一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法，减少整个存储阵列的功耗，提升存储容量。存储阵列包括：存储单元，其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连，其读写装置包括第一端口和第二端口，其存储区域包括第三端口和第四端口，对于一个存储单元，第一端口与第二列选通管相连，第二端口通过第一开关管与行译码器相连，第三端口通过第二开关管连接至第一列选通管和行译码器，第四端口通过第三开关管连接至第一列选通管和行译码器；通过对阴极总线、阳极总线、行译码器与第一列选通管的控制，选通存储单元和输入进行移位操作的信号；通过对行译码器与第二列选通管的控制，选通读写装置和输入进行读写操作的信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
，尤其是涉及。
技术介绍
通常，数据存储有两种方式:闪存与硬盘存储。其中，闪存读取速度快，容量小，价格高。硬盘存储读写速度慢，容量大，但是价钱便宜。基于此，目前出现了纳米轨道Racetrack的新型存储方式,具备闪存高性能、硬盘低成本高容量的特性。现有的纳米轨道由磁性材料构成，包含多个磁性区域，即磁畴，相邻的磁畴由磁畴壁分开，所述多个磁性区域与磁畴壁组成U型存储轨道。目前有一种基于U型存储轨道的存储阵列结构，将U型存储轨道连起来，在轨道两端加电流脉冲使数据移位，在轨道底部放置读写电路使得数据可以依次读出，可一并参考图1，图1为该存储阵列结构的示意图。可是专利技术人在实现本专利技术的过程中发现该存储阵列的连接结构复杂，并且将U型存储轨道串联的这种形式使得存储阵列的功耗也相应增大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了，用于减少整个存储阵列的功耗，同时也提升了存储容量。有鉴于此，本专利技术第一方面提供一种存储阵列，其中，可包括:两个以上存储单元、与所述两个以上存储单元连接的行译码器、与所述两个以上存储单元连接的第一列选通管和第二列选通管、多个开关管、与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储阵列，其特征在于，包括：两个以上存储单元、与所述两个以上存储单元连接的行译码器、与所述两个以上存储单元连接的第一列选通管和第二列选通管、多个开关管、与所述第一列选通管和所述第二列选通管连接的列译码器，其中，所述多个开关管包括第一开关管、第二开关管和第三开关管；所述存储单元包括磁性轨道，所述磁性轨道包括第一存储区域、第二存储区域、以及设置于所述磁性轨道底部的读写装置，所述第一存储区域的顶部端口与阴极总线相连，所述第二存储区域的顶部端口与阳极总线相连，其中，所述读写装置包括第一端口和第二端口，所述第一存储区域底部设置有第三端口，所述第二存储区域底部设置有第四端口；对于一个所述存储单元，所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅雅蓉，赵俊峰，王元钢，杨伟，林殷茵，杨凯，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，复旦大学，
类型：发明
国别省市：广东;44