一种优化光学临近修正拟合结果的方法技术

本发明专利技术涉及一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式（I）计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；其中，所述Wi为所述图案特征关键尺寸的权重，CDi（模拟）为模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CDi（测量）为实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。本发明专利技术方法考虑到不同关键尺寸CD的大小对所述拟合误差的影响，以保证关键尺寸小的特征的模拟（simulation）结果更加接近物理晶圆上测量的真实结果，使OPC的最终结果更加准确和合理。

【技术实现步骤摘要】
一种优化光学临近修正拟合结果的方法
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种优化光学临近修正拟合结果的方法。
技术介绍
集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸（criticaldimension，CD），随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。因此，当特征尺寸（featuresize）以及图案密度（patterndensity）到亚微米（sub-micrometerlevel）级别时，对所述掩膜版进行光学临近修正（OpticalProximityCorrection,OPC），所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。通过OPC修正方法来校正所述光学临近效应，OPC修正需要确保模拟结果和晶圆的实际测量结构非常接近，所述模拟结果和实际测量之间的误差，通常称之为拟合误差（fittingerror），如图1所示，图中示出了拟合误差在+/-1.5nm的示意图，所述拟合误差在+/-1.5nm之间认为是可以被接受的，但是对于较小的特征尺寸时，关键特征在50-100nm时，所述拟合误差基本都大于0.6nm，对于该尺寸的器件来说所述误差是不能接受的，因为在较小的器件尺寸下，所述小尺寸的线是非常关键的，对于特征尺寸较大的器件来说，当关键尺寸在200-800nm时，其拟合误差为-1nm，因此，所以这些点应该影响较小的尺寸线的OPC模型的运行。现有技术中虽然可以对全部特征尺寸进行很好的模拟，但是没有考虑不同特征尺寸的图案的实际需求，影响不同特征尺寸的图案的制备精度，从而导致器件良率降低，因此需要对目前OPC中拟合误差做进一步的优化，以解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术提供了一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式（I）计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；其中，所述Wi为所述图案特征关键尺寸的权重，CDi（模拟）为所述模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CDi（测量）为所述实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。作为优选，所述方法包括：步骤（1）根据目标晶圆版图建立光学临近修正模型，选用所述光学临近修正模型进行模拟，并测量不同所述图案特征的关键尺寸，得到CDi（模拟）；步骤（2）根据目标晶圆版图进行晶圆的实际生产，得到所述实际晶圆版图，测量与模拟过程中相对应的所述图案特征的关键尺寸，得到CDi（测量）；步骤（3）选用公式I对所述模拟结果进行评价，以使光学临近修正结果更加合理。作为优选，所述步骤（1）中通过考虑关键尺寸不同的所述图案特征的影响，来建立光学临近修正模型。作为优选，所述步骤（1）中根据关键尺寸的大小按比例来调整其在模型建立中的权重，来建立所述光学临近修正模型。作为优选，所述方法以所述晶圆版图中关键尺寸最小的所述图案特征为标准点。作为优选，在所述步骤（3）之前还进一步包括制定所述光学临近修正的质量标准。作为优选，所述步骤（3）中对所述模拟结果进行评价的方法为：检验所述RMS是否在所述质量标准范围之内，若所述RMS在所述质量标准范围之内，则通过；若所述RMS在所述质量标准范围之外，则需要对光学临近修正模型进行修改，作进一步的模拟，至所述模拟结果符合所述质量标准要求为止。作为优选，所述图案特征为晶圆版图中的各种图案形状。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种优化OPC拟合结果的方法，所述方法通过选用一种新的计算拟合误差数值的方法，所述方法中考虑到不同关键尺寸CD的大小对所述拟合误差的影响，将所述影响计算到所述OPC模型中，以保证关键尺寸小的特征的模拟（simulation）结果更加接近物理晶圆上测量的真实结果，使OPC的最终结果更加准确和合理。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1为现有技术中拟合误差和关键尺寸的曲线示意图；图2为本专利技术的一具体实施方式中所述优化方法的流程示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本专利技术的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。现在，将参照附图更详细地描述根据本专利技术的示例性实施例。然而，这些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本专利技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。本专利技术中为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种优化光学临近修正的拟合误差的方法，包括：（1）以最小设计关键尺寸为标准点（anchorpoint），考虑不同关键尺寸对OPC模型的影响，通过不同关键尺寸的均方根值对OPC模拟效果进行评价，所述均方根值的计算公式如式I：其中，所述Wi为所述关键尺寸的权重，所述CDi（测量）为将OPC后得到的实际物理晶圆的关键尺寸的测量值，CDi（模拟）为OPC过程中模拟的关键尺寸的模拟值。本专利技术中通过所述关键尺寸的均方根值RSM对所述模拟结果进行评价，当所述RSM的值在可以接受的范围内，则可以通过所述质量监测，器件的关键尺寸的模拟值和真实晶圆的测量值更加接近，能获得更好的OPC效果，提高器件的良率。其中，在本专利技术中将所述最小设计关键尺寸为标准点（anchorpoint），在建立OPC模型时降低所述关键尺寸较大的比例，以根据关键尺寸的大小按比例来调整其在模型建立中的权重，以提高对关键尺寸较小的图层或者设计的模拟效果。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式（I）计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；其中，所述Wi为所述图案特征关键尺寸的权重，CDi（模拟）为所述模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CDi（测量）为所述实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。

【技术特征摘要】
1.一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式(I)计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；其中，所述Wi为所述图案特征关键尺寸的权重，CDi(模拟)为所述模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CDi(测量)为所述实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤(1)根据目标晶圆版图建立光学临近修正模型，选用所述光学临近修正模型进行模拟，并测量不同所述图案特征的关键尺寸，得到CDi(模拟)；步骤(2)根据目标晶圆版图进行晶圆的实际生产，得到所述实际晶圆版图，测量与模拟过程中相对应的所述图案特征的关键尺寸，得到CDi(测量)；步骤(3)选用公式I对所述模拟结果进行评价，以使光学临近修正结果更加合理。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒强，王铁柱，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31