一种埋入式传感芯片封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种埋入式传感芯片封装结构及其制备方法，属于集成电路封装、传感器技术等领域。所述结构包括至少一个传感芯片、传感芯片焊盘、传感器件结构部分、介质和导电线路；所述传感芯片焊盘与传感器件结构部分位于传感芯片的顶面，传感芯片焊盘与传感器件结构部分位于同一表面，传感芯片至少一个侧面覆盖有介质，介质上至少有一个一定长度的台阶，所述台阶表面低于传感芯片的顶面，在台阶表面上有导电线路，导电线路沿着台阶表面、台阶侧壁、传感芯片表面和传感芯片焊盘连接。这种封装结构在介质材料上形成台阶，利于传感芯片表面贴装玻璃、蓝宝石等元件的二次封装，避免了对传感芯片本身进行刻蚀台阶等操作，降低了成本，提高了产品封装良率与可靠性。同时，制作该结构可采用晶圆级或面板级的埋入扇出工艺，可以提高产率，降低封装成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述结构包括至少一个传感芯片(1)、传感芯片焊盘(2)、传感器件结构部分(3)、介质(4)和导电线路(5)；所述传感芯片焊盘(2)与传感器件结构部分(3)位于传感芯片(1)的顶面，传感芯片焊盘(2)与传感器件结构部分(3)位于同一表面，传感芯片(1)至少一个侧面覆盖有介质(4)，介质(4)上至少有一个一定长度的台阶，所述台阶表面低于传感芯片(1)的顶面，在台阶表面上有导电线路(5)，导电线路(5)沿着台阶表面、台阶侧壁、传感芯片(1)表面和传感芯片焊盘(2)连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于大全，庞诚，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61