聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板制造技术

技术编号:11349330 阅读:133 留言:0更新日期:2015-04-24 06:04
本实用新型专利技术提供了一种聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板,包括用聚酰亚胺泡沫为基材制成的基板和涂覆在该基板上的ITO(氧化铟锡)薄膜层;所述ITO薄膜层上印有电路图形并在其上直接以ITO材料设置方阻图形。采用本实用新型专利技术的技术方案,由于ITO材料和聚酰亚胺泡沫都具有良好的屏蔽性能,大大增强了天线的吸波功能;同时ITO薄膜层上直接设置方阻图形,从而不需要焊接电阻元件,保证了方阻的一致性和稳定性,大大提升天线的性能。

【技术实现步骤摘要】
聚酰亚胺泡沬基材ITO电路板
本技术涉及印制电路板
,尤其涉及一种以聚酰亚胺泡沫为基材的ITO(氧化铟锡)电路板。
技术介绍
在机载雷达装置、相控阵系统、遥感卫星等上应用的大型印制电路馈电板、微带天线和天线阵等,需要印制板面积很大,经常有几个平方米,甚至于十几个平方米,同时在这些天线电路中需要使用大量电阻元件。现有技术通常采用传统覆铜板,即在环氧玻纤布基板表面设置一层铜箔作为导电层;而电阻元件为现成或特制的电阻类产品,以焊接方式设置在覆铜板的电路层。由于现有技术的覆铜板屏蔽性能较差,在微带天线和高频天线的应用上受到很大的限制。同时现有技术中电阻类产品的一致性和稳定性存在无法得到保证,从而大大影响了天线的性能。 传统环氧玻纤布基板的温度稳定性和吸波性能不佳,使其在雷达、航空、卫星等领域的应用受到很大限制。 故,针对目前现有技术中存在的上述缺陷,实有必要进行研宄,以提供一种方案,解决现有技术中存在的缺陷。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺陷,本技术提供了一种具有良好吸波性能的聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板,以解决上述问题。 为解决现有技术存在的问题,本技术的技术方案为: 一种聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板,包括基层及ITO(氧化铟锡)薄膜层,其中,所述基层为采用聚酰亚胺泡沫为基材制成的基板;所述ITO薄膜层涂覆在所述基层上,所述ITO薄膜层上形成有电路图形,并且所述ITO薄膜层还在所述电路图形中对应电阻图形形成有电阻。 优选地,所述电阻的材质为ITO材料。 优选地,所述ITO薄膜层在所述电路图形中对应的电阻图形通过蚀刻工艺形成所述电阻。 优选地,所述ITO薄膜层在所述电路图形中对应的电阻图形通过溅射工艺形成所述电阻。 优选地,所述ITO薄膜层通过溅射工艺形成在所述基层上。 与现有技术相比,采用本技术的上述方案,由于ITO材料和聚酰亚胺泡沫都具有良好的屏蔽性能,大大增强了天线的吸波功能;同时ITO薄膜层上直接设置方阻图形,从而不需要焊接电阻元件,保证了方阻的一致性和稳定性,大大提升天线的性能。 【附图说明】 图1是本技术聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板的剖面图。 【具体实施方式】 为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。 相反,本技术涵盖任何由权利要求定义的在本技术的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步,为了使公众对本技术有更好的了解,在下文对本技术的细节描述中,详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本技术。 参见图1,所示为本技术聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板的剖面图,包括基层I及ITO(氧化铟锡)薄膜层2,其中,所述基层I为采用聚酰亚胺泡沫为基材制成的基板;所述ITO薄膜层2涂覆在所述基层I上,所述ITO薄膜层2上形成有电路图形,并且所述ITO薄膜层还在所述电路图形中对应电阻图形形成有电阻3。 在一种优选的实施方式中,对应电阻图形所形成的电阻3直接由薄膜层的材质ITO材料形成。 所述ITO薄膜层在所述电路图形中对应的电阻图形通过蚀刻或溅射工艺形成所述电阻3。 薄膜层2的材料ITO(氧化铟锡)具有电学传导和光学透明的特性,同时具有良好的屏蔽性能,作为EMI屏蔽的透明传导镀膜应用广泛。聚酰亚胺泡沫材料是一种既耐高温又耐低温的材料,同时具有突出的透波特性,被广泛应用于天线隐身技术的研发。 聚酰亚胺泡沫基材的基层I上以溅射工艺涂覆ITO(氧化铟锡)薄膜层2,由于聚酰亚胺泡沫和ITO材料都具有良好的屏蔽性能,其相对于传统覆铜板(环氧玻璃纤维布上设置一层铜箔),具备更优的屏蔽性能,在天线中使用本技术的聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板,能够大大增加天线的吸波功能。 [0021 ] ITO薄膜层2作为导电层,其作用类似于现有技术中的铜箔层。通过光刻胶掩膜蚀刻工艺可将电路图形印制在ITO薄膜层2上。由于ITO材料的电阻率远大于铜等金属,故可以在ITO薄膜层2上直接设置方阻3,。即在电路图形的电阻元件位置,根据其阻值的大小在制备时沉积与其阻值相对应的方阻图形,实际方阻图形可以根据ITO材料的电阻率计算得出。在ITO薄膜层2上直接形成方阻3,大大提升了方阻的一致性和稳定性,同时不需要焊接电阻元件,大大提升天线的性能。 以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板,其特征在于:包括基层及ITO薄膜层,其中,所述ITO薄膜层由氧化铟锡材料制成,所述基层为采用聚酰亚胺泡沫为基材制成的基板;所述ITO薄膜层涂覆在所述基层上,所述ITO薄膜层上形成有电路图形,并且所述ITO薄膜层还在所述电路图形中对应电阻图形形成有电阻。

【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板,其特征在于:包括基层及ITO薄膜层,其中,所述ITO薄膜层由氧化铟锡材料制成,所述基层为采用聚酰亚胺泡沫为基材制成的基板;所述ITO薄膜层涂覆在所述基层上,所述ITO薄膜层上形成有电路图形,并且所述ITO薄膜层还在所述电路图形中对应电阻图形形成有电阻。2.如权利要求1所述的聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板,其特征在于:所述电阻的材质为ITO材料。...

【专利技术属性】
技术研发人员:金壬海
申请(专利权)人:浙江九通电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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