【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种隔离型NLDMOS器件，其特征是,包括：P型衬底上部的相邻N阱和P阱，P阱位于N型深阱中，N型深阱一侧边缘位于N阱与P阱相邻一侧弧形侧边的下方，P阱上部顺序设置有第一P型重掺杂区、第一场氧和第二P型重掺杂区，N阱上部设置有第二场氧和N型重掺杂区，栅氧化层位于P阱和N阱上方第二P型重掺杂区和第二场氧之间，栅极多晶硅位于栅氧化层和部分第二场氧上方，第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区和N型重掺杂区分别通过接触孔引出连接引线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬华，段文婷，钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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