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本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，其中，该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜；对非晶硅薄膜进行退火处理，以使得非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；对多晶硅薄膜和保护层薄膜进行一次构图工...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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