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本发明公开了一种IGBT背面金属化的改善方法，包括步骤：在硅衬底的正面完成正面图形工艺；完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；对硅衬底背面进行DHF清洗；形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的背面金属层；进行烤箱烘干工艺。本发明能形...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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