发光二极管单元及发光装置制造方法及图纸

技术编号:11170309 阅读:68 留言:0更新日期:2015-03-19 10:09
一种发光二极管单元,包含一基板、一第一晶粒结构、至少一个第二晶粒结构及一第三晶粒结构。第一晶粒结构、第二晶粒结构与第三晶粒结构间隔地设于基板上,第一晶粒结构包括一第一正电极及一第一负电极,第二晶粒结构包括一第二正电极及一第二负电极,第三晶粒结构包括一第三正电极及一第三负电极。第一晶粒结构、第二晶粒结构与第三晶粒结构依序形成串联连接,且第三正电极的面积远大于第二正电极及第一正电极,第一负电极的面积远大于第三负电极及第二负电极,让使用者便于通过第一负电极、第三正电极进行发光二极管单元的线路配置,也可增加发光二极管单元的有效发光面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管单元,包含一可透光的基板、一第一晶粒结构、至少一个第二晶粒结构及一第三晶粒结构,其特征在于:该第一晶粒结构形成于该基板上,包括一第一发光体、一第一正电极及一第一负电极,该第一正电极与该第一负电极相互间隔且至少部分设于该第一发光体上,以传输该第一发光体所需的电力,该第二晶粒结构形成于该基板上,且间隔于该第一晶粒结构,并包括一第二发光体、一第二正电极及一第二负电极,该第二正电极与该第二负电极间隔地设于该第二发光体上,以传输该第二发光体所需的电力,该第三晶粒结构形成于该基板上,且间隔于该第一晶粒结构及该第二晶粒结构,并包括一第三发光体、一第三正电极及一第三负电极,该第三正电极与该第三负电极相互间隔且至少部分设于该第三发光体上,以传输该第三发光体所需的电力,其中,该第一晶粒结构、该第二晶粒结构与该第三晶粒结构依序形成串联连接,且该第三正电极的面积远大于该第二正电极及该第一正电极的面积,该第一负电极的面积远大于该第三负电极及该第二负电极的面积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林柏廷
申请(专利权)人:亚世达科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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