提供了一种多层陶瓷电容器及其上安装有该多层陶瓷电容器的板。该多层陶瓷电容器可以包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极和第二内电极，设置在陶瓷主体中；第一外电极和第二外电极，形成为覆盖陶瓷主体的端表面。陶瓷主体可以包括作为电容形成部分的有效层和作为非电容形成部分的覆盖层，覆盖层包括多个虚设电极层。当把陶瓷主体的厚度定义为T，把第一内电极和第二内电极的数量定义为AL，把第一内电极和第二内电极中的每个内电极的厚度定义为AT，把虚设电极层中的每个虚设电极层的厚度定义为DT并把虚设电极层的数量定义为DL时，DL等于{(T×x)-(AL×AT)}/DT，x为9.0％或更大。
【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器及其上安装有该多层陶瓷电容器的板本申请要求于2013年10月8日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0120073号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种多层陶瓷电容器及一种其上安装有该多层陶瓷电容器的板。
技术介绍
随着近来电子产品的小型化趋向，对具有小尺寸和高电容的多层陶瓷电子组件的需求增加。因此，通过各种方法使介电层和内电极变薄并以增加的数量来堆叠介电层和内电极。近来，随着介电层的厚度的减小，已经制造具有增加数量的堆叠层的多层陶瓷电子组件。另外，近来已经制造具有为了介电层的纤薄而利用精细陶瓷粉末形成的介电层的陶瓷电子组件。此外，随着电子组件的小型化和电子组件的电容的增加，覆盖层(非电容形成部)的厚度也减小。同时，由于多层陶瓷电子组件已被用在诸如车辆和医疗器械等的需要高可靠性的应用领域中，所以要求多层陶瓷电子组件具有高可靠性。在确保高可靠性的情况下，可能存在因外部冲击而在组件中产生的诸如裂纹的缺陷和由裂纹的出现引起的设备故障等。对开发用于防止在多层陶瓷电子组件中产生翘曲裂纹的技术和产品的研究一直在进行，但存在限制。具体地讲，为了防止因翘曲裂纹引起短路，已经使用将长度方向上的边缘增大的方法、在安装工艺期间利用引线框架的方法或利用冲击吸收材料制造外电极的方法等。然而，将长度方向上的边缘增大的方法难以应用到高电容多层陶瓷电子组件，将诸如环氧树脂等的高分子材料应用到外电极的方法在确保翘曲强度方面也会有限制。此外，在利用金属引线框架的方法中，会出现高的制造成本，并且安装面积和高度会受到限制。因此，仍然需要对改善弯曲强度特性同时增大抵抗外部冲击的强度的技术进行研究。
技术实现思路
本公开的一方面可以提供一种多层陶瓷电容器及一种其上安装有该多层陶瓷电容器的板。根据本公开的一方面，多层陶瓷电容器可以包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极和第二内电极，彼此面对地设置在陶瓷主体中，其间置有介电层；第一外电极和第二外电极，形成为覆盖陶瓷主体的两个端表面，其中，陶瓷主体包括作为电容形成部分的有效层和作为非电容形成部分的覆盖层，覆盖层形成在有效层的上表面和下表面中的至少一个表面上，覆盖层包括多个虚设电极层，多个虚设电极层包括设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处的中心部分，多个虚设电极层具有预定的长度，当把陶瓷主体的厚度定义为T，把第一内电极和第二内电极的数量定义为AL，把第一内电极和第二内电极中的每个内电极的厚度定义为AT，把虚设电极层中的每个虚设电极层的厚度定义为DT并把堆叠在覆盖层中的虚设电极层的数量定义为DL时，DL等于{(T×x)-(AL×AT)}/DT，x为9.0％或更大。堆叠的虚设电极层的数量DL可以在42至92的范围内。x可以在9.0％至16.2％的范围内。虚设电极层的中心部分可以设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处，虚设电极层可以具有40μm或更长的长度。虚设电极层可以暴露于陶瓷主体的两个端表面。根据本公开的另一方面，多层陶瓷电容器可以包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极和第二内电极，彼此面对地设置在陶瓷主体中，其间置有介电层；第一外电极和第二外电极，形成为覆盖陶瓷主体的两个端表面，其中，陶瓷主体包括作为电容形成部分的有效层和作为非电容形成部分的覆盖层，覆盖层形成在有效层的上表面和下表面中的至少一个表面上，覆盖层包括多个虚设电极层，多个虚设电极层包括设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处的中心部分，多个虚设电极层具有预定的长度，当把堆叠在覆盖层中的虚设电极层的数量定义为DL时，DL在42至92的范围内。虚设电极层的中心部分可以设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处，虚设电极层可以具有40μm或更长的长度。虚设电极层可以暴露于陶瓷主体的两个端表面。当把陶瓷主体的厚度定义为T，把第一内电极和第二内电极的数量定义为AL，把第一内电极和第二内电极中的每个内电极的厚度定义为AT并把虚设电极层中的每个虚设电极层的厚度定义为DT时，DL可以等于{(T×x)-(AL×AT)}/DT，x在9.0％至16.2％的范围内。根据本公开的另一方面，其上安装有多层陶瓷电容器的板可以包括印刷电路板和多层陶瓷电容器，印刷电路板上形成有第一电极焊盘和第二电极焊盘，多层陶瓷电容器安装在印刷电路板上并包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极和第二内电极，彼此面对地设置在陶瓷主体中，其间置有介电层；第一外电极和第二外电极，形成为覆盖陶瓷主体的两个端表面，其中，陶瓷主体包括作为电容形成部分的有效层和作为非电容形成部分的覆盖层，覆盖层形成在有效层的上表面和下表面中的至少一个表面上，覆盖层包括多个虚设电极层，多个虚设电极层包括设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处的中心部分，多个虚设电极层具有预定的长度，当把陶瓷主体的厚度定义为T，把第一内电极和第二内电极的数量定义为AL，把第一内电极和第二内电极中的每个内电极的厚度定义为AT，把虚设电极层中的每个虚设电极层的厚度定义为DT并把堆叠在覆盖层中的虚设电极层的数量定义为DL时，DL等于{(T×x)-(AL×AT)}/DT，x为9.0％或更大。堆叠的虚设电极层的数量DL可以在42至92的范围内。x可以在9.0％至16.2％的范围内。虚设电极层的中心部分可以设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处，虚设电极层可以具有40μm或更长的长度。虚设电极层可以暴露于陶瓷主体的两个端表面。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将会被更清楚地理解，在附图中：图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；图2是沿着图1的线A-A′截取的剖视图；图3是图2的部分S的放大图；以及图4是示出图1的多层陶瓷电容器安装在印刷电路板上的状态的透视图。具体实施方式现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以很多不同的形式来举例说明，并且不应该被解释为局限于在此阐述的具体实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，这些实施例将把本公开的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并将始终使用相同的附图标记来指定相同或相似的元件。将限定六面体的方向以便清楚地描述本公开的示例性实施例。附图中示出的L、W和T分别指六面体的长度方向、宽度方向和厚度方向。这里，厚度方向可以被使用为具有与堆叠介电层所沿的方向相同的概念。此外，在实施例中，为了便于解释，可以将在陶瓷主体的长度方向上的其上形成有第一外电极和第二外电极的陶瓷主体的表面限定为两个端表面，可以将陶瓷主体的与所述两个端表面垂直地连接的表面限定为两个侧表面。图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图。图2是沿着图1的线A-A′截取的剖视图。图3是图2的部分S的放大图。参照图1至图3，根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多层陶瓷电容器，包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极和第二内电极，彼此面对地设置在陶瓷主体中，其间置有介电层；以及第一外电极和第二外电极，形成为覆盖陶瓷主体的两个端表面，其中，陶瓷主体包括作为电容形成部分的有效层和作为非电容形成部分的覆盖层，覆盖层形成在有效层的上表面和下表面中的至少一个表面上，覆盖层包括多个虚设电极层，所述多个虚设电极层包括设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处的中心部分，所述多个虚设电极层具有预定的长度，当把陶瓷主体的厚度定义为T，把第一内电极和第二内电极的数量定义为AL，把第一内电极和第二内电极中的每个内电极的厚度定义为AT，把虚设电极层中的每个虚设电极层的厚度定义为DT并把堆叠在覆盖层中的虚设电极层的数量定义为DL时，DL等于{(T×x)‑(AL×AT)}/DT，x为9.0％或更大。
【技术特征摘要】
2013.10.08 KR 10-2013-01200731.一种多层陶瓷电容器，包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极和第二内电极，彼此面对地设置在陶瓷主体中，其间置有介电层；以及第一外电极和第二外电极，形成为覆盖陶瓷主体的两个端表面，其中，陶瓷主体包括作为电容形成部分的有效层和作为非电容形成部分的覆盖层，覆盖层形成在有效层的上表面和下表面中的至少一个表面上，覆盖层包括多个虚设电极层，所述多个虚设电极层包括设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处的中心部分，所述多个虚设电极层具有预定的长度，当把陶瓷主体的厚度定义为T，把第一内电极和第二内电极的数量定义为AL，把第一内电极和第二内电极中的每个内电极的厚度定义为AT，把虚设电极层中的每个虚设电极层的厚度定义为DT并把堆叠在覆盖层中的虚设电极层的数量定义为DL时，DL等于{(T×x)-(AL×AT)}/DT，其中，x在9.0％至16.2％的范围内。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，堆叠的虚设电极层的数量DL在42至92的范围内。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，虚设电极层的中心部分设置在与形成在陶瓷主体的上表面和下表面上的第一外电极和第二外电极的边缘对应的位置处，虚设电极层具有40μm或更长的长度。4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，虚设电极层暴露于陶瓷主体...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪京杓，金斗永，金昶勋，朴相铉，丁海硕，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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