A method comprises a substrate (11) structure, the substrate (11) has become the first in angle and the normal of the substrate from the at least one complete first, at least one second second complete surface into second angle and normal from the substrate; with the first side and in the cavity between the second sides of the structure; the method comprises the following steps: first part the first conductive layer is applied on the (15); the use of the second conductive layer is applied on the surface of the second part (18); and, depositing the active material in the cavity (31), by the first conductive layer and the second conductive layer, as the charge from the active material insert or extract provide ohmic and rectifying contacts.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括有涂覆步骤的制造结构的方法和对应的结构及装置
本专利技术涉及一种涂敷的方法,及由该方法所产生的产物。
技术介绍
在包括有透明导体、活性材料和后导体(rearconductor)的典型平面夹层构造的装置(如太阳能光伏电池和有机发光器件(“OLED”)等)的制作中,大家都知道结构中的任何缺陷均会严重影响该装置的整体性能。这导致制作程序需要被限制在干净且非常干净的区域并被限制在如下的涂敷过程,根据涂敷均匀性和涂敷过程对通常是薄膜太阳能装置中传统的生长型平面夹层构造中的其它层的作用,对这些涂敷过程本身有很严格地规定。这降低了制程良率和生产能力,因为所沉积的材料必须非常均匀,这就要求非常严格地控制加工过程。已经发现期望使用辊对辊(rolltoroll)系统来制作电子装置,因为加工速度可以很高,从而可以使成本最小化。但是,因为涉及了必需高速的沉积工艺,产生的装置可能容易出现偶尔的材料缺陷,如针孔和材料喷溅(spit)。显然如果能够开发出不易出现这种材料缺陷的系统,则可以实现之前达不到的制作生产能力和成本降低。传统上,薄膜光学装置已经使用了一般是基于氧化锌或氧化铟的透明电导体。这些导体通常要求较高温度沉积以实现商品化产物所需的性能。这种要求可以占到装置制作全部成本的大约30%。这不可避免地将所使用的衬底的类型限制在能承受住沉积透明导体所需的温度这样的衬底的类型上,且透明导体的成本限制了使用该透明导体的任何装置的成本。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面,提供了一种产生包括有衬底的结构的方法,所述衬底具有:在与源自所述衬底的法线成第一角度处的至少一个完整的第一面,在与 ...
【技术保护点】
一种产生包括有衬底的结构的方法,所述衬底具有:在与源自所述衬底的法线成第一角度处的至少一个完整的第一面,在与源自所述衬底的法线成第二角度处的至少一个第二完整的第二面,以及在所述第一面和所述第二面之间的所述结构中的腔体,所述方法的特征在于以下步骤:使用第一导电层涂敷要被涂敷的所述第一面;以及使用第二导电层涂敷要被涂敷的所述第二面;所述方法进一步包括以下步骤:在所述腔体中沉积光伏活性半导体材料,以经由所述第一导电层和所述第二导电层,为来自所述光伏活性半导体材料的电荷的插入或提取提供欧姆接触和整流接触;其中,所述第一导电层和所述第二导电层包含不同的材料;且其中,所述光伏活性半导体材料填满所述第一导电层和所述第二导电层之间的空间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种产生包括有衬底的结构的方法,所述衬底具有:在与源自所述衬底的法线成第一角度处的至少一个完整的第一面,在与源自所述衬底的法线成第二角度处的至少一个第二完整的第二面,以及在所述第一面和所述第二面之间的所述结构中的腔体,所述方法的特征在于以下步骤:使用第一导电层涂敷要被涂敷的所述第一面;以及使用第二导电层涂敷要被涂敷的所述第二面;所述方法进一步包括以下步骤:在所述腔体中沉积光伏活性半导体材料,以经由所述第一导电层和所述第二导电层,为来自所述光伏活性半导体材料的电荷的插入或提取提供欧姆接触和整流接触;其中,所述第一导电层和所述第二导电层包含不同的材料;且其中,所述光伏活性半导体材料填满所述第一导电层和所述第二导电层之间的空间。2.根据权利要求1所述的方法,其中,使用第一真空蒸汽源使所述第一面被所述第一导电层涂敷。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一导电层具有清楚限定的下边界。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,使用第二真空蒸汽源使所述第二面被所述第二导电层涂敷。5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第二导电层具有清楚限定的下边界。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述衬底具有正弦上表面和平面下表面。7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个由以下物质中...
【专利技术属性】
技术研发人员:亚历山大·约翰·托平,彼得·德里斯戴尔·莱恩,
申请(专利权)人:大型太阳能有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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