接合体及其制造方法、该接合体所使用的各向异性导电膜技术

技术编号:4419922 阅读:207 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的在于提供一种即使在接合微细节距基板与电子部件等时,也可以确保充分的粒子变形、得到优良的导通可靠性的同时,防止发生短路的接合体、该接合体的制造方法及该接合体所使用的各向异性导电膜。本发明专利技术的接合体,其具备:第一基板;以及第二基板和电子部件中的一个,并且,使上述第一基板,与上述第二基板和上述电子部件中的一个隔着含有导电性粒子的各向异性导电膜电性接合而构成,其中,压接到上述第一基板配线上的导电性粒子从上述配线向上述配线的两宽度方向突出,上述配线的间隔为未被压接到上述配线上的导电性粒子平均粒径的3.5倍以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种IC芯片、液晶显示器(LCD)的液晶面板(LCD 面板)等电子部件与基板,或基板彼此之间电性连接的接合体、该接 合体的制造方法及该接合体所使用的各向异性导电膜。
技术介绍
以往,作为连接电子部件与电路基板等的方法,使用各向异导电 性粘接膜(ACF; Anisotropic Conductive Film )。该各向异导电性粘接 膜使用于对各种端子进行粘结的同时电性连接的情形,例如,用于连 接软性印刷基板(FPC)或IC芯片的端子与形成于LCD面板的玻璃 基板上的ITO (Indium Tin Oxide )电极。作为上述各向异导电性粘接膜, 一般使用在环氧树脂系的绝缘性 粘结剂层中分散了导电性粒子的各向异导电性粘接膜,例如,在IC 芯片的端子与玻璃基板的ITO电极之间,通过夹持导电性粒子而使其 变形,从而实现上述IC芯片的端子与上述ITO电极的电性连接。近年,由于电子机器的小型化及高性能化,伴随着接合端子的微 细节距化,接合端子的面积也在减小,但是即使端子面积变小,也要 求确保较高的粒子捕捉性及导通可靠性。在此,各向异导电性粘接膜中包含的导电性微粒子的粒径通常小 于凸点及配线等接合端子的宽度(例如,专利文献1)(图6)。因此, 在对凸点及配线等接合端子实施微细节距化的情形下,通过将导电性 微粒子的粒径变得更小而使接合端子上的导电性微粒子控制为平均 分散的状态(图7),从而确保高粒子捕捉性,进而得到优良导通可 靠性的同时防止发生短路已成为课题。但是,如果伴随接合端子的微细节距化,使导电性微粒子的粒径变得更小,则为了确保充分的粒子发生变形而需提高接合(压接)时 的压力,而作为电子部件或基板的材料使用玻璃等强度低的材料情形 等时,在接合(压接)时,电子部件或基板可能产生裂缝。另外,近 年来,因为电子部件或基板的薄型化,期待着以更低的压力进行接合 (压接)。专利文献1:日本特开2006-339323号公报
技术实现思路
本专利技术的课题为,解决以往的上述问题,实现以下目的。即,本 专利技术的目的在于提供一种即使接合微细节距基板与电子部件等时,也 可以确保充分的粒子变形、得到优良的导通可靠性的同时,能防止发 生短路的接合体、该接合体的制造方法及该接合体所使用的各向异性 导电膜。解决上述课题的方法如下所述。即,<1〉一种接合体,其具备第一基板;以及第二基板和电子部件中的一个,并且,上述第一基板,与上述第二基板和上述电子部件 中的一个隔着含有导电性粒子的各向异性导电膜电性接合而构成,其 特征在于,压接到上述第一基板的配线上的导电性粒子从上述配线向 上述配线的两宽度方向突出,上述配线的间隔为未被压接到上述配线上的导电性粒子平均粒径的3.5倍以上。该接合体中,为使压接到上述第一基板配线上的导电性粒子从上 述配线向上述配线两宽度方向突出,而使用平均粒径大的导电性粒 子,因此,即使接合微细间距基板与电子部件等时,也可以确保充分 的粒子变形、得到优良的导通可靠性。并且,上述第一基板的配线的 间隔(空间宽度)为未被压接到上述配线上的导电性粒子平均粒径的 3.5倍以上,因此,配线的间隔(空间宽度)充分大,所以能够防止 配线之间的空间中发生导电性粒子的联接而在同一基板上的配线之 间发生短路。说明书第3/ll页<2〉一种接合体,其具备第一基板;以及第二基板和电子部 件中的一个,并且,上述第一基板,与上述第二基板和上述电子部件 中的一个隔着含有导电性粒子的各向异性导电膜电性接合而构成,其 特征在于,未被压接到上述第一基板配线上的导电性粒子平均粒径大 于上述配线的宽度,上述配线的间隔为未被压接到上述配线上的导电 性粒子平均粒径的3.5倍以上。该接合体中,因为未被压接到上述第一基板配线上的导电性粒子 的平均粒径大于上述配线的宽度,所以即使在接合微细节距的基板与 电子部件等情形时,也可以确保充分的粒子变形、得到优良的导通可 靠性。并且,因为上述第一基板的配线的间隔(空间宽度)为未被压 接到上述配线上的导电性粒子平均粒径的3.5倍以上,所以配线的间 隔(空间宽度)充分大,能够防止配线之间的空间中发生导电性粒子 的联接而在同一基板上的配线之间发生短路。<3>如<1〉至<2〉所述的接合体,各向异性导电膜包含粘结 剂树脂而构成,该粘结剂树脂包含选自环氧树脂及丙烯酸酯树脂中的 至少一种。<4〉如<1>至<3>中任一项所述的接合体的制造方法,其特 征在于,包括在被处理面上形成含有导电性粒子的各向异性导电膜 的各向异性导电膜形成工序;隔着上述各向异性导电膜,使第一基板, 与第二基板和电子部件中的一个接合的接合工序。<5〉一种各向异性导电膜,其特征在于,其用于<1〉至<3> 中任一项所述的接合体中。 通过本专利技术,可以解决以往的上述诸多问题,提供一种即使对微 细节距的基板与电子部件等进行接合时,也可以确保充分的粒子变 形、得到优良的导通可靠性的同时,能防止发生短路的接合体、该接 合体的制造方法及该接合体所使用的各向异性导电膜。附图说明5图l是表示压接于本专利技术接合体的第一基板配线上的导电性粒子 (大致球状)的简要说明图2是表示压接于本专利技术接合体的第一基板配线上的导电性粒子(不定形)的简要说明图3是表示压接于本专利技术接合体的第一基板配线上的导电性粒子 (二次粒子(凝聚粒子))简要说明图4是表示第一基板的线宽度(配线宽度)L及空间宽度(配线间 隔)S的简要说明图5是表示第一基板配线结构的简要说明图6是表示以往的接合体的简要说明图7是表示压接于以往接合体的第一基板配线上的导电性粒子的 简要说明图。具体实施例方式(接合体)本专利技术的接合体具备第一基板,以及第二基板和电子部件中的一 个,并且,使上述第一基板,与上述第二基板和上述电子部件中的一 个隔着含有导电性粒子的各向异性导电膜电性接合而构成。即,在上 述第一基板的端子(配线)与上述电子部件的端子之间,或在上述第 一及第二基板上的端子(配线)之间,通过夹持上述导电性粒子使其 变形,从而实现上述端子之间的导通。上述接合体中,压接于上述第一基板配线上的导电性粒子(被夹 持于上述第一基板的端子与上述电子部件的端子之间、或上述第一及 第二基板上的端子之间而发生变形的导电性粒子)从上述配线向上述 配线的两宽度方向突出,上述配线的间隔为未被压接到上述配线上的 导电性粒子(没有被夹持于上述第一基板的端子与上述电子部件的端 子之间、或上述第一及第二基板上的端子之间而发生变形的导电性粒 子)平均粒径的3.5倍以上,优选的是4倍以上。在此,"压接于上述第一基板的配线上的导电性粒子"的形状可 以是大致球状(图l),也可以是不定形(图2)。并且,"从上述配线向上述配线的两宽度方向突出"是指,如图 l及图2所示,不只是一个导电性粒子(一次粒子)从配线向配线的两宽度方向突出的情形,如图3所示,也包括多个导电性粒子(二次粒子(凝聚粒子))从配线向配线的两宽度方向突出的情形。并且,"上述配线的间隔"是指图4的空间宽度(配线间隔)S, 是使用显微镜测定的10个点的测定值的平均值。并且,图4中,L 表示线宽度(配线宽度),是使用显微镜测定的IO个点的本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种接合体,其具备:第一基板;以及第二基板和电子部件中的一个,并且,所述第一基板,与所述第二基板和所述电子部件中的一个隔着含有导电性粒子的各向异性导电膜电性接合而构成,其特征在于, 压接到所述第一基板的配线上的导电性粒子从所述配线向所 述配线的两宽度方向突出,所述配线的间隔为未被压接到所述配线上的导电性粒子平均粒径的3.5倍以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:周藤俊之
申请(专利权)人:索尼化学信息部件株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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