一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法技术

本发明专利技术涉及一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法，在提纯后的硅锭上寻找电阻率跃变点，电阻率跃变点的高度除以硅锭总高度即为硅锭提纯工艺的出成率。此方法采用硅材料测试仪或电阻率测试仪测试硅锭电阻率，通过电阻率跃变点对应的硅锭高度除以硅锭总高度即得出硅锭提纯工艺的出成率。该方法高效便捷，可以随时随地进行检测分析，摆脱了实验室复杂的测试工序，提高了效率，仅需一台简单的硅材料测试仪或电阻率测试仪即可解决问题，对于定向提纯来说是一种行之有效的出成率测试手段。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，在提纯后的硅锭上寻找电阻率跃变点，电阻率跃变点的高度除以硅锭总高度即为硅锭提纯工艺的出成率。此方法采用硅材料测试仪或电阻率测试仪测试硅锭电阻率，通过电阻率跃变点对应的硅锭高度除以硅锭总高度即得出硅锭提纯工艺的出成率。该方法高效便捷，可以随时随地进行检测分析，摆脱了实验室复杂的测试工序，提高了效率，仅需一台简单的硅材料测试仪或电阻率测试仪即可解决问题，对于定向提纯来说是一种行之有效的出成率测试手段。【专利说明】-种测试括锭提纯工艺出成率的方法
本专利技术设及一种快速确定娃锭出成率的方法，具体来说设及一种测试娃锭提纯工 艺出成率的方法。
技术介绍
现有技术通常采用实验室取样送检的方法进行娃锭出成率的测试，具体过程为： 将娃锭对切后，在对切面上沿一侧用银条切出厚度为1cm的娃锭薄板，然后按取样位置标 准，在娃锭薄板上用银条切出中屯、部位及边缘部位的娃锭长条，在娃锭长条上标注高度，并 依次用银条切出lcm*lcm大小的方锭，将方锭进行ICP-MA和ICP-MS检测，每次取约12个 方锭。若长晶形貌特殊，则需要增加娃锭长条的数量，进而会增加测试数量。取样至送检共 计耗时约一天，实验室出结果需耗时约一天。整个测试过程耗时长，并且需要大量的人力和 物力；取样过程中娃料材质坚硬，采用银条取样对银条损耗很大；送检过程中，实验室测一 个方锭的成本约800元，测试费用高。 综上所述，采用现有技术进行娃锭出成率的测试方法存在取样复杂、周期长、费用 高、浪费人力物力的缺点。
技术实现思路
为了解决现有技术测试娃锭提纯工艺出成率方法存在的取样复杂、周期长、费用 高、浪费人力物力的问题，本专利技术提供了一种速度快，灵敏度高，费用低廉的娃锭提纯工艺 出成率测试方法。 为此，本专利技术提供了一种测试娃锭提纯工艺出成率的方法，在提纯后的娃锭上寻 找电阻率跃变点，电阻率跃变点对应的娃锭高度除W娃锭总高度即为娃锭提纯工艺的出成 率，娃锭形貌为柱状晶。对于本专利技术的娃锭，其电阻率跃变点为0.05Q - cm,电阻率大于 0. 05 Q ? cm的娃锭为合格娃锭，纯度可W达到5. 5N，电阻率小于0. 05 Q ? cm的娃锭为非合 格娃锭，纯度达不到5. 5N，0. 05 Q ? cm对应的娃锭高度除W娃锭总高度即为娃锭提纯工艺 的出成率。 根据本专利技术，所述娃锭为长方体娃锭。 根据本专利技术，所述电阻率跃变点的寻找方法包括如下步骤： [000引 1)将沿着娃锭出锭方向左后角定义为原点，将沿着娃锭出锭方向的边定义为Y 轴，将娃锭的其余两边分别定义为X轴和Z轴； 2)在Y轴方向上将娃锭对化在任一对切面上沿着Y轴方向切出1cm宽的娃锭长 条； 3)在娃锭长条上依次画出lcm*lcm大小的网格，在网格内进行电阻率的测试，找 出电阻率跃变点。 根据本专利技术，在对切面的中间或边缘处选取娃锭长条，娃锭长条的数量为1-2个。 根据本专利技术，用娃材料测试仪或电阻率测试仪测试电阻率。 本专利技术采用娃材料测试仪或电阻率测试仪测试娃锭电阻率，通过电阻率跃变点对 应的娃锭高度除W娃锭总高度即得出娃锭提纯工艺的出成率。该方法高效便捷，可W随时 随地进行检测分析，摆脱了实验室复杂的测试工序，提高了效率，仅需一台简单的娃材料测 试仪或电阻率测试仪即可解决问题，对于定向提纯来说是一种行之有效的出成率测试手 段。 【具体实施方式】 实施例1 1)将沿着娃锭出锭方向左后角定义为原点，将沿着娃锭出锭方向的边定义为Y 轴，将娃锭的其余两边分别定义为X轴和Z轴； 2)在Y轴方向上将娃锭对化在任一对切面上沿着Y轴方向切出1cm宽的娃锭长 条； 扣在娃锭长条上依次画出lcm*lcm大小的网格，采用娃材料测试仪在网格内进行 电阻率的测试，找出电阻率跃变点。电阻率测试数据如表1所示： [001引表1.电阻率测试数据 【权利要求】1. ，其特征在于，在提纯后的硅锭上寻找电阻率 跃变点，电阻率跃变点对应的硅锭高度除以硅锭总高度即为硅锭提纯工艺的出成率，硅锭 形貌为柱状晶。2. 如权利要求1所述的测试硅锭提纯工艺出成率的方法，其特征在于，所述硅锭为长 方体娃锭。3. 如权利要求2所述的测试硅锭提纯工艺出成率的方法，其特征在于，电阻率跃变点 的寻找方法包括如下步骤： 1) 将沿着硅锭出锭方向左后角定义为原点，将沿着硅锭出锭方向的边定义为Y轴，将 硅锭的其余两边分别定义为X轴和Z轴； 2) 在Y轴方向上将硅锭对切，在任一对切面上沿着Y轴方向切出lcm宽的硅锭长条； 3) 在硅锭长条上依次画出大小的网格，在网格内进行电阻率的测试，找出电 阻率跃变点。4. 如权利要求3所述的测试硅锭提纯工艺出成率的方法，其特征在于，在对切面的中 间或边缘处选取硅锭长条，硅锭长条的数量为1-2个。5. 如权利要求1-4中任一项所述的测试硅锭提纯工艺出成率的方法，其特征在于，用 硅材料测试仪或电阻率测试仪测试电阻率。【文档编号】G01N27/04GK104502416SQ201410728690【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月4日 优先权日:2014年12月4日 【专利技术者】张银娣, 杨文龙, 姜大川, 侯振海, 盛文德, 任世强, 张磊, 甘传海, 张晓峰, 刘瑶 申请人:青岛隆盛晶硅科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法，其特征在于，在提纯后的硅锭上寻找电阻率跃变点，电阻率跃变点对应的硅锭高度除以硅锭总高度即为硅锭提纯工艺的出成率，硅锭形貌为柱状晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张银娣，杨文龙，姜大川，侯振海，盛文德，任世强，张磊，甘传海，张晓峰，刘瑶，
申请(专利权)人：青岛隆盛晶硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37