LED倒装封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种LED倒装封装结构，依次包括有：P型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层；所述LED倒装封装结构包括有一个以上反向蚀刻凹槽；所述LED倒装封装结构还包括有透明荧光填充层，所述透明荧光填充层填充在反向蚀刻凹槽中并覆盖在衬底层外部；制造该LED倒装封装结构时，反向蚀刻精度可以控制在um级别，远大于现在mm级别的精度，这样就能通过更精确的控制荧光粉量从而得到颜色更一致的批量化产品；因此该LED倒装封装结构具有结构简单、封装精度高、出光颜色一致性高、结构可靠的优点，适用于LED照明光源中，光源寿命长。同时，由于透明荧光填充层和LED芯片之间覆盖的钝化层为蒸镀的二氧化硅薄膜层，通过折射率的递减来增加光的萃取。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
LED倒装封装结构
本技术涉及LED芯片封装
，特别是涉及一种LED倒装封装结构。
技术介绍
LED作为第四代照明光源，具有显著的节能和寿命优势。 LED封装是获得优质LED照明光源的一个关键环节，芯片级封装(CSP)为最新一代的芯片封装技术，具有在同等空间下封装面积与芯片面积接近，封装存储容量更高的优势。现有技术的CSP封装，沿着外延片P-N结的生长方向进行蚀刻凹槽，将荧光粉混合硅胶后喷涂在芯片背面，这种喷涂工艺在高温回流焊时非常容易脱落；同时，凹槽蚀刻的精度为mm级，该蚀刻精度不利于填充荧光粉量的精确控制，从而难于保证得到颜色一致的批量化 τ?: 口广PR ο
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种结构简单、封装精度高、出光颜色一致性高、结构可靠、寿命长的适用于LED照明光源的LED倒装封装结构。 本技术是通过以下技术方案来实现的: LED倒装封装结构，其中，依次包括有:Ρ型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层；所述LED倒装封装结构包括有一个以上反向蚀刻凹槽；所述LED倒装封装结构还包括有透明荧光填充层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
LED倒装封装结构，其特征在于，依次包括有：P型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层；所述LED倒装封装结构包括有一个以上反向蚀刻凹槽；所述LED倒装封装结构还包括有透明荧光填充层，所述透明荧光填充层填充在反向蚀刻凹槽中并覆盖在衬底层外部。

【技术特征摘要】
1.LED倒装封装结构，其特征在于，依次包括有:P型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层；所述LED倒装封装结构包括有一个以上反向蚀刻凹槽；所述LED倒装封装结构还包括有透明荧光填充层，所述透明荧光填充层填充在反向蚀刻凹槽中并覆盖在衬底层外部。2.根据权利要求1所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述P型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层组合形成整体采用“凸”字型层状结构的LED芯片单元，一个以上LED芯片单元以线性方式连接组合成LED芯片；所述反向蚀刻凹槽位于相邻LED芯片单元之间。3.根据权利要求2所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述反向蚀刻凹槽的顶端为开口端，与所述衬底层的顶面平齐，所述反向蚀刻凹槽的内底面位于P型半导体层中，多层量子阱发光层和N型半导体层位于所述反向蚀刻凹槽的侧部。4.根据权利要求1或2或3所述的LED倒装封装结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冬雷，邓玉仓，
申请(专利权)人：广东德豪润达电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44