【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】革E接合体
本专利技术涉及用于形成在液晶显示器等显示装置、接触式传感器等电子器件中，面 向薄膜晶体管（TFT)的电极材料、传感器的电连接配线用的Cu合金薄膜，而经由钎料接合 了溅射靶与背衬板的靶接合体。
技术介绍
由于电阻低、加工比较容易等理由，Cu薄膜会被作为液晶显示器等显示装置的扫 描电极或信号电极、接触式传感器等电子器件的电连接配线，经过微细加工而使用。作为 Cu薄膜的原材，纯Cu存在与玻璃等基材的密接性差，另外由于容易氧化而表面易变色，而 且在半导体中的扩散系数大这样的缺点。由此，作为电连接配线用的薄膜的原材，一般使用 Cu合金。Cu合金薄膜能够改善使用上述这样的纯Cu薄膜时的问题,根据用途选择适当的 添加元素，由此，能够使作为配线用薄膜使用时的功能提高。因此，关于电子器件用途，开发 出各种种类的Cu合金薄膜。 Cu合金薄膜的形成一般采用使用溅射靶的溅射法。该溅射法，是在低气压下，向真 空容器内导入氩等不活泼气体，在与薄膜相同的材料所构成的溅射靶和基材之间施加高电 压，使等离子体放电发生。使由于该等离子体放电而离子化的气体（...
【技术保护点】
一种靶接合体，其特征在于，是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料而与背衬板接合的靶接合体，其中，所述溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu‑Mn合金，并且所述钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16％以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.26 JP 2012-1434971. 一种靶接合体，其特征在于，是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎 料而与背衬板接合的靶接合体，其中， 所述溅射靶是含有Mn为2?30原子％的Cu-Mn合金，并且所述钎料中存在的孔隙对 溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16%以下。2. -种靶接合体，其特征在于，是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎 料与背衬板接合的靶接合体，其中， 所述溅射靶是含有Mn为2?30原子％的Cu-Mn合金，并且在所述钎料中的接合端部 存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积在0. 2% 以下。3. -种靶接合体，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：松村仁实，中根靖夫，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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