一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法技术

本发明专利技术提供一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法，在生长浓度稳定的掺Si氮化镓层之后生长的第一掺Si的AlGaN层与非掺杂GaN层以及第二掺Si氮化镓层，会在非掺杂GaN内形成二维电子气，从而有效增加载流子浓度和迁移率，并且二维电子气结构能有效增强载流子的横向扩展能力，能扩展流入多量子阱层的电流分布面积，有效提高发光均匀性，从而提升LED整体发光强度。通过此方法使得LED芯片的亮度提高5％。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将衬底在1000～1100℃通过NH3氮化；(2)生长低温缓冲层；(3)生长未掺杂氮化镓层；(4)生长浓度稳定的掺Si氮化镓层；(5)生长第一掺Si的AlGaN层；(6)生长一层非掺杂氮化镓层；(7)生长第二掺Si的AlGaN层；(8)生长高温浅阱多量子阱层；(9)生长低温多量子阱层；(10)升温到700～800℃生长低温p型氮化镓层(11)升温到700～800℃生长p型AlGaN电子阻挡层；(12)升温到900～1000℃生长p型氮化镓；(13)生长p型接触层；(14)降温退火整个外延层，再降至室温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：芦玲，陈明，祝光辉，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32