光致酸生成剂、光刻胶、涂覆的基材以及形成电子器件的方法技术

一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：其中，n是0或1；以及R1-R6各自独立地是氢、卤素、未取代或取代的C1-20直链或支链烷基、C1-20环烷基、C6-20芳基、C3-20杂芳基或具有以下结构的酸生成基团：其中L是未取代或取代的C1-50二价基团；Z-是单价阴离子基团；M+是碘鎓离子或锍阳离子。成对的R基团可与它们所相连的碳结合以形成环，只要形成的这种环不超过两个即可。R1-R6中的至少一个包括酸生成基团，或者两个成对的R基团结合形成酸生成基团。本发明专利技术还描述了包含所述光致酸生成剂化合物的光刻胶组合物、包含所述光刻胶组合物的层的涂覆的基材，以及使用所述光刻胶组合物的层形成电子器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光致酸生成剂及其在光刻胶组合物中的用途。
技术介绍
为了形成越来越小的逻辑和存储晶体管，人们发展了先进的光刻技术，例如193纳米浸没光刻法来实现微光刻工艺中的高质量和较小的特征尺寸。在微光刻工艺中使用的成像的光刻胶中实现较小的临界尺寸(CD)，并且使得所述光刻胶提供最低线条边缘粗糙度(LER)和线条宽度粗糙度(LWR)，同时仍然具有良好的工艺控制容差，例如高曝光宽容度(EL)和宽焦深(DOF)是重要的。低掩模误差因子(MEF)也很重要，所述掩模误差因子被定义为溶解的抗蚀剂图案上的临界尺寸(CD)变化与掩模图案上尺寸变化之比。为了满足由高分辨率光刻法而引起的对于光刻胶材料的要求，人们制造了可溶于水性显影剂并具有低吸光度的光致酸生成剂(PAG)。各种用于配制光刻胶的光致酸生成剂(PAG)是已知的。但是，仍然需要能够使光刻胶组合物具有一种或多种以下特性的PAG：增加的曝光宽容度、降低的掩模误差因子和降低的线条宽度粗糙度。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：其中n是0或1；以及R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地是氢、卤素、未取代或取代的C1‑20直链或支链烷基、未取代或取代的C1‑20环烷基、未取代或取代的C6‑20芳基、未取代或取代的C3‑20杂芳基或具有以下结构的单价基团：其中L是未取代或取代的C1‑50二价基团；Z‑是选自下组的单价阴离子基团：羧酸根、硫酸根、磺酸根、氨基磺酸根、磺酰胺根以及磺酰亚胺根；M+是选自二取代的碘鎓离子和三取代的碘鎓离子的阳离子；其中R1和R2可结合起来形成环和/或R3和R4可结合起来形成环和/或R5和R6可结合起来形成环，前提是由R1、R2、R3、R4、R5和R6...

【技术特征摘要】
2013.08.28 US 14/012,5771.一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：
其中
n是0或1；以及
R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地是氢、卤素、未取代或取代的C1-20直链
或支链烷基、未取代或取代的C1-20环烷基、未取代或取代的C6-20芳基、未取代或
取代的C3-20杂芳基或具有以下结构的单价基团：
其中L是未取代或取代的C1-50二价基团；Z-是选自下组的单价阴离子基团：
羧酸根、硫酸根、磺酸根、氨基磺酸根、磺酰胺根以及磺酰亚胺根；M+是选自二
取代的碘鎓离子和三取代的碘鎓离子的阳离子；其中
R1和R2可结合起来形成环和/或
R3和R4可结合起来形成环和/或
R5和R6可结合起来形成环，
前提是由R1、R2、R3、R4、R5和R6总共形成不超过两个环，并且
前提是R1、R2、R3、R4、R5和R6中的一个具有以下结构
或者
R1和R2结合起来形成以下结构：
或者
R3和R4结合起来形成以下结构：
或者
R5和R6结合起来形成以下结构：
2.如权利要求1所述的光致酸生成剂化合物，所述光致酸生成剂化合物具有
通式(2a)：
其中
R3或R4是
或者
R3和R4结合起来形成以下结构：
以及
R1、R2、L和M+如权利要求1所定义。
3.如权利要求2所述的光致酸生成剂化合物，其中L是具有通式(3)的取代的
C1-50二价基团L1：
其中
m是0或1；
Y是未取代或取代的C1-20亚烷基；
W1是未取代或取代的二价C5-20脂环族基团；
X是未取代或取代的C1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·考尔，E·阿恰达，刘骢，C·B·徐，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US