新型功率半导体器件制造技术

技术编号:4374627 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种新型功率半导体器件,包括引线框架,焊接在引线框架上的晶体管和集成电路芯片,以及包覆在晶体管和集成电路芯片及引线框架两侧端的塑胶罩,其特征在于:所述塑胶体底侧设置有若干条热变形缓冲缝道,该产品可有效解决由于热应力产生的塑封体引起的芯片损坏的问题。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型功率半导体器件
技术介绍
在电力电子
当中,常利用功率半导体器件对交、直流电源加以转换与控 制,以达到各种需求,功率半导体从整体结构上说基本由以硅(或锗)为本质材料所制成的 晶体层为主体,并由晶体层向外延伸必要的电气引脚,利用电气引脚构成整体功率半导体 与电气电路的连接。当功率半导体实际运作时会产生高温,此时功率半导体器件由紧定螺钉锁紧,在 高温的作用下塑胶体会向外膨胀,产生向中间挤压的热应力,由热应力产生的机械应力会 对中心的芯片产生不良影响,严重时还会造成半导体器件的损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型半导体,该产品可有效解决由于热应力产生 的塑封体引起的芯片损坏的问题。本技术的技术方案在于一种新型功率半导体器件,包括引线框架,焊接在引 线框架上的晶体管和集成电路芯片,以及包覆在晶体管和集成电路芯片及引线框架两侧端 的塑胶体,其特征在于所述塑胶体上设置有若干条热变形缓冲缝道。本技术的优点在于结构简单,易于加工制造,通过对塑封体的外形做适当的 变化,即可达到防止由塑封体变形引起的芯片挤压损坏问题,。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为图1的俯视图。具体实施方式本技术包括引线框架1,焊接在引线框架上的晶体管和集成电路芯片2,以及 包覆在晶体管和集成电路芯片及引线框架两侧端的塑胶罩3,其特征在于所述塑胶体上 设置有若干条热变形缓冲缝道4,所述塑胶体上设有引脚伸出端5,两侧分别设有紧定螺钉 通孔6。为了达到最佳的使用效果,本技术所述的热变形缓冲缝道可开设于功率半导 体的上表面,于上表面的两侧分别开设一条缝道,以达到均勻平衡由应力引起的变形的目 的。当功率半导体在工作时,芯片温度将升高和下降,会发生热胀冷缩效应,引起塑胶 体膨胀和收缩,由于紧定螺钉的限制,使得塑胶罩只能向上拱起变形,此时由于热变形缓冲 缝道的存在,使得塑胶体有了一定的膨胀和收缩空间,不至于产生挤压芯片的情况。 以上所述仅为本技术的较佳实施例,凡依本技术申请专利范围所做的均 等变化与修饰,皆应属本技术的涵盖范围。权利要求一种新型功率半导体器件,包括引线框架,焊接在引线框架上的晶体管和集成电路芯片,以及包覆在晶体管和集成电路芯片及引线框架两侧端的塑胶体,其特征在于所述塑胶体上设置有若干条热变形缓冲缝道。2.根据权利要求1所述的新型功率半导体器件,其特征在于所述塑胶体上设有引脚 伸出端,两侧分别设有紧定螺钉通孔。专利摘要本技术涉及一种新型功率半导体器件,包括引线框架,焊接在引线框架上的晶体管和集成电路芯片,以及包覆在晶体管和集成电路芯片及引线框架两侧端的塑胶罩,其特征在于所述塑胶体底侧设置有若干条热变形缓冲缝道,该产品可有效解决由于热应力产生的塑封体引起的芯片损坏的问题。文档编号H01L23/31GK201655801SQ20092031939公开日2010年11月24日 申请日期2010年7月6日 优先权日2010年7月6日专利技术者刘坚, 高耿辉 申请人:福建合顺微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型功率半导体器件,包括引线框架,焊接在引线框架上的晶体管和集成电路芯片,以及包覆在晶体管和集成电路芯片及引线框架两侧端的塑胶体,其特征在于:所述塑胶体上设置有若干条热变形缓冲缝道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高耿辉刘坚
申请(专利权)人:福建合顺微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:35[]

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