本实用新型专利技术提供了一种超大功率COB集成白光LED封装结构，包括基板和至少一LED芯片组，所述基板正面开设有与LED芯片组数量对应的凹腔，任一所述LED芯片组为倒装LED芯片组，并以COB方式键合在对应凹腔的底部，所述各LED芯片组之间及LED芯片组与外电路之间通过铜片实现电连接，且每个LED芯片组上均灌充填充胶并盖封透明陶瓷荧光片。本实用新型专利技术的封装结构提升了出光品质和导热性，并能实现超高亮度白光。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种白光LED，特别涉及一种超大功率COB集成白光LED封装结构。
技术介绍
现有满足照明级光通量要求的LED白光技术路线中，通常由集成COB芯片组和荧光粉胶共同构成白光光源。所采用的LED芯片多是正装芯片组，荧光粉胶往往直接贴附在集成LED芯片组上，由于集成LED芯片组工作时发热量较大，往往伴随着荧光粉胶热老化、受激光谱效率下降及激发光谱发生红移等系列问题，影响了出光的光品质。另外，目前芯片间串并联及芯片模组外电连时通过金属线打线工艺进行，不但影响了光源出光面的出光效率，且工作点亮时是以蓝宝石衬底作为主要的热流疏导通道，其较差的导热性大大限制了芯片集成的规模，使得光源模组的亮度难以进一步提升。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种超大功率COB集成白光LED封装结构，提升了出光品质和导热性，并能实现超尚壳度白光。本技术是这样实现的:一种超大功率COB集成白光LED封装结构，包括基板和至少一 LED芯片组，所述基板正面开设有与LED芯片组数量对应的凹腔，任一所述LED芯片组为倒装LED芯片组，并以COB方式键合在对应凹腔的底部，所述各LED芯片组之间及LED芯片组与外电路之间通过铜片实现电连接，且每个LED芯片组上均灌充填充胶并盖封透明陶瓷荧光片。进一步的，所述LED芯片组是通过底部焊点与凹腔底部共晶键合。进一步的，所述凹腔为矩阵排布，且处于同一排的凹腔中段贯通连接形成长凹腔，贯通部分由所述填充胶灌充，所述封装结构的正、负极位于所述长凹腔的正面两端。进一步的，所述基板为铜基板、氣化销基板、类钻炭基板或石墨稀基板。进一步的，所述透明陶瓷荧光片为钇铝石榴石型透明陶瓷荧光片。本技术的优点在于:1.采用倒装芯片替代传统正装芯片，提升LED芯片组的热疏导能力，实现无金线封装，免除金线带入的不利影响；2.用透明陶瓷荧光片替代传统的荧光粉胶，提升了大功率光源模组出光的光品质；3.LED芯片组随凹腔为矩阵排布，可实现大电流驱动，可用于制备500-1000W级的超大功率光源模组，满足场地照明等超大功率的照明需求。【附图说明】下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。图1是本技术基板的立体结构示意图。图2是本技术倒装LED芯片组的立体结构示意图。图3是本技术键合有倒装LED芯片组的基板的结构示意图。图4是本技术透明陶瓷荧光片的立体结构示意图。图5是本技术倒装LED芯片组上封装有透明陶瓷荧光片的结构示意图。图6是本技术超大功率COB集成白光LED封装结构的整体结构示意图。【具体实施方式】请参阅图1至图6所示，本技术的超大功率COB集成白光LED封装结构，包括基板I和至少一 LED芯片组2。所述基板I正面开设有与LED芯片组2数量对应的凹腔12，任一所述LED芯片组2为倒装LED芯片组，并以COB方式键合在对应凹腔12的底部，所述LED芯片组2是通过底部焊点与凹腔12底部共晶键合。采用倒装芯片替代传统正装芯片，提升LED芯片组的热疏导能力。主要如图1所示，所述基板I上的凹腔12为矩阵排布，且处于同一排的凹腔12中段贯通连接形成长凹腔，如图6所示，贯通部分最后会由所述填充胶3灌充，所述封装结构的正极13、负极14位于所述长凹腔12的正面两端。凹腔12的数量及排布决定了 LED芯片组2的数量及排布，而如图2所示，所述LED芯片组2内的芯片也以矩阵式排布，该矩阵排布的凹腔12为实现超大功率光源模组提供基础，可实现大电流驱动，可用于制备500-1000W级的超大功率光源模组，满足场地照明等超大功率的照明需求。其中，所述基板I有多种选择，如可以为铜基板、氮化铝基板、类钻炭基板或石墨稀基板。如图6所示，所述各LED芯片组2之间及LED芯片组2与外电路之间通过铜片4实现电连接，实现无金线封装，免除金线带入的不利影响，提升了出光品质和导热性；且每个LED芯片组2上均灌充填充胶3并盖封透明陶瓷荧光片5，即填胶部分不但包含阵列LED芯片组与陶瓷片之间空间，还包含芯片焊点与凹腔底部键合后的剩余空隙，以及各凹腔之间的空隙。其中，所述透明陶瓷荧光片5为钇铝石榴石型透明陶瓷荧光片。本技术用透明陶瓷荧光片5替代传统的荧光粉胶，提升了大功率光源模组出光的光品质。虽然以上描述了本技术的【具体实施方式】，但是熟悉本
的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本技术的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本技术的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本技术的权利要求所保护的范围内。【主权项】1.一种超大功率COB集成白光LED封装结构，包括基板和至少一 LED芯片组，其特征在于:所述基板正面开设有与LED芯片组数量对应的凹腔，任一所述LED芯片组为倒装LED芯片组，并以COB方式键合在对应凹腔的底部，所述各LED芯片组之间及LED芯片组与外电路之间通过铜片实现电连接，且每个LED芯片组上均灌充填充胶并盖封透明陶瓷荧光片。2.如权利要求1所述的一种超大功率COB集成白光LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片组是通过底部焊点与凹腔底部共晶键合。3.如权利要求1所述的一种超大功率COB集成白光LED封装结构，其特征在于:所述凹腔为矩阵排布，且处于同一排的凹腔中段贯通连接形成长凹腔，贯通部分由所述填充胶灌充。4.如权利要求3所述的一种超大功率COB集成白光LED封装结构，其特征在于:所述封装结构的正、负极位于所述长凹腔的正面两端。5.如权利要求1所述的一种超大功率COB集成白光LED封装结构，其特征在于:所述基板为铜基板、氮化铝基板、类钻炭基板或石墨烯基板。6.如权利要求1所述的一种超大功率COB集成白光LED封装结构，其特征在于:所述透明陶瓷荧光片为钇铝石榴石型透明陶瓷荧光片。【专利摘要】本技术提供了一种超大功率COB集成白光LED封装结构，包括基板和至少一LED芯片组，所述基板正面开设有与LED芯片组数量对应的凹腔，任一所述LED芯片组为倒装LED芯片组，并以COB方式键合在对应凹腔的底部，所述各LED芯片组之间及LED芯片组与外电路之间通过铜片实现电连接，且每个LED芯片组上均灌充填充胶并盖封透明陶瓷荧光片。本技术的封装结构提升了出光品质和导热性，并能实现超高亮度白光。【IPC分类】H01L33-48, H01L25-075, H01L33-50【公开号】CN204497266【申请号】CN201520125081【专利技术人】叶尚辉, 陈明秦, 张数江, 张国锋 【申请人】福建中科芯源光电科技有限公司【公开日】2015年7月22日【申请日】2015年3月4日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超大功率COB集成白光LED封装结构，包括基板和至少一LED芯片组，其特征在于：所述基板正面开设有与LED芯片组数量对应的凹腔，任一所述LED芯片组为倒装LED芯片组，并以COB方式键合在对应凹腔的底部，所述各LED芯片组之间及LED芯片组与外电路之间通过铜片实现电连接，且每个LED芯片组上均灌充填充胶并盖封透明陶瓷荧光片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶尚辉，陈明秦，张数江，张国锋，
申请(专利权)人：福建中科芯源光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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