用于非易失性存储器的耐久性感知纠错码（ECC）保护制造技术

本发明专利技术的实施例涉及用于存储器（例如，相变存储器）的耐久性感知ECC保护。根据一个实施例，方法包括计算对于数据位的第一元数据和对于ECC位（其保护数据位和第一元数据）的第二元数据。实施例可以包括一个或多个第一元数据位（对于数据位）以及一个或多个第二元数据位（对于ECC位）。额外的ECC保护级别保护第二元数据。在一个实施例中，应用于数据位和ECC位的损耗减少修改是不同的，并且可以对位的行为来定制。根据一个实施例，本文描述的耐久性感知ECC保护减少由于对存储器的访问而造成的损耗同时解决损耗减少机制对错误检测和纠正系统引入的复杂性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】
技术介绍
存储器由于许多原因而在操作期间经历错误。存在纠错码(ECC)方案来处理在存储器中出现的错误并且提高短期可靠性(例如，单错纠正和双错检测(SECDED)方案)。一些非易失性存储器具有有限的写周期。具有有限写周期的一些非易失性存储器能够采用仅在写操作期间改变它们的值的位被写回并且对特定写未改变它们的值的位保持不被触及(并且从而，写操作对那些位不造成进一步损耗)这样的方式执行写。一些系统实现损耗减少方案，其可以延长非易失性存储器的寿命(即，延迟非易失性存储器的磨损)。现有的非易失性存储器实现损耗减少但未能考虑对短期可靠性的影响(例如，ECC机制)，或提出错误检测/纠正机制但未能考虑对非易失性存储器的寿命时间的影响。【附图说明】下列描述包括对附图的论述，附图具有通过本专利技术的实施例的实现的示例的方式而给出的说明。附图应通过示例而非限制的方式来理解。如本文使用的，对一个或多个“实施例”的引用要理解为描述在本专利技术的至少一个实现中包括的特定特征、结构或特性。从而，在本文出现的例如“在一个实施例中”或“在备选实施例中”等短语描述本专利技术的各种实施例和实现，并且不一定全部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括：计算对于移位的数据位和元数据位的纠错码（ECC）位，所述元数据位指示对要写入非易失性存储器的数据位的移位；计算对于第二元数据位的第二ECC位，所述第二元数据位指示所述ECC位的倒置；以及将移位的数据位、所述元数据位、倒置的ECC位、所述第二元数据位和所述第二ECC位存储在所述非易失性存储器中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S奥斯德米尔，Q蔡，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US