发光二极管封装模组制造技术

一种发光二极管封装模组，包含至少一个发光二极管单元。发光二极管单元包括一封装基座、一发光二极管晶粒、一绝缘胶体及至少一导线。封装基座具有：一导电基板，具有一通孔；一绝缘层，覆盖导电基板的部分底面；及一导电层，至少覆盖导电基板未设置绝缘层的底面。发光二极管晶粒由下而上依序包括：一下电极；一晶粒基板，具低反光性，容纳于导电基板的通孔中；一半导体发光结构，显露于导电基板的顶面外；以及一上电极。绝缘胶体设于导电基板的通孔中，并围绕晶粒基板。导线的两端连接发光二极管晶粒的上电极及导电基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种发光二极管封装模组，特别是指一种适用于垂直式发光二极管晶粒(vertical LED die)的发光二极管封装模组。
技术介绍
参阅图1，为一现有的发光二极管封装结构9，该发光二极管封装结构9包含一电路板91、一垂直式发光二极管晶粒92、至少一条打线93及一封装胶体94。电路板91包括一绝缘的板体911 (例如为陶瓷基板)、一穿设于板体911中的正极内联线912、一设置于板体911底面并连接于正极内联线912的正极导线913、一穿设于板体911中的负极内联线914及一设置于板体911底面并连接于负极内联线914的负极导线915。垂直式发光二极管晶粒92设置于电路板91上，其由下而上分别包括一正电极921、一基板922、一半导体发光层923及一负电极924。垂直式发光二极管晶粒92通过导电胶、焊锡等媒介设置于正极内联线912上，使其正电极921与下方的正极内联线912、正极导线913形成电性导通；而位于其顶面的负电极924则是通过打线93，与负极内联线914、负极导线915形成电性导通。此种现有的发光二极管封装结构9虽然可以运用于各式照明，但仍存在部分不足之处。首先，当垂直式发光二极管晶粒92的基板922采用光反射性较差的材质制作(如硅基板)时，半导体发光层923发出的光线经由板体911、负极内联线914、封装胶体94等结构反射而照射于基板922 (光线LI)后，基板922的低反射性会造成反射光线L2的光强度衰减，而影响发光二极管封装结构9的整体亮度。此外，对例如为陶瓷材质的绝缘的板体911来说，其光反射性不佳，因此经其反射的光线LI的光强度会有所衰减，而影响发光二极管封装结构9的亮度。而且，陶瓷材料的热传导性不佳，将垂直式发光二极管晶粒92设置其上会影响垂直式发光二极管晶粒92的散热效果，使垂直式发光二极管晶粒92容易因为热积聚而导致光衰。再者，该种发光二极管封装结构9是通过电路板91上的正、负极线路导接于垂直式发光二极管晶粒92的正电极921与负电极924，因此必须在电路板91上配置特定的正、负极线路，此结构配置会导致电路板91的结构与制程步骤复杂化，而不利于生产制造及后续应用。而另一方面，该现有封装结构是将垂直式发光二极管晶粒92直接设置于电路板91的表面，因此发光二极管封装结构9的厚度为电路板91、垂直式发光二极管晶粒92及封装胶体94这三者叠加，此配置方式不利于发光二极管封装结构9的薄型化发展。此外，由于电路板91上必须配置较复杂的正、负电极线路，可能导致其面积的增加，而不利于发光二极管封装结构9的微型化设计。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可增进发光亮度、散热效果，并达成尺寸微型化及结构简化的发光二极管封装模组。本专利技术发光二极管封装模组，包含至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包括一封装基座、一发光二极管晶粒、一绝缘胶体及至少一条导线。封装基座，具有:一导电基板，具有相反的一顶面及一底面，并形成一贯穿其顶面与底面的通孔；一绝缘层，具电绝缘性，并覆盖该导电基板的部分底面；一导电层，至少覆盖该导电基板未设置该绝缘层的部分底面。发光二极管晶粒，部分地设置于该导电基板的通孔中，且具有:一下电极，具有导电性；一晶粒基板，具有导电性及低反光性，其设置于该下电极之上，并容纳于该导电基板的通孔中；一半导体发光结构，设置于该晶粒基板之上，并显露于该导电基板的顶面之外，于接收电力后发出光线；及一上电极，设置于该半导体发光结构之上，且具有导电性。绝缘胶体设置于该导电基板的通孔中，并至少将该发光二极管晶粒的晶粒基板围绕于内。导线的两端分别连接于该发光二极管晶粒的上电极及该导电基板。较佳地，该发光二极管晶粒的下电极显露于该导电基板的底面之外。较佳地，该导电层还覆盖至该导电基板的外侧面。在一实施态样中，该发光_■极管单兀还包括一晶粒承载基座，该晶粒承载基座具有一导电的承载基材，该承载基材具有相反的一顶面及一底面，其顶面凹陷形成一凹槽，该凹槽供该发光二极管晶粒设置其中，使该发光二极管晶粒的晶粒基板不显露于该承载基材的顶面之外；该承载基材是部分地设置于该导电基板的通孔中，其设置于该通孔中的部分被该绝缘胶体包覆，且其底面显露于该导电基板的底面以外。在另一实施态样中，该发光_■极管单兀还包括一晶粒承载基座，该晶粒承载基座具有一导电的承载基材及一具高反射性的反光体，该承载基材具有相反的一顶面及一底面，并供该发光二极管晶粒设置于其顶面；该反光体设置于该承载基材的顶面，并至少将该发光二极管晶粒的晶粒基板围绕于内；该承载基材是部分地设置于该导电基板的通孔中，其设置于该通孔中的部分被该绝缘胶体包覆，且其底面显露于该导电基板的底面以外。在部分应用态样中，该发光二极管封装模组包含多个发光二极管单元，所述发光二极管单元的导电基板相互连接，且所述发光二极管单元的导电层相互连接。较佳地，该导电基板的主要材质为铝、铜、铁、镍、银、金、钯、镁或其组合。本专利技术的有益效果在于:本专利技术通过将反光性差的晶粒基板设置于导电基板的通孔中的设计，可减少半导体发光结构发出的光线于后续由晶粒基板反射的可能性，而提升发光二极管封装模组的亮度表现。而将发光二极管晶粒的部分结构装嵌于封装基座中的设计，可有效缩减发光二极管封装模组的厚度与尺寸，利于薄型化及微型化的发展。此外，本专利技术让发光二极管晶粒的下电极显露于封装基座的底面之外，或者通过承载基材显露于封装基座的底面之外的设计，让下电极(或承载基材)配合与发光二极管晶粒的上电极形成电性连接的导电层，作为发光二极管封装模组连接于外部线路的电极使用，结构简单，便于制作及应用。而导电基板采用金属材质的设计，具有反光性及导热性佳的优点，有助于发光二极管封装模组的亮度提升及散热。【附图说明】图1是一侧视示意图，说明一现有的发光二极管封装结构；图2 —立体图，说明本专利技术发光二极管封装模组的第一较佳实施例；图3是一立体分解示意图，说明发光二极管封装模组于组装前的实施态样；图4是图2的俯视图；图5是沿图2的V-V方向的剖视示意图；图6是图2的仰视图；图7是一俯视图，说明第一较佳实施例的发光二极管封装模组的应用态样；图8是图7的仰视图；图9是一侧视示意图，说明第一较佳实施例的发光二极管封装模组的另一应用态样；图10与图11分别是一侧视示意图，说明本专利技术发光二极管封装模组的第二较佳实施例；及图12与图13分别是第二较佳实施例的发光二极管封装模组的变化实施态样。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。第一实施例参阅图2至图6，为本专利技术发光二极管封装模组I的第一较佳实施例，该发光二极管封装模组I提出一种适用于垂直式发光二极管晶粒的创新式封装设计。具体来说，本专利技术的发光二极管封装模组I包含至少一个发光二极管单元2，以下段落先以单一发光二极管单元2为例，说明发光二极管封装模组I的实施态样，而后续段落会提出多个发光二极管单元2的相关技术说明。发光二极管封装模组I的发光二极管单元2包括一封装基座3、一发光二极管晶粒4、一绝缘胶体5及至少一条导线6 (此处以两条导线6为例)。封装基座3为装设发光二极管晶粒4的主要结构，其同时具备乘载、散热与导电功能，且具有一导电基板31、一绝缘层32及一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装模组，包含至少一个发光二极管单元，其特征在于，该发光二极管单元包括：一封装基座，具有一导电基板，具有相反的一顶面及一底面，并形成一贯穿其顶面与底面的通孔，一绝缘层，具电绝缘性，并覆盖该导电基板的部分底面，及一导电层，至少覆盖该导电基板未设置该绝缘层的部分底面；一发光二极管晶粒，部分地设置于该导电基板的通孔中，且具有一下电极，具有导电性，一晶粒基板，具有导电性及低反光性，其设置于该下电极之上，并容纳于该导电基板的通孔中，一半导体发光结构，设置于该晶粒基板之上，并显露于该导电基板的顶面之外，于接收电力后发出光线，及一上电极，设置于该半导体发光结构之上，且具有导电性；一绝缘胶体，设置于该导电基板的通孔中，并至少将该发光二极管晶粒的晶粒基板围绕于内；及至少一条导线，两端分别连接于该发光二极管晶粒的上电极及该导电基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏廷，
申请(专利权)人：亚世达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71