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本发明实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法,减少整个存储阵列的功耗,提升存储容量。存储阵列包括:存储单元,其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连,其读写装置包括第一端口和第二端口,其存储区域包括第三端口和第四端口,对于...该专利属于华为技术有限公司;复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过华为技术有限公司;复旦大学授权不得商用。
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本发明实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法,减少整个存储阵列的功耗,提升存储容量。存储阵列包括:存储单元,其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连,其读写装置包括第一端口和第二端口,其存储区域包括第三端口和第四端口,对于...