激光退火设备及利用该设备改善硅片表面粗糙度的方法技术

本发明专利技术公开了一种激光退火设备，其光路中除原有的激光器、扩束准直光路元件、匀光器和聚焦镜头等常规光学组件外，还在扩束准直光路元件和匀光器之间安装了一片以上偏振光片。本发明专利技术还公开了利用上述激光退火设备改善硅片表面粗糙度的方法，该方法在激光器输出能量达到1.0J/cm2以上、硅片表面温度达到1400℃以上后，用偏振激光照射硅片表面，使硅片表面形成条纹状的起伏。本发明专利技术通过在激光退火设备原有的光路里增加一组偏振光学镜片，形成固定方向的偏振光，利用激光退火的高温特性，在退火的同时，在硅片上形成一定起伏的条纹，从而在不增加设备和工艺步骤的条件下，提高了硅片表面的粗糙度和吸附溅镀金属的牢固度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种激光退火设备，光路中包括有激光器、扩束准直光路元件、匀光器和聚焦镜头，其特征在于，该激光退火设备的光路中，在扩束准直光路元件和匀光器之间还安装有一片以上的偏振光片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇锋，郑刚，刘国淦，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31