本发明专利技术涉及液晶显示技术领域，公开了一种ADS阵列基板及其制作方法、显示装置。ADS阵列基板包括像素电极和公共电极，通过在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置金属线，并将所述金属线与公共电极并联，以减小公共电极的电阻，从而能够减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了画面泛绿现象。所述显示装置包括所述ADS阵列基板，提高了画面的显示品质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种ADS阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶面板，液晶面板包括对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板，液晶分子填充在阵列基板和彩膜基板之间。液晶面板通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶分子偏转的电场，实现灰阶显示。彩膜基板上的滤光层用于实现彩色显示。目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为:扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面转换(IPS，In Plane Switching)型和高级超维场开关(ADS，Advanced Super Dimens1nSwitch)型。其中，ADS型TFT-1XD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。由于ADS型TFT-1XD的公共电极和像素电极均形成在阵列基板上，公共电极与阵列基板上的信号线(尤其是数据线)耦合严重，导致公共电极信号严重失真，造成画面泛绿现象，影响了画面品质。
技术实现思路
本专利技术提供一种ADS阵列基板及其制作方法，用以解决由于公共电极信号严重失真，造成画面泛绿的问题。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的ADS阵列基板，克服了公共电极信号严重失真造成的画面泛绿问题，提高了画面品质。为解决上述技术问题，本专利技术实施例中提供一种ADS阵列基板，包括公共电极和多个子像素区域，其中，至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，所述金属线与公共电极并联。如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述金属线包括:在至少部分相邻的两行子像素区域之间设置的、沿行方向延伸的第一金属线，和/或，在至少部分相邻的两列子像素区域之间设置的、沿列方向延伸的第二金属线。如上所述的ADS阵列基板，优选的是，还包括:交叉分布的多条栅线组和多条数据线，限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域，每个子像素区域包括像素电极和薄膜晶体管，每条栅线组包括两条栅线；同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；所述第二金属线设置在每列像素区域中的两列子像素区域之间，所述第二金属线与栅线组之间绝缘。如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述第二金属线包括并联的源漏金属层和栅金属层。如上所述的ADS阵列基板，优选的是，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属线的栅金属层对应栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘。如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述第一金属线设置在每条栅线组中的两条栅线之间，所述第一金属线与栅线组、数据线之间绝缘。如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述第一金属线的材料为源漏金属，与所述栅线组不同层设置，使得所述第一金属线与栅线组之间绝缘。如上所述的ADS阵列基板，优选的是，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。本专利技术实施例中还提供一种如上所述的ADS阵列基板的制作方法，包括形成公共电极的步骤和形成多个子像素区域的步骤，还包括:在至少部分相邻的两个子像素区域之间形成金属线的步骤，所述金属线与公共电极并联。如上所述的制作方法，优选的是，形成金属线的步骤包括:在至少部分相邻的两行子像素区域之间形成沿行方向延伸的第一金属线，和/或，在至少部分相邻的两列子像素区域之间形成沿列方向延伸的第二金属线。如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法具体包括:形成栅金属薄膜，对所述栅金属薄膜进行构图工艺，形成多条栅线组和所述第二金属线的栅金属层，每条栅线组包括两条栅线；形成源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行构图工艺，形成多条数据线、所述第二金属线的源漏金属层和所述第一金属线，所述多条栅线组和多条数据线限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域；在每个所述子像素区域形成像素电极和薄膜晶体管，同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；具体在每列像素区域中的两列子像素区域之间形成所述第二金属线，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属层的栅金属层对应所述栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘；具体在所述栅线组的两条栅线之间形成所述第一金属线，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。本专利技术实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的ADS阵列基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下:上述技术方案中，ADS阵列基板包括像素电极和公共电极，通过在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置金属线，并将所述金属线与公共电极并联，以减小公共电极的电阻，从而能够减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了画面泛绿现象，提高了显示器件的画面显示品质。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1-图4表示本专利技术实施例中ADS阵列基板的制作过程示意图。【具体实施方式】本专利技术提供一种ADS阵列基板及其制作方法，用以解决公共电极由于耦合电容导致电平漂移和信号严重失真，造成画面泛绿的问题。所述ADS阵列基板包括公共电极和多个子像素区域，在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，并将所述金属线与公共电极并联，以减小公共电极的电阻，从而能够减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了画面泛绿现象，提高了显示器件的画面显示品质。其中，所述子像素区域由栅线和数据线界定，所述耦合电容主要由公共电极与数据线交叠产生。本专利技术的具体工作原理为:造成ADS型TFT-1XD画面泛绿的主要因素有两个:一个是公共电极的电平漂移，另一个是公共电极信号的失真衰减。影响电平漂移的因素可以表示为:CXVXr，其中，C为公共电极和数据线的耦合电容，V为数据线上电压的变化量，r为显示器件的分辨率。影响失真衰减的因素可以表示为RXC，R为公共电极的电阻，C为公共电极和数据线的耦合电容。据此可知，公共电极和数据线的耦合电容会造成公共电极的电平漂移和信号失真。本专利技术就是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ADS阵列基板，包括公共电极和多个子像素区域，其特征在于，至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，所述金属线与公共电极并联。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王骁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。