括像素电极的图案和存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层，所述第二电极与所述像素电极电连接。本发明专利技术通过以电容较高的超级电容作为存储电容，而即使减小超级电容两极面积，超级电容也能达到与普通电容相同的电容大小，解决了现有技术中为了减小跳变而增大存储电容两级的面积时，会减小开口率，继而影响显示效果的问题；达到了既减小液晶像素上电压的跳变，又不减小开口率的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装 置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称 TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地 位。 相关技术中有一种TFT-IXD，它通过给液晶像素加上信号电压来改变液晶形状，且 液晶像素并联有一个用于保持液晶像素上的电压的存储电容，在TFT的开关状态改变时， 液晶像素上的电压就会发生跳变，而存储电容的电容越大，该跳变就越小，目前通常通过增 大存储电容两级的面积来增大电容。 专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：上述方式在为 了减小跳变而增大存储电容两级（存储电容两极通常由不透光的材料制成）的面积时，会 减小开口率（每个像素有效的透光区域与全部面积的比例），继而影响显示效果。
技术实现思路
为了解决相关技术中为了减小跳变而增大存储电容两级的面积时，会减小开口 率，继而影响显示效果的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、阵列基板制造方法和显 示装置。所述技术方案如下： 根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括： 衬底基板； 所述衬底基板上形成有存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括 第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层。 可选的，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为碳材料、金属氧化物、导电聚 合物中的一种或几种的组合。 可选的，所述电解质层为聚合物电解质层。 可选的，所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管的图案， 包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案是在一次构图工艺中 形成的。 可选的，所述栅极的图案上形成有包括栅绝缘层的图案，所述电解质层与所述包 括栅绝缘层的图案形成于同一层。 可选的，所述衬底基板上依次形成有包括栅极的图案和栅绝缘层， 所述第一电极的图案形成于所述栅绝缘层上方。 可选的，所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。 可选的，所述衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极与所述第二电极电连接。 根据本专利技术实施例的第二方面，提供一种阵列基板制造方法，其特征在于，所述方 法包括： 在衬底基板上形成存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一 电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层。 可选的，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为碳材料、金属氧化物、导电聚 合物中的一种或几种的组合。 可选的，所述电解质层为聚合物电解质层。 可选的，所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管的图案，所述在衬底基板上形成 存储电容，包括： 通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成包括所述第一电极的图案和所述薄膜 晶体管中栅极的图案； 在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案的衬底 基板上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的图案和包括所述第二电极的图案。 可选的，所述在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的 图案的衬底基板上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的图案和包括所述第二电极的图案， 包括： 在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述栅极的图案的衬底基板上形成包 括所述栅绝缘层的图案； 通过构图工艺在所述包括所述栅绝缘层的图案的同一层形成所述包括所述电解 质层的图案； 在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成所述包括所述第二电 极的图案。 可选的，所述衬底基板上依次形成有包括栅极的图案、栅绝缘层， 所述在衬底基板上形成存储电容，包括： 在所述栅绝缘层上形成包括所述第一电极的图案； 在形成有所述包括所述第一电极的图案的衬底基板上形成包括所述电解质层的 图案； 在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成包括所述第二电极的 图案。 可选的，所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。 可选的，所述在衬底基板上形成存储电容之后，所述方法还包括： 在形成有所述第二电极的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极与所述第二电 极电连接。 根据本专利技术实施例的第三方面，提供一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包 括第一方面提供的阵列基板。 可选的，所述阵列基板包括：在衬底基板上依次形成的第一电极、电解质层和第 二电极， 所述阵列基板还包括：在形成有所述第二电极的衬底基板上形成的像素电极，所 述像素电极与所述第二电极电连接。 本专利技术实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果： 通过以电容较高的超级电容作为存储电容，而即使减小超级电容两极面积，超级 电容也能达到与普通电容相同的电容大小，解决了现有技术中为了减小跳变而增大存储电 容两级的面积时，会减小开口率，继而影响显示效果的问题；达到了既减小液晶像素上电压 的跳变，又不减小开口率的效果。 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不 能限制本专利技术。【附图说明】 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施 例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。 图1_1是TFT及周边电路不意图； 图1-2是普通电容结构示意图； 图1-3是超级电容储能机理示意图； 图2是根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图； 图3是根据另一不例性实施例不出的一种阵列基板的结构不意图； 图4是根据另一不例性实施例不出的一种阵列基板的结构不意图； 图5是根据一示当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上形成有存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张大成，董文储，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11