SnO2@PPy内连接纳米片结构材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及SnO2@PPy内连接纳米片结构材料及其制备方法，其为生长在泡沫镍上的SnO2纳米棒表面被聚合物吡咯包覆形成三维内连接结构，其采用下述方法制得，包括有以下步骤：1)将吡咯单体分散在50ml高氯酸锂乙腈溶液中，混合搅拌30-60min；2)以已经生长SnO2纳米棒阵列的泡沫镍为工作电极，以Ag/AgCl为参比电极，以铂电极为对电极进行电沉积700s，电流密度2.5mA/cm2，洗涤即得。本发明专利技术的有益效果是采用恒流计时法沉积聚吡咯的方法制备SnO2@PPy内连接纳米片结构材料。使其成为锂离子电池的潜在应用材料，符合绿色化学的要求，利于市场化推广。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
SnO2@PPy内连接纳米片结构材料，其为生长在泡沫镍上的SnO2纳米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆形成三维内连接结构，其采用下述方法制得，包括有以下步骤：1)将吡咯单体分散在高氯酸锂乙腈溶液中，其中吡咯单体浓度为10‑100mmol·L‑1，高氯酸锂浓度为10‑100mmol·L‑1，混合搅拌30‑60min；2)以已经生长SnO2纳米棒阵列的泡沫镍为工作电极，以Ag/AgCl为参比电极，以铂电极为对电极在CHI760D电化学工作站上进行电沉积700s，电流密度2.5mA/cm2，用去离子水和无水乙醇反复洗涤所得产物，真空干燥即得到SnO2@PPy内连接纳米片结构材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：麦立强，夏睿，张磊，许旺旺，赵康宁，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42