具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，包括一模塑料，所述模塑料包覆一半导体芯片的引线框架，所述引线框架包括一芯片部，所述芯片部两侧下方分别设有一向内延伸的斜面，所述斜面的下端向下延伸至所述芯片部底面形成与所述芯片部底面垂直的垂直面，所述模塑料扣设于所述斜面上。通过所述斜面加强模塑料与引线框架的紧固力，防止半导体器件的模塑料与引线框架上脱离；所述垂直面能够有效地固定模塑料的不规则流动，阻挡模塑料溢料的扩大和形成。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体结构领域，尤其涉及一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件。
技术介绍
在半导体器件封装领域中，半导体器件的模塑料通常是包覆在底座侧面为垂直平面的引线框架上，由于这种结构的引线框架与模塑料的结合力不足，导致许多半导体器件产品出现模塑料从引线框架上脱离的问题，这大大影响了半导体器件产品的可靠性，同时降低了半导体器件产品的合格率，增加了企业的生产成本。为了解决上述问题，需要增强半导体器件的引线框架与模塑料的结合力，防止模塑料与引线框架底座脱离，同时，也要能有效地减少模塑料溢料的形成。
技术实现思路
本技术的目的是针对以上不足之处，提供了一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，实现模塑料和半导体器件的引线框架的有效结合，并且有效地减少模塑料溢料的形成。本技术解决技术问题所采用的方案是一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，包括一模塑料，所述模塑料包覆一半导体芯片的引线框架，所述引线框架包括一芯片部，所述芯片部两侧下方分别设有一向内延伸的斜面，所述斜面的下端向下延伸至所述芯片部底面形成与所述芯片部底面垂直的垂直面，所述模塑料扣设于所述斜面上。进一步的，所述芯片部顶面还焊设有一芯片，所述芯片外侧包覆有所述模塑料。进一步的，所述引线框架还包括若干个管脚部，所述相邻管脚部之间设有一纵向通槽，所述模塑料穿设于所述纵向通槽。进一步的，所述纵向通槽开口间距相等。进一步的，所述引线框架为散热材质。与现有技术相比，本技术有以下有益效果:通过所述斜面加强模塑料与引线框架的紧固力，防止半导体器件的模塑料与引线框架上脱离，同时增大了模塑料与所述引线框架的接触面积，增强了模塑料与所述引线框架的结合力；所述垂直面能够有效地固定模塑料的不规则流动，阻挡模塑料溢料的扩大和形成。【附图说明】下面结合附图对本技术专利进一步说明。图1为本技术实施例的仰视图。图2为图1中A-A剖视图。图中:1-模塑料；2_芯片部；3_管脚部；4-芯片；5-斜面；6_垂直面；7_纵向通槽。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】对本技术进一步说明。如图1所示，本实施例的一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，包括一模塑料1，所述模塑料I包覆一半导体芯片的引线框架，所述引线框架包括一芯片部2，所述芯片部2两侧下方分别设有一向内延伸的斜面5，所述斜面5的下端向下延伸至所述芯片部2底面形成与所述芯片部2底面垂直的垂直面6，所述模塑料扣设于所述斜面5上。从上述可知，本技术的有益效果在于:通过所述斜面5加强模塑料I与引线框架的紧固力，防止半导体器件的模塑料I与引线框架上脱离，同时所述斜面5增大了模塑料I与所述引线框架的接触面积，增强了模塑料I与所述引线框架的结合力；所述垂直面6能够有效地固定模塑料I的不规则流动，阻挡模塑料I溢料的扩大和形成。在本实施例中，所述芯片部2顶面还焊设有一芯片4，所述芯片4外侧包覆有所述模塑料I。将芯片4焊设与所述芯片部2的顶部，能有效地防止外侧应力传递到芯片4上，提高了半导体器件产品的合格率。在本实施例中，所述引线框架还包括若干个管脚部3，所述相邻管脚部3之间设有一纵向通槽7，所述模塑料I穿设于所述纵向通槽7。通过所述纵向通槽7能更好的使所述模塑料I与管脚部3之间的结合，防止其轻易的脱落。在本实施例中，所述纵向通槽7开口间距相等。所述纵向通槽7开口间距可以相等也可以不相等，或者相等的纵向通槽7和不相等的纵向通槽7交错设置。在本实施例中，所述引线框架为散热材质。通过具有散热材质的引线框架能够有效的防止芯片4发热对引线框架造成破坏。综上所述，本技术提供的一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件能够加强模塑料和引线框架的紧固力，防止半导体器件的模塑料与引线框架上脱离，同时，也能有效地防止外侧应力传递到芯片上，并且能有效地减少模塑料溢料的形成，提高了半导体器件产品的合格率，有效降低了企业的生产成本，提升了半导体器件产品的可靠性。上列较佳实施例，对本技术的目的、技术方案和优点进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，其特征在于:包括一模塑料，所述模塑料包覆一半导体芯片的引线框架，所述引线框架包括一芯片部，所述芯片部两侧下方分别设有一向内延伸的斜面，所述斜面的下端向下延伸至所述芯片部底面形成与所述芯片部底面垂直的垂直面，所述模塑料扣设于所述斜面上。2.根据权利要求1所述的具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，其特征在于:所述芯片部顶面还焊设有一芯片，所述芯片外侧包覆有所述模塑料。3.根据权利要求1所述的具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，其特征在于:所述引线框架还包括若干个管脚部，所述相邻管脚部之间分别设有一纵向通槽，所述模塑料穿设于所述纵向通槽。4.根据权利要求3所述的具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，其特征在于:所述纵向通槽开口间距相等。5.根据权利要求1所述的具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，其特征在于:所述引线框架为散热材质。【专利摘要】本技术涉及一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，包括一模塑料，所述模塑料包覆一半导体芯片的引线框架，所述引线框架包括一芯片部，所述芯片部两侧下方分别设有一向内延伸的斜面，所述斜面的下端向下延伸至所述芯片部底面形成与所述芯片部底面垂直的垂直面，所述模塑料扣设于所述斜面上。通过所述斜面加强模塑料与引线框架的紧固力，防止半导体器件的模塑料与引线框架上脱离；所述垂直面能够有效地固定模塑料的不规则流动，阻挡模塑料溢料的扩大和形成。【IPC分类】H01L23-495, H01L23-31【公开号】CN204348712【申请号】CN201420861127【专利技术人】刘坚 【申请人】福建合顺微电子有限公司【公开日】2015年5月20日【申请日】2014年12月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有模塑料锁定与溢料阻挡面引线框架的半导体器件，其特征在于：包括一模塑料，所述模塑料包覆一半导体芯片的引线框架，所述引线框架包括一芯片部，所述芯片部两侧下方分别设有一向内延伸的斜面，所述斜面的下端向下延伸至所述芯片部底面形成与所述芯片部底面垂直的垂直面，所述模塑料扣设于所述斜面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘坚，
申请(专利权)人：福建合顺微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35