半导体装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由AlyGa1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场效应晶体管以及具有场效应晶体管的MMIC，该场效应晶体管在外延结晶生长层上形成，该外延结晶生长层由设置在Si衬底上的GaN或者AlGaN构成。
技术介绍
已知下述半导体装置(例如，参照专利文献1、2)，即，在Si衬底上形成由GaN或者AlGaN构成的外延结晶生长层，在该外延结晶生长层上形成场效应晶体管。专利文献1：日本特开2009－206142号公报专利文献2：日本特开2010－67662号公报在现有的半导体装置中，在晶体管部、焊盘部、配线部、无源电路部的下方，隔着包含几μm厚度的GaN或者AlGaN的外延层，存在100μm左右的Si衬底。Si衬底的电阻率，即使是高电阻也仅为10e4Ωcm左右，与在高频带用的半导体装置中使用的半绝缘性GaAs衬底、SiC衬底相比，电阻率低了4～5个数量级。因此，导致电路部中的导体损耗变大。通常，半导体装置将衬底背面接地，但是，GaN类外延层通常仅为几μm左右的厚度。因此，如果Si衬底的电阻率较低，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：Si衬底，其具有彼此相对的第1以及第2主表面；缓冲层，其形成在所述Si衬底的所述第1主表面上，由AlxGa1‑xN(0≤x≤1)构成；外延结晶生长层，其形成在所述缓冲层上，由AlyGa1‑yN(0≤y≤1，x≠y)构成；晶体管，其形成在所述外延结晶生长层上；以及填充材料，其填充在从所述Si衬底的所述第2主表面到达所述缓冲层的通孔中，由与所述缓冲层相同的组成比x的AlxGa1‑xN构成。

【技术特征摘要】
2013.09.24 JP 2013-1972611.一种半导体装置，其特征在于，具有：
Si衬底，其具有彼此相对的第1以及第2主表面；
缓冲层，其形成在所述Si衬底的所述第1主表面上，由AlxGa1-xN
(0≤x≤1)构成；
外延结晶生长层，其形成在所述缓冲层上，由AlyGa1-yN
(0≤y≤1，x≠y)构成；
晶体管，其形成在所述外延结晶生长层上；以及
填充材料，其填充在从所述Si衬底的所述第2主表面到达所述
缓冲层的通孔中，由与所述缓冲层相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述通孔以及所述填充材料不设置在所述晶体管的源极电极的
下方，而是设置在所述晶体管的漏极电极的下方。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
还具有金属膜，该金属膜设置在从所述Si衬底的第2主表面到
达所述晶体管的源极焊盘为止的源极过孔的内壁和所述Si衬底的所
述第2主表面上，与所述源极焊盘连接。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述Si衬底是n型，经由在所述晶体管的源极焊盘的正下方的
所述缓冲层以及所述外延结晶生长层上设置的开口，所述源极焊盘直
接与所述Si衬底接触。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述Si衬底是n...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈崎拓行，加茂宣卓，野上洋一，小山英寿，宫国晋一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP