本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，其中，该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜；对非晶硅薄膜进行退火处理，以使得非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；对多晶硅薄膜和保护层薄膜进行一次构图工艺，多晶硅薄膜图案化为有源层，保护层薄膜图案化为保护层。在本发明专利技术的技术方案中，由于在形成有源层的同时还在有源层的上方形成了保护层，该保护层可对有源层起到保护作用，以在将基板移至下一生产流程的过程中避免有源层被污染。与此同时，由于有源层在运输过程中不会被污染，因此在下一生产流程开始之前无需对有源层进行预清理的工序，从而可缩短整个生产周期。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
一般，显示面板包括阵列基板以及与阵列基板相对设置的对盒基板，其中阵列基板包括:衬底基板和位于衬底基板上的薄膜晶体管(Thin-film Transistor，简称TFT)。其中，低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)薄膜晶体管凭借较优的稳定性和较高的迀移率，获得了大多数面板厂商的支持。在实际的生产过程中，需要经过多道生产流程才能制备出该LTPS-TFT。其中，在完成有源层(材料为多晶硅)工艺之后，需要将该基板转移到下一生产流程对应的设备处。然而，在转移过程中，该有源层的表面会暴露于空气中，此时有源层的表面可能会收到污染，从而对TFT的性能造成影响。为避免有源层被污染而导致TFT的性能出现问题，则会在下一道生产流程开始之前对有源层的表面进行预清理。然而，上述预清理过程不但需要耗费大量时间，造成生产周期变长，而且在待预清理处理完成之后，有源层仍会有一段时间暴露于空气中，此时难免会出现二次污染。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，可在有源层生产流程结束且在转入至下一道生产流程的过程中，有效的避免有源层被污染，从而可在下一道生产流程开始之前省去对有源层进行预清理的工序，进而缩短生产周期。为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括:在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜；对所述非晶硅薄膜进行退火处理，以使得所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺，将所述多晶硅薄膜图案化为有源层，所述保护层薄膜图案化为保护层。可选地，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺的步骤之后还包括: 在所述保护层上方形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方形成栅极；在所述栅极的上方形成钝化层；在所述钝化层、所述栅绝缘层和所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成第一过孔和第二过孔；在所述钝化层上形成源极和漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。可选地，所述在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜的步骤之前还包括:在所述衬底基板的上方形成缓冲层。可选地，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜的步骤之前还包括:在所述衬底基板的上方形成栅极；在所述栅极的上方形成栅绝缘层；所述对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺的步骤之后还包括:在所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成第三过孔和第四过孔；在所述保护层的上方形成源极和漏极，所述源极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第四过孔与所述有源层连接。可选地，所述对所述非晶硅薄膜进行退火处理的步骤之前还包括:对所述非晶硅薄膜进行高温脱氢处理。可选地，所述保护层的材料为氧化硅。可选地，所述保护层的厚度为:30nm?40nm。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种薄膜晶体管，包括:形成于衬底基板上方的有源层和形成于所述有源层上方的保护层，所述保护层的图形与所述有源层的图形相同。可选地，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括:在所述保护层上方形成的栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方形成的栅极；所述栅极的上方形成的钝化层；所述钝化层、所述栅绝缘层和所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成有第一过孔和第二过孔，在所述钝化层上形成的源极和漏极，所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。可选地，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括:在所述衬底基板的上方形成的栅极；在所述栅极的上方形成的栅绝缘层；所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成有第三过孔和第四过孔，所述保护层上形成的源极和漏极，所述源极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第四过孔与所述有源层连接。可选地，所述保护层的材料为氧化硅。可选地，所述保护层的厚度为:30nm?40nm。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种阵列基板，包括:薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用上述的薄膜晶体管。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种显示装置，包括:阵列基板，所述阵列基板采用上述的阵列基板。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，其中该在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜；对非晶硅薄膜进行退火处理，以使得非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；对多晶硅薄膜和保护层薄膜进行一次构图工艺，多晶硅薄膜图案化为有源层，保护层薄膜图案化为保护层。在本专利技术的技术方案中，由于连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜，并通过退火工艺和一次构图工艺，同时形成有源层和保护层。该保护层可对有源层起到保护作用，以在将基板移至下一生产流程的过程中避免有源层被污染。与此同时，由于有源层在运输过程中不会被污染，因此在下一生产流程开始之前无需对有源层进行预清理的工序，从而可缩短整个生产周期。【附图说明】图1为本专利技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图；图2为在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜的示意图；图3为形成有源层和保护层的结构示意图；图4为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管的制备方法的流程图；图5为在衬底基板上形成缓冲层的结构示意图；图6为本专利技术实施例二中在保护层上方形成栅绝缘层的结构示意图；图7为本专利技术实施例二中在栅绝缘层的上方形成栅极的结构示意图；图8为本专利技术实施例二中在栅极的上方形成钝化层的结构示意图；图9为本专利技术实施例二中形成第一过孔和第二过孔的结构示意图；图10为本专利技术实施例二中在钝化层上形成源极和漏极的结构示意图；图11为本专利技术实施例三提供的薄膜晶体管的制备方法的流程图；图12为本专利技术实施例三中形成栅极和栅绝缘层的结构示意图；图13本专利技术实施例三中形成第三过孔和第四过孔的结构示意图；图14本专利技术实施例三中在保护层上形成源极和漏极的结构示意图。...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜；对所述非晶硅薄膜进行退火处理，以使得所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺，将所述多晶硅薄膜图案化为有源层，所述保护层薄膜图案化为保护层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建宏，詹裕程，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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