一种OLED及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED及其制作方法，该制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围器件区的走线区；在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在Cu层表面的CuNi合金保护层；对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极。本发明专利技术技术方案能够降低器件功耗，简化OLED走线结构。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED及其制作方法
本专利技术涉及半导体发光器件领域，更具体的说，涉及一种OLED及其制作方法。
技术介绍
在显示技术中，有机电致发光二极管(OLED)因具有更薄、更轻、耐低温、响应速度快的优势而备受人们的高度关注，不仅如此，OLED显示屏还不受外形限制，可弯曲任意形状，成本低廉，在显示器市场更具有竞争力，而且一直处于上升趋势。其中，被动式有机电致发光二极管(PM-OLED)主要采用行扫描方式工作，制作工艺相对较为简单，在小尺寸、低分辨率的点矩阵显示屏中应用广泛。PM-OLED的电阻主要包括器件的电阻和走线的电阻，由于PM-OLED器件具有二极管特性，即器件的电阻随着外部电压的上升而减小，因此，对于在较高电压下工作的PM-OLED来说，要想降低功耗，走线的电阻就显得尤为重要。如果PM-OLED的驱动电路仅采用氧化铟锡(ITO)做走线，由于ITO的面电阻较大，导致走线的电阻较大，从而增加了OLED器件的功耗。现有技术中MoAlMo(钼铝钼)的走线结构虽然能够在一定程度上降低功耗，但是走线的电阻率仍然较大，且走线结构复杂。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种OLED及其制作方法，降低了OLED器件的功耗，实现同步刻蚀，不会造成侧蚀，降低工艺难度，简化工艺流程。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED的制作方法，该OLED的制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层；对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极。优选的，在上述OLED的制作方法中，所述在所述走线区形成走线层包括：在所述走线区形成厚度范围为的所述Cu导电层，所述范围包括端点值；在所述Cu导电层表面形成厚度为的所述CuNi合金保护层，所述范围包括端点值。优选的，在上述OLED的制作方法中，所述对所述走线层进行刻蚀包括：在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层；利用刻蚀液对所述走线层进行刻蚀，所述刻蚀液为去离子水、双氧水以及冰乙酸的混合液，其体积比为300:16:9；剥离所述掩膜层。优选的，在上述OLED的制作方法中，在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层包括：利用显影液在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层，所述显影液为氢氧化钠溶液，其浓度为0.5％-0.7％，包括端点值。优选的，在上述OLED的制作方法中，所述剥离所述掩膜层包括：利用剥离液对所述掩膜层进行剥离，所述剥离液为氢氧化钠溶液，其浓度为5％-7％，包括端点值。优选的，在上述OLED的制作方法中，所述ITO的厚度范围为包括端点值。优选的，在上述OLED的制作方法中，所述第二电极为反射式电极。本专利技术还提供一种OLED，其特征在于，包括：透明基板，包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；设置在所述器件区的OLED结构，包括：位于所述器件区的第一电极、位于所述第一电极表面的有机发光功能层以及位于所述有机发光功能层表面的第二电极，所述第一电极材料为ITO；设置在所述走线区的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接，所述走线包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层。优选的，在上述OLED中，所述Cu导电层的厚度为包括端点值；所述CuNi合金保护层的厚度为包括端点值。本专利技术提供的OLED的制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围器件区的走线区；在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在Cu层表面的CuNi合金保护层；对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极。目前，在传统的制作OLED的过程中，使用三层结构的辅助金属MoAlMo作为走线，由于金属Al与ITO接触电阻较大，通过使用金属Mo作为缓冲层，来降低Al与ITO之间的接触电阻。本专利技术中提供的Cu导电层的导电性能比Al好，能够降低器件功耗，而且其与ITO的接触电阻比Al与ITO之间的接触电阻更小，所以无需增加金属Mo来降低接触电阻，在结构上去掉了传统制作OLED技术中用来降低Cu导电层与ITO层接触电阻的缓冲层，简化走线结构。且采用CuNi合金保护层，其与Cu导电层的刻蚀速度相近，可以实现同步刻蚀。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中常见的一种MoAlMo走线的侧视图；图2为本专利技术实施例提供的一种OLED制作方法流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种OLED走线层的侧视图；图4为本专利技术实施例提供的一种OLED基板的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的一种OLED走线的侧视图；图6为本专利技术实施例提供的一种设置在器件区的OLED结构的侧视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1，传统的PM-OLED通常选用辅助金属MoAlMo来制作走线。首先在玻璃基板101的表面形成一定厚度的导电金属ITO102，之后在导电金属ITO102的表面依次形成一层金属Mo层103、金属Al层104和金属Mo层105，形成以金属Al层104为中间层的三明治结构，其中，起主要导电作用的是金属Al层104，底层的金属Mo层103作为缓冲层，起到降低金属Al层104和ITO102之间的接触电阻的作用，顶层的金属Mo层105作为保护层，制作过程中防止金属Al层104被氧化和腐蚀。然而，由于辅助金属MoAlMo的面电阻过高，导致器件的功耗较大，由于Al与ITO接触电阻较大，必须使用Mo做缓冲层来降低接触电阻，导致走线结构复杂。为解决上述问题，本申请实施例提供了一种OLED的制作方法，参考图2，图2为本专利技术实施例提供的一种OLED制作方法流程图，所述流程图包括：步骤S1：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围器件区的走线区。所述透明基板可以为透明玻璃基板，当OLED发光时，用于透光。步骤S2：在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极。可以通过化学气相沉积或者真空镀膜等方式在所述器件区形成厚度范围为的ITO层，包括端点值，具有较好的导电作用，通过位于器件区的ITO层进行刻蚀形成第一电极。步骤S3：参考图3，在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层301以及覆盖于Cu导电层301表面的CuNi合金保护层302。为了保证走线与第一电极通过搭接实现电连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED的制作方法，其特征在于，包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层；对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED的制作方法，其特征在于，包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层；对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极；其中，所述对所述走线层进行刻蚀包括：在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层；利用刻蚀液对所述走线层进行刻蚀，所述刻蚀液为去离子水、双氧水以及冰乙酸的混合液，其体积比为300:16:9；剥离所述掩膜层。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述走线区形成走...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶雁祥，谢志生，徐永尊，丁涛，周晓峰，苏君海，柯贤军，何基强，李建华，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44