IGBT背面金属化的改善方法技术

本发明专利技术公开了一种IGBT背面金属化的改善方法，包括步骤：在硅衬底的正面完成正面图形工艺；完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；对硅衬底背面进行DHF清洗；形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的背面金属层；进行烤箱烘干工艺。本发明专利技术能形成良好的背面接触，同时能避免产生背面金属的脱落，提高产品的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】
IGBT背面金属化的改善方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种IGBT背面金属化的改善方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT，InsulatedGateBipolarTransistor)，是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)即耐高电压、大电流的双极结型晶体管的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。对于IGBT工艺来讲，能够形成良好的背面金属接触对降低导通电压非常重要。尤其是在新型的场中止(FieldStop，FS)型IGBT产品上，由于背面注入浓度低，如果背金不良，会导致接触电阻过大的问题。如图1所示，现有IGBT的结构示意图；IGBT的正面图形工艺包括元胞区和耐压保护区，耐压保护区围绕在元胞区的周侧。所述元胞区形成有IGBT的单元结构，所述IGBT的单元结构包括：P阱104，P阱104形成在衬底101的正面。多晶硅栅102，所述多晶硅栅102和所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底的正面完成正面图形工艺；步骤二、在所述硅衬底背面依次完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；步骤三、采用DHF清洗液对所述硅衬底背面进行DHF清洗，该DHF清洗用于去除所述硅衬底背面的自然氧化层以及在步骤一和二中形成的缺陷，所述DHF清洗的时间参数根据后续形成的背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻来确定，要求保证所述接触电阻满足要求；步骤四、在进行了所述DHF清洗后的所述硅衬底背面形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的所述背面金属层；步骤五、进行烤箱烘干工艺，所述烤箱烘干工艺的温度条件、时间条件和气...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底的正面完成正面图形工艺；步骤二、在所述硅衬底背面依次完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；步骤三、采用DHF清洗液对所述硅衬底背面进行DHF清洗，该DHF清洗用于去除所述硅衬底背面的自然氧化层以及在步骤一和二中形成的缺陷，所述DHF清洗的时间参数根据后续形成的背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻来确定，要求保证所述接触电阻满足要求；步骤四、在进行了所述DHF清洗后的所述硅衬底背面形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的所述背面金属层；步骤五、进行烤箱烘干工艺，所述烤箱烘干工艺的温度条件、时间条件和气氛条件根据所述背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻以及防止所述背面金属层的Ag脱落两个条件来确定；在保证所述接触电阻满足要求的条件下，通过降低所述烤箱烘干工艺的温度、时间或气氛中的氧浓度来防止所述背面金属层的Ag脱落。2.如权利要求1所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：所述DHF清洗液为体积比为1:100的HF和H2O2混合液。3.如权利要求2所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：所述DHF清洗的时间为大于30秒。4.如权利要求1或2或3所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：当通过调节所述DHF清洗的时间使所述接触电阻达到最低值后，所述DHF清洗的时间不再增加以提高清洗效率。5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马彪，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31