基板转移暨处理系统及其设备技术方案

本发明专利技术提供一种基板转移暨处理系统及其设备。其中基板转移暨处理设备适用于使一处理液体均匀在一基板上进行制程步骤，基板转移暨处理设备包含：一槽体；至少一反应槽室，设置于槽体内，用来提供处理液体与基板进行制程步骤，每一反应槽室包含一用来容置处理液体的处理容积；一限位单元，设置于槽体内，用来限制基板立于槽体内；及一流体循环系统，至少具有一驱动装置，流体循环系统驱动该处理液体于处理容积内循环流动，用来使处理液体均匀在立于槽体内的基板上进行一制程步骤。

【技术实现步骤摘要】
基板转移暨处理系统及其设备
本专利技术涉及一种基板转移暨处理系统及其设备，尤其是一种使处理液体均匀在基板上进行制程步骤的制程系统及其设备。
技术介绍
现今电子工业迅速发展，许多电子产品都需要应用到物理沉积技术或化学沉积技术。另外全世界面临石油能源耗竭、成本高昂及环保等问题，造成太阳能与氢能源燃料电池的需求与日遽增。太阳能电池制造时，必须在一基材上构成多种沉积层(薄膜)，才能有效的发挥其功能。其中沉积制程为电子产业及民生产业的关键技术。现有的化学浴沉积(ChemicalBathDeposition，CBD)制程及其设备将一基材(例如不锈钢板或玻璃等)浸入化学处理液体中持续一定时间，用来在该基材表面形成半导体薄膜。但现有的化学浴沉积设备，将基材完全浸入化学处理液体之中，如此将导致该基材的多个表面上形成半导体薄膜。然而，只需要该基材其中一面上形成半导体薄膜，该基材其它表面上所形成的半导体薄膜导致处理液体成本的增加。为改善上述情况，如美国专利申请案公开号2009/0311431A1所揭示的现有技术揭示一反应罩体设置在基材上，用来将处理液体局限于该基材的单面上。而后凭借摇晃或直接加热等手段来提高基材上半导体薄膜的形成速率。然而，此种化学浴沉积制程及设备一次只能对单片基板做制程处理。此外，上述制程可能因为摇晃不均或加热不均，导致基材上半导体薄膜的厚度不均。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于：提供一种基板转移暨处理设备，解决现有技术中存在的各种问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种基板转移暨处理设备，适用于使一处理液体均匀在一基板的单一表面进行一制程步骤，其特征在于，该基板转移暨处理设备包含：一槽体；至少一反应槽室，设置于该槽体内，用来提供该处理液体与该基板的单一表面进行制程步骤，每一反应槽室包含一用来容置该处理液体的处理容积；一加热单元，加热该基板和/或该处理液体；一限位单元，设置于该槽体内，用来限制该基板立于该槽体内；及一流体循环系统，至少具有一驱动装置，该流体循环系统驱动该处理液体于处理容积内循环流动，用来使该处理液体均匀在立于该槽体内的该基板上进行一制程步骤。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案还包括：一种基板转移暨处理系统，适用于对一基板转移及进行一制程步骤，其中，该基板转移暨处理系统包含：至少一第一处理装置与至少一第二处理装置，用来容置该基板并各别提供该基板进行一制程步骤；一第一翻转装置，以略呈垂直的方式翻转该基板至一角度，最后传送该基板至该第一处理装置；一移载装置，在第一处理装置与第二处理装置之间转移该基板；以及一第二翻转装置，取出在第二处理装置内的该基板，接着朝基板板面的法线翻转该基板至另一角度，最后传送该基板。与现有技术相比较，本专利技术具有的有益效果是：第一，均匀制程：本专利技术的基板转移暨处理设备凭借流体循环系统而使处理液体均匀在立于槽体内的基板上进行制程步骤。第二，节省空间：本专利技术的基板转移暨处理设备凭借限位单元限制基板在制程步骤中所占用的水平空间。第三，加速制程：本专利技术的基板转移暨处理设备凭借加热单元而提升基板与处理液体在制程步骤中的反应速率。第四，同时进行制程步骤：本专利技术的基板转移暨处理设备凭借反应框架的复数开放侧而能同时对复数基板进行制程步骤。附图说明图1为本专利技术的基板转移暨处理系统的一实施例的系统平面示意图；图2为本专利技术的一实施例的第一输送装置的侧面示意图；图3为本专利技术的一实施例的第一输送装置的转向完成后的示意图；图4为本专利技术的一实施例的第一翻转装置的立体示意图；图5为图4区域A的局部放大示意图；图6为本专利技术的一实施例的第一翻转装置将基板翻转后的示意图；图7为本专利技术的一实施例的第一翻转装置将基板送入第一处理装置的示意图；图8为本专利技术的一实施例的基板转移暨处理系统的移载装置示意图；图9为本专利技术的另一实施例的基板转移暨处理系统的示意图；图10为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的立体示意图；图11为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的剖面示意图；图12为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的反应框架示意图；图13为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的基板接收装置侧视图；图14为本专利技术的一实施例的图13区域A的局部放大图；图15为本专利技术的一实施例的图13区域B的局部放大图；图16为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置示意图；图17为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置一动作状态示意图；图18为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的引导架一动作状态图；图19为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置另一动作状态示意图；图20为本专利技术的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置又一动作状态示意图；图21为本专利技术的另一实施例的化学浴沉积设备示意图；图22为本专利技术又另一实施例的化学浴沉积设备示意图；图23为本专利技术的另一实施例的化学浴沉积设备顶部示意图；图24为本专利技术的另一实施例的基板转移暨处理系统的平面示意图。具体实施方式以下配合图式及元件符号对本专利技术的具体实施方式做更详细的说明，俾使熟习该项技艺者在研读本说明书后能据以实施。在本说明书中，若未明确排除以概略性用语修饰关于方向的用语，则关于方向的用语均受到「大约」等概略性用语所修饰。例言的，引导架及主杆可以相互平行方式设置，指引导架及主杆大约相互平行，也即偏差在正负十度内，均为可接受的范围。图1显示本专利技术的一实施例的基板转移暨处理系统的平面示意图。如图1所示，本专利技术提供一种基板转移暨处理系统，尤其有适用于化学水浴沉积制程(chemicalbathdeposition,CBD)的基板转移暨处理系统。于图1所示的本专利技术的若干实施态样中，该基板转移暨处理系统10000可包含一第一翻转装置10、一移载装置20、一第二翻转装置30、至少一第一处理装置40、至少一第二处理装置50、一基板预洗装置60、一第一输送装置70、一第二输送装置80以及一基板终洗装置90。于本实施例中，第一处理装置40的数量为4个，第二处理装置50的数量也为4个。如图1所示，先将基板1输入基板预洗装置60以进行清洗并干燥基板1。接着，基板1输送至第一输送装置70以便将基板1以略呈水平的方式转向第一角度(如90度)。在基板1转向第一角度后，第一翻转装置10将略呈水平输送的基板1以略呈垂直的方式翻转第二角度(如90度)，而使得基板1与水平面略呈垂直。再将基板1放置于第一翻转装置10下方的第一处理装置40中，以便进行制程步骤。其次，在基板1与第一处理装置40中的处理液体完成制程步骤后，凭借移载装置20将基板1输送至第二处理装置50上，并将基板1放置于第二处理装置50中，以便进行其他制程步骤。在基板1与第二处理装置50中的处理液体完成其他制程步骤后，第二翻转装置30将基板1朝基板1板面的法线翻转一第三角度(如正90度或负90度)，而使得基板1呈水平状态。的后基板1凭借第二输送装置80水平旋转90度第四角度(如90度)。随之，第二输送装置80输送基板1至基板终洗装置90。最后，凭借基板终洗装置90清洗并干燥基板1。于本实施例中，基板1可包含现有用于太阳能电池制造的各种基板。较佳而言，基板1可包含非晶硅基板、单晶硅基板、多晶硅基板、微晶硅基板或砷化镓基板，或其他任本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板转移暨处理设备，适用于使一处理液体均匀在一基板的单一表面进行一制程步骤，其特征在于，该基板转移暨处理设备包含：一槽体；至少一反应槽室，设置于该槽体内，用来提供该处理液体与该基板的单一表面进行制程步骤，每一反应槽室包含一用来容置该处理液体的处理容积；一加热单元，加热该基板和/或该处理液体；一限位单元，设置于该槽体内，用来限制该基板立于该槽体内；及一流体循环系统，至少具有一驱动装置，该流体循环系统驱动该处理液体于处理容积内循环流动，用来使该处理液体均匀在立于该槽体内的该基板上进行一制程步骤。

【技术特征摘要】
2013.08.30 TW 1021313181.一种基板转移暨处理设备，适用于使一处理液体均匀在一基板的单一表面进行一制程步骤，其特征在于，该基板转移暨处理设备包含：一槽体；至少一反应槽室，设置于该槽体内，用来提供该处理液体与该基板的单一表面进行制程步骤，每一反应槽室包含一用来容置该处理液体的处理容积；一加热单元，加热该基板，该加热单元为一热液循环系统，该热液循环系统包含一热溶液，该热溶液接触该基板的另一表面，该基板的该另一表面与该基板的该单一表面相对设置，该热溶液被加热后，该热溶液的热量能凭借该热溶液热接触该基板的该另一表面，而传递至该基板的该单一表面；一限位单元，设置于该槽体内，用来限制该基板立于该槽体内，该限位单元包含一反应框架与一基板吸取装置，该反应槽室设于该反应框架内部，该基板吸取装置用来吸附该基板，凭借基板与该反应框架的紧密结合而形成该反应槽室；及一流体循环系统，至少具有一驱动装置，该流体循环系统驱动该处理液体于处理容积内循环流动，用来使该处理液体均匀在立于该槽体内的该基板上进行一制程步骤。2.根据权利要求1所述的基板转移暨...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈传宜，游柏清，蓝受龙，陈智伟，
申请(专利权)人：亚智科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71