覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法技术

本发明专利技术提供能够稳定地形成能够确保与低电阻的Cu薄膜层的密合性、耐候性、耐氧化性并且进行稳定的湿蚀刻的新型的覆盖层的、新的覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法。一种覆盖层形成用溅射靶材，由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射靶材含有总计60原子％以下的Mn 5～25原子％以及选自Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如用于在作为电子部件的主线路的由Cu或Cu合金形成的薄膜层上 形成覆盖层的。
技术介绍
除了玻璃基板上形成薄膜设备的液晶显示器（Liquid Crystal Display :以下,称 为IXD）、等离子体显示面板（Plasma Display Panel :以下，称为PDP）、用作电子纸等 的电泳型显示器等平面显示装置（平板显示器、Flat Panel Display:以下，称为FPD） 以外，各种半导体设备、薄膜传感器、磁头等薄膜电子部件也需要低电阻的线路膜。例如， IXD、PDP、有机EL显示器等FH)伴随着大画面、高精细、高速应答化，对于其线路膜要求低电 阻化。另外，近年来开发出了对于FH)增加了操作性的触摸面板、使用树脂基板的柔性FPD 等新广品。 近年来，对于用作FPD的驱动元件的薄膜晶体管（Thin Film Transistor :以下， 称为TFT）的线路膜要求低电阻化，正在研究将主线路薄膜层的材料由目前的Al变更为 电阻更低的Cu。 另外,边观看FPD的画面边赋予直接的操作性的触摸面板基板画面也向大型化发 展，对于使用由电阻低于Al的Cu或Cu合金形成的薄膜层（以下，称为Cu薄膜层）作为 主线路薄膜层进行了研究。 作为便携型终端、平板PC等所使用的触摸面板的位置检测电极，通常使用作为透 明导电膜的铟-锡氧化物（Indium Tin Oxide:以下，称为ΙΤ0）。Cu虽能够得到与ITO 的接合性，但具有与基板的密合性低、耐候性差的问题点。因此，为了确保Cu薄膜层的密合 性并且改善耐候性，需要用Ni合金等覆盖层覆盖Cu薄膜层而制成的层叠线路膜。 另一方面，作为形成上述的薄膜线路的手法，优选使用了溅射靶材的溅射法。溅 射法为物理蒸镀法之一，与其他的真空蒸镀、离子镀相比较，为能够稳定地大面积成膜的方 法，并且为能够得到组成变动少的优异的薄膜层的有效的方法。 覆盖层中作为主要成分的Ni在常温下为磁性体，所以具有在Fro用途中通常使用 的磁控溅射装置中溅射靶材吸收磁路的磁束，难以效率良好地进行稳定的溅射的问题。 对于这样的问题，本 申请人:提出了使用了 Cu为1?25原子％以及选自Ti、Zr、Hf、 V，Nb、Ta、Cr、Mo、W的元素为1?25原子％并且添加量的总计为35原子％以下的Ni合金 的层叠线路膜作为Ag、Cu的薄膜层的覆盖层（专利文献1)。 专利文献1中提出的覆盖层通过制成为以规定量添加了 Ti、V、Cr等过渡金属的 Ni合金而被弱磁性化，从能够稳定并且长时间地溅射成膜的观点出发，是有用的技术。 另外，以改善Ni合金覆盖层对于Cu蚀刻剂的蚀刻性为目的，提出了 ：以向Ni中添 加了 25?45wt%的Cu的Ni-Cu合金为主体并加入了 5wt%以下的Mo、Co而成的合金，以 及向加入了 5?25wt%的Cu的Ni-Cu合金中加入了 5wt%以下的Fe、Mn而成的Ni-Cu系 合金（专利文献2)。 另外，同样地，以对于Cu蚀刻剂的蚀刻性的改善和耐候性、密合性的改善为目的， 提出了以加入了 15?55wt %的Cu的Ni-Cu合金作为主体并添加了 IOwt %以下的Cr、Ti 而成的Ni-Cu系合金（专利文献3)。 这些专利文献2、专利文献3中公开的Ni-Cu系合金，从谋求蚀刻性的改善的观点 出发，分别为有用的技术。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2006-310814号公报 专利文献2 :日本特开2011-052304号公报 专利文献3 :日本特开2012-193444号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问是页 近年的FPD，由于高精细化急速地发展，所以能够期待以更狭窄的线路宽度精度良 好地进行蚀刻加工。然而，Cu不容易进行精度高的蚀刻法即干蚀刻，所以在FH)用途中，主 要使用湿蚀刻。 然而，如果将由Cu薄膜层和上述覆盖层形成的层叠线路膜进行湿蚀刻，则有容易 产生残渣的问题。因此，通过使用添加了挥发性高的过氧化氢的蚀刻剂过蚀刻而进行残渣 的抑制，结果存在侧蚀刻量变大，难以稳定地得到所期待的狭窄宽度的线路膜的问题。 根据本专利技术人等的研究，将Cu薄膜层与由上述的专利文献1所公开的Ni合金形 成的覆盖层所形成的层叠线路膜进行湿蚀刻的情况下，确认到基板面内由Ni合金形成的 覆盖层的蚀刻变得不均一、容易产生不均匀、线路宽度产生偏差这样的新问题。 另外，专利文献2和专利文献3中提出的Ni-Cu系合金中，如果为了改善蚀刻性增 加 Cu的添加量，则确认到不仅耐氧化性大幅降低而且与玻璃基板、树脂等薄膜基板或者作 为透明导电膜的ITO的密合性降低。 本专利技术的目的在于提供能够稳定地形成能够确保与低电阻的Cu薄膜层的密合 性、耐候性、耐氧化性并且能够进行稳定的湿蚀刻的新型的覆盖层的、新的覆盖层形成用溅 射靶材及其制造方法。 用于解决问题的方案 本专利技术人等鉴于以上问题，对于用于在Cu薄膜层上形成覆盖层的溅射靶材，进行 了深入的研究。结果发现，通过对Ni以特定量添加特定的元素，能够形成不仅确保密合性、 耐候性、耐氧化性而且蚀刻时不易产生不均匀的新型的覆盖层，至此完成本专利技术。 S卩，本专利技术为一种覆盖层形成用溅射靶材，其为由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆 盖层形成用溅射靶材，含有Mn 5?25原子％，含有总计60原子％以下的前述Mn以及选自 Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。 另外，本专利技术的覆盖层形成用溅射靶材优选前述Mn为5?25原子％、前述Mo为 5?40原子％、前述Mn与前述Mo的总计量为15?50原子％。 另外，本专利技术的覆盖层形成用溅射靶材优选前述Mn为5?25原子％、前述Mo为 5?30原子％、前述Cu为10?40原子％、前述Fe为0?5原子％。 进而，本专利技术的覆盖层形成用溅射靶材优选前述Mn为7?20原子％、前述Mo为 10?25原子％、前述Cu为10?25原子％、前述Fe为0?3原子％并且前述Μη、前述Mo、 前述Cu、前述Fe的总计量为27?50原子％以下。 另外，本专利技术能够如下获得：在由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射 靶材的制造方法中将下述合金粉末加压烧结，所述合金粉末含有Mn 5?25原子％，含有总 计为60原子％以下的前述Mn以及选自由Cu、Mo和Fe的一种以上的元素,余量为Ni和不 可避免的杂质，居里点为常温以下。 本专利技术优选前述合金粉末的前述Mn为5?25原子％、前述Mo为5?40原子％、 前述Mn与前述Mo的总计量为15?50原子％。 另外，优选前述合金粉末的前述Mn为5?25原子％、前述Mo为5?30原子％、 前述Cu为10?40原子％、前述Fe为0?5原子％。 另外，优选前述合金粉末的前述Mn为7?20原子％、前述Mo为10?30原子％、 前述Cu为10?25原子％、前述Fe为0?3原子％并且前述Μη、前述Mo、前述Cu、前述Fe 的总计量为27?50原子％。 专利技术的效果 本专利技术能够稳定地提供能够形成能够确保与Cu薄膜层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，其为由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射靶材，含有Mn 5～25原子％，含有总计60原子％以下的所述Mn以及选自Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。

【技术特征摘要】
2013.08.21 JP 2013-1710721. 一种覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，其为由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆 盖层形成用溅射靶材，含有Mn 5?25原子％，含有总计60原子％以下的所述Mn以及选自 Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。2. 根据权利要求1所述的覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，所述Mo为5?40原 子％、所述Mn和所述Mo的总计量为15?50原子％。3. 根据权利要求1所述的覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，所述Mo为5?30原 子％、所述Cu为10?40原子％、所述Fe为0?5原子％。4. 根据权利要求1所述的覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，所述Mn为7?20原 子％、所述Mo为10?25原子％、所述Cu为10?25原子％、所述Fe为0?3原子％，并 且所述Mn、所述Mo、所述Cu、所述Fe的总计量为27?50原子％。5. -种覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：村田英夫，上滩真史，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP