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本发明涉及SnO2@PPy内连接纳米片结构材料及其制备方法，其为生长在泡沫镍上的SnO2纳米棒表面被聚合物吡咯包覆形成三维内连接结构，其采用下述方法制得，包括有以下步骤：1)将吡咯单体分散在50ml高氯酸锂乙腈溶液中，混合搅拌30-60mi...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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