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本发明提供一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法，在生长浓度稳定的掺Si氮化镓层之后生长的第一掺Si的AlGaN层与非掺杂GaN层以及第二掺Si氮化镓层，会在非掺杂GaN内形成二维电子气，从而有效增加载流子浓度和迁移率，并且二维电子气结...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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