具有横向导通电路的封装基材制造技术

本发明专利技术公开了一种具有横向导通电路的封装基材，包括第一电路重新分配层、第二电路重新分配层和横向导通电路，第一电路重新分配层依据第一设计准则制作完成，具有第一重新分配电路；第一重新分配电路包括第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二电路重新分配层依据第二设计准则制作完成，具有第二重新分配电路；第二重新分配电路包括第二左边重新分配电路以及第二右边重新分配电路；横向导通电路依据第一设计准则制作完成，设置于第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路之间；横向导通电路电性耦合至第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二设计准则具有比第一设计准则低的电路密度。

Packaging substrate with laterally conducting circuit

The invention discloses a package substrate having a lateral conduction circuit includes a first circuit, second circuit redistribution layer, redistribution layer and lateral conduction circuit, a first circuit re distribution layer according to the first design guidelines produced with the first redistribution circuit; the first redistribution circuit includes a first circuit and a first left redistribution right re distribution circuit; the second circuit re distribution layer on the basis of the second design criteria is finished, the second redistribution circuit; second redistribution circuit includes second side re distribution circuit and second right re distribution circuit; lateral conduction circuit according to the design criteria first produced, arranged on the first side re distribution circuit and first right re distribution circuit between; transverse conduction circuit is electrically coupled to the first left redistribution The second design criterion has a circuit density lower than the first design criterion.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多芯片封装用的封装基材；特别是一种具有提供多芯片封装之芯片与芯片之间的横向导通电路(lateral communication circuit)的封装基材。
技术介绍
如图1所示，美国专利US 8,901,748 B2公开了一个芯片封装单元10，具有封装基材12；封装基材12埋设有一个桥接单元28，用以桥接上方的芯片14与芯片16。上盖18覆盖于封装基材12和两个芯片14,16的上方，散热鳍片22设置于上盖18上方；桥接单元28上方制作有电路34和金属垫35提供CPU芯片16和内存芯片14之间的电性连接。两个芯片14,16借着焊锡球24与纵向导通金属26电性耦合到外部的电源(图中未显示)。CPU芯片16与内存芯片14借着焊锡球30,32与桥接单元28电性连接；CPU芯片16与内存芯片14借着桥接单元28而互相耦合。这个习知技术的缺点是制作复杂度较高，例如，其中的内埋式桥接单元28，需要在一个单独的制造方法中事先制备完成，然后再埋设于封装基材12内，包含热膨胀系数(CTE)的匹配问题、单元切割、电路对位…等等复杂因素，都需要被考虑，使得整个封装单元10的制作过程非常复杂。
技术实现思路
针对现有技术的上述不足，根据本专利技术的实施例，希望提供一种结构简单，制造过程具有较高的电路密度和更高可靠性的多芯片封装用的封装基材。根据实施例，本专利技术提供的一种封装基材，其创新点在于，包括第一电路重新分配层、第二电路重新分配层和横向导通电路，其中：第一电路重新分配层依据第一设计准则制作完成，具有第一介电层以及埋设于第一介电层中的第一重新分配电路；第一重新分配电路包括第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二电路重新分配层依据第二设计准则制作完成，具有第二介电层以及埋设于第二介电层中的第二重新分配电路；第二重新分配电路包括第二左边重新分配电路以及第二右边重新分配电路；第二左边重新分配电路设置于第一左边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二右边重新分配电路设置于第一右边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第一右边重新分配电路；横向导通电路依据第一设计准则制作完成，设置于第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路之间；横向导通电路电性耦合至第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二设计准则具有比第一设计准则低的电路密度。根据一个实施例，本专利技术前述封装基材中，第二重新分配电路具有比第一重新分配电路较宽的导线宽度、较厚的导线厚度，以及具有比第一重新分配电路以及横向导通电路低的电路密度。根据一个实施例，本专利技术前述封装基材中，还包括至少两个芯片，第一芯片设置于第一左边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二芯片设置于第一右边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一右边重新分配电路。根据一个实施例，本专利技术前述封装基材中，还包括由金属、玻璃、陶瓷或是硅所制成的支撑框架，该支撑框架设置于第一电路重新分配层上方；支撑框架整体设置于第一电路重新分配层以及第二电路重新分配层的上方。根据一个实施例，本专利技术前述封装基材中，还包括由金属、玻璃、陶瓷或是硅所制成的支撑框架，该支撑框架至少部份埋设于第一电路重新分配层的介电层中以及第二电路重新分配层的介电层中。根据一个实施例，本专利技术前述封装基材中，还包括至少两个芯片，第一芯片设置于第一左边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二芯片设置于第一右边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一右边重新分配电路；支撑框架环绕两个芯片的外围，且在厚度方向上，不会与第一电路重新分配层以及第二电路重新分配层相重迭。根据一个实施例，本专利技术前述封装基材中，还包括至少两个芯片，第一芯片设置于第一左边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二芯片设置于第一右边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一右边重新分配电路；支撑框架至少环绕所述之第一重新分配电路的外围；支撑框架整体设置于所述之两个芯片的下方。根据一个实施例，本专利技术前述封装基材中，还包括第三电路重新分配层，该第三电路重新分配层依据第三设计准则制作完成，具有第三介电层以及埋设于第三介电层中的第三重新分配电路；第三重新分配电路包括第三左边重新分配电路以及第三右边重新分配电路；第三左边重新分配电路设置于第二左边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第二左边重新分配电路；第三右边重新分配电路设置于第二右边重新分配电路的底部，并且电性耦合至所述之第二右边重新分配电路；第三设计准则具有比第二设计准则低的电路密度。相对于现有技术，本专利技术提供的一种多芯片封装的简化芯片之间的互相电性耦合的结构，提供一种更可靠的封装基材，其中的横向导通电路设置于封装基材上方，提供设置于上方的芯片与芯片之间的最短导通电路路径。附图说明图1是习知技术之芯片封装单元的结构示意图。图2为本专利技术的第一实施例的结构示意图。图3为使用图2的封装基材的多芯片封装的结构示意图。图4A～4B为图2的第一修饰实施例的结构示意图。图5A～5B为图2的第二修饰实施例的结构示意图。图6为本专利技术的第二实施例的结构示意图。图7为使用图6的封装基材的多芯片封装的结构示意图。图8A～8B为图7的第一修饰实施例的结构示意图。图9A～图9B为图7的第二修饰实施例的结构示意图。图10A～10B为图4B或图8B的顶视图。其中：10T为第一上层金属垫；1B为第一下层金属垫；1T为第一上层金属垫；20T为第二上层金属垫；2B为第二下层金属垫；2T为第二上层金属垫；30T为第三上层金属垫；501、502为横向导通电路；503为顶部金属垫；51为第一左边重新分配电路；511为第一右边重新分布电路；52为第二左边重新分配电路；522为第二右边重新分配电路；541、542为芯片；543为底部填充材料；544为封装胶体；56为支撑框架；601、602为横向导通电路；61为第一左边重新分配电路；611为第一右边重新分布电路；62为第二左边重新分配电路；622为第二右边重新分配电路；63为第三左边重新分配电路；633为第三右边重新分配电路；641、642为芯片；643为底部填充材料；644为封装材料；66为支撑框架；D1为第一介电层；D10为第一介电层；D2为第二介电层；D20为第二介电层；D30为第三介电层；RDL1为第一电路重新分配层；RDL10为第一电路重新分配层；RDL2为第二电路重新分配层；RDL20为第二电路重新分配层；RDL30为第三电路重新分配层。具体实施方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐述本专利技术。这些实施例应理解为仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的保护范围。在阅读了本专利技术记载的内容之后，本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等效变化和修改同样落入本专利技术权利要求所限定的范围。图2显示本专利技术的第一实施例。图2显示一种多芯片封装用的封装基材。本实施例包含有两个电路重新分配层，其中，第一电路重新分配层RDL1是依据第一设计准则所制成，例如集成电路(IC)的设计准则(design rule)，即是以具有相对较细的电路、较高密度的技术所构建而成。第一电路重新分配层RDL1具有埋设于第一介电层D1中的第一重新分配电路(redistributi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有横向导通电路的封装基材，其特征是，包括第一电路重新分配层、第二电路重新分配层和横向导通电路，其中：第一电路重新分配层依据第一设计准则制作完成，具有第一介电层以及埋设于第一介电层中的第一重新分配电路；第一重新分配电路包括第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二电路重新分配层依据第二设计准则制作完成，具有第二介电层以及埋设于第二介电层中的第二重新分配电路；第二重新分配电路包括第二左边重新分配电路以及第二右边重新分配电路；第二左边重新分配电路设置于第一左边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二右边重新分配电路设置于第一右边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第一右边重新分配电路；横向导通电路依据第一设计准则制作完成，设置于第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路之间；横向导通电路电性耦合至第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二设计准则具有比第一设计准则低的电路密度。

【技术特征摘要】
2015.09.21 US 14/859,4641.一种具有横向导通电路的封装基材，其特征是，包括第一电路重新分配层、第二电路重新分配层和横向导通电路，其中：第一电路重新分配层依据第一设计准则制作完成，具有第一介电层以及埋设于第一介电层中的第一重新分配电路；第一重新分配电路包括第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二电路重新分配层依据第二设计准则制作完成，具有第二介电层以及埋设于第二介电层中的第二重新分配电路；第二重新分配电路包括第二左边重新分配电路以及第二右边重新分配电路；第二左边重新分配电路设置于第一左边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二右边重新分配电路设置于第一右边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第一右边重新分配电路；横向导通电路依据第一设计准则制作完成，设置于第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路之间；横向导通电路电性耦合至第一左边重新分配电路以及第一右边重新分配电路；第二设计准则具有比第一设计准则低的电路密度。2.如权利要求1所述的具有横向导通电路的封装基材，其特征是，第二重新分配电路具有较宽的导线宽度、较厚的导线厚度，以及具有比第一重新分配电路以及横向导通电路低的电路密度。3.如权利要求1所述的具有横向导通电路的封装基材，其特征是，还包括至少两个芯片，第一芯片设置于第一左边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二芯片设置于第一右边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一右边重新分配电路。4.如权利要求1所述的具有横向导通电路的封装基材，其特征是，还包括由金属、玻璃、陶瓷或是硅所制成的支撑框架，该支撑框架设置于第一电路重新分配层上方；支撑框架整体设置于第一电路重新分配层以及第二电路重新分配层的上方。5.如权利要求1所述的具有横向导通电路的封装基材，其特征是，还包括由金属、玻璃、陶瓷或是硅所制成的支撑框架，该支撑框架至少部份埋设于第一电路重新分配层的介电层中以及第二电路重新分配层的介电层中。6.如权利要求4所述的具有横向导通电路的封装基材，其特征是，还包括至少两个芯片，第一芯片设置于第一左边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二芯片设置于第一右边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一右边重新分配电路；支撑框架环绕两个芯片，且在厚度方向上，不会与第一电路重新分配层以及第二电路重新分配层相重迭。7.如权利要求5所述的具有横向导通电路的封装基材，其特征是，还包括至少两个芯片，第一芯片设置于第一左边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一左边重新分配电路；第二芯片设置于第一右边重新分配电路的顶面，并且电性耦合至第一右边重新分配电路；支撑框架环绕所述之第一重新分配电路的外围；支撑框架整体设置于所述之两个芯片的下方。8.如权利要求1所述的具有横向导通电路的封装基材，其特征是，还包括第三电路重新分配层，该第三电路重新分配层依据第三设计准则制作完成，具有第三介电层以及埋设于第三介电层中的第三重新分配电路；第三重新分配电路包括第三左边重新分配电路以及第三右边重新分配电路；第三左边重新分配电路设置于第二左边重新分配电路的底部，并且电性耦合至第二左边重新分配电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪群，
申请(专利权)人：胡迪群，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71