OLED阵列基板及其制作方法、封装结构、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种OLED阵列基板及其制作方法、封装结构、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED阵列基板，包括薄膜晶体管、阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机发光层，所述OLED阵列基板上还设置有用于支撑所述OLED阵列基板和封装基板之间盒厚的隔垫物，所述阴极包括覆盖所述隔垫物的第一区域和除所述第一区域外的第二区域，所述第一区域阴极的厚度大于所述第二区域阴极的厚度。本发明专利技术的技术方案能够在保证OLED阵列基板透过率的前提下改善阴极搭接不良的问题，降低OLED阵列基板的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED封装结构、显示装置。
技术介绍
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件由于其具有的全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、工作温度范围宽、可实现柔性显示等一系列优点，目前已经成为极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。OLED器件中使用的有机发光材料和阴极材料对水和氧气特别敏感，过于潮湿或氧气含量过高都将影响OLED器件的使用寿命。为了有效的阻隔水和氧对OLED器件的影响，需要对OLED器件进行封装，将OLED阵列基板和封装基板采用封框胶进行粘结固定，以实现密闭的器件结构，阻隔空气中的水和氧气，在OLED阵列基板和封装基板之间还设置有用以支撑盒厚的隔垫物。现有的顶发射OLED器件一般需要设置较薄的阴极从而保证较高的光透过率，但是由于OLED阵列基板的起伏较大，较薄的阴极容易在OLED阵列基板上起伏较大的区域(如隔垫物处)发生搭接不良，从而导致阴极的电阻上升，增加了OLED阵列基板的功耗；而如果设置过厚的阴极则会导致OLED阵列基板透过率的下降，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED封装结构、显示装置，能够在保证OLED阵列基板透过率的前提下改善阴极搭接不良的问题，降低OLED阵列基板的功耗。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种OLED阵列基板，包括薄膜晶体管、阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机发光层，所述OLED阵列基板上还设置有用于支撑所述OLED阵列基板和封装基板之间盒厚的隔垫物，所述阴极包括覆盖所述隔垫物的第一区域和除所述第一区域外的第二区域，所述第一区域阴极的厚度大于所述第二区域阴极的厚度。优选的，所述第一区域阴极的厚度处处相等，所述第二区域阴极的厚度处处相等。优选的，所述第一区域阴极的厚度比所述第二区域阴极的厚度大1-20nm。另一方面，提供一种OLED封装结构，包括上述的OLED阵列基板和封装基板。优选的，所述OLED阵列基板和所述封装基板的边缘通过封框胶粘结固定。可选的，所述OLED封装结构还包括用于支撑所述OLED阵列基板和所述封装基板之间盒厚的隔垫物，所述隔垫物位于所述封框胶的内部。又一方面，提供一种显示装置，包括上述的OLED封装结构。再一方面，提供一种OLED阵列基板的制作方法，所述OLED阵列基板包括薄膜晶体管、阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机发光层，所述OLED阵列基板上还设置有用于支撑所述OLED阵列基板和封装基板之间盒厚的隔垫物，所述制作方法包括：在形成有所述隔垫物、薄膜晶体管、阳极和有机发光层的基板上形成阴极，所述阴极包括覆盖所述隔垫物的第一区域和除所述第一区域外的第二区域，所述第一区域阴极的厚度大于所述第二区域阴极的厚度。优选的，形成阴极包括：在形成有所述隔垫物、薄膜晶体管、阳极和有机发光层的基板上形成对应所述第一区域和第二区域的第一阴极图形；在所述第一阴极图形上形成对应所述第一区域的第二阴极图形，所述第一阴极图形与所述第二阴极图形组成所述阴极。可选的，所述在所述第一阴极图形上形成对应所述第二区域的第二阴极图形包括：将形成有所述第一阴极图形的基板与蒸镀掩膜板紧密贴合，所述蒸镀掩膜板包括有对应所述第一区域的开口；利用与所述蒸镀掩膜板相对设置的阴极蒸发源进行蒸镀，在所述基板上形成所述第二阴极图形。本专利技术的实施例具有以下有益效果：在OLED阵列基板上，隔垫物所在区域的起伏较大，本专利技术在不改变其他区域阴极厚度的前提下，增厚阴极在隔垫物所在区域的厚度，从而能够在不减少发光区域阴极透过率的情况下，改善阴极在起伏较大区域搭接不良的问题，降低阴极电阻，从而降低OLED阵列基板的功耗。附图说明图1为现有OLED阵列基板的平面示意图；图2为图1中BB’方向的截面示意图；图3为图2中A部分的放大示意图；图4为本专利技术实施例OLED阵列基板的平面示意图；图5为图4中BB’方向的截面示意图；图6为图5中C部分的放大示意图。附图标记11隔垫物 12子像素 13阴极14第一区域的阴极 15像素界定层 16第二区域的阴极具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例提供一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED封装结构、显示装置，能够在保证OLED阵列基板透过率的前提下改善阴极搭接不良的问题，降低OLED阵列基板的功耗。实施例一图1为现有OLED阵列基板的平面示意图，图2为图1中BB’方向的截面示意图，图3为图2中A部分的放大示意图。在OLED阵列基板上形成有薄膜晶体管、像素界定层、阳极、有机功能层和阴极，像素界定层界15定出多个子像素12。现有的顶发射OLED器件一般需要设置较薄的阴极13从而保证较高的光透过率，但是由于OLED阵列基板需要与封装基板进行封装，因此，还需要在OLED阵列基板上设置支撑盒厚的隔垫物11，隔垫物11的高度主要由形成阴极前形成的平坦化层树脂和像素定义层树脂组成，阴极13覆盖在隔垫物11上。由于隔垫物11具有一定的高度，因此，在设置隔垫物11的区域OLED阵列基板的起伏较大，如图3所示，较薄的阴极容易在隔垫物11处发生搭接不良，从而导致阴极13的电阻上升，增加了OLED阵列基板的功耗；而如果设置过厚的阴极则会导致OLED阵列基板透过率的下降，影响显示效果。为了解决上述问题，本实施例提供了一种OLED阵列基板，包括薄膜晶体管、阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机发光层，所述OLED阵列基板上还设置有用于支撑所述OLED阵列基板和封装基板之间盒厚的隔垫物，所述阴极包括覆盖所述隔垫物的第一区域和除所述第一区域外的第二区域，所述第一区域阴极的厚度大于所述第二区域阴极的厚度。在OLED阵列基板上，隔垫物所在区域的起伏较大，本专利技术在不改变其他区域阴极厚度的前提下，增厚阴极在隔垫物所在区域的厚度，从而能够在不减少发光区域阴极透过率的情况下，改善阴极在起伏较大区域搭接不良的问题，降低阴极电阻，从而降低OLED阵列基板的功耗。图4为本实施例OLED阵列基板的平面示意图，图5为图4中B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED阵列基板，包括薄膜晶体管、阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机发光层，所述OLED阵列基板上还设置有用于支撑所述OLED阵列基板和封装基板之间盒厚的隔垫物，其特征在于，所述阴极包括覆盖所述隔垫物的第一区域和除所述第一区域外的第二区域，所述第一区域阴极的厚度大于所述第二区域阴极的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种OLED阵列基板，包括薄膜晶体管、阳极、阴极以及位于所述阳
极和阴极之间的有机发光层，所述OLED阵列基板上还设置有用于支撑所述
OLED阵列基板和封装基板之间盒厚的隔垫物，其特征在于，所述阴极包括覆
盖所述隔垫物的第一区域和除所述第一区域外的第二区域，所述第一区域阴极
的厚度大于所述第二区域阴极的厚度。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一区域
阴极的厚度处处相等，所述第二区域阴极的厚度处处相等。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一区域
阴极的厚度比所述第二区域阴极的厚度大1-20nm。
4.一种OLED封装结构，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所
述的OLED阵列基板和封装基板。
5.根据权利要求4所述的OLED封装结构，其特征在于，所述OLED阵
列基板和所述封装基板的边缘通过封框胶粘结固定。
6.根据权利要求5所述的OLED封装结构，其特征在于，所述OLED封
装结构还包括用于支撑所述OLED阵列基板和所述封装基板之间盒厚的隔垫
物，所述隔垫物位于所述封框胶的内部。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4-6中任一项所述的OLED
封装结构。
8.一种OL...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11