一种掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器制造技术

技术编号:11087759 阅读:91 留言:0更新日期:2015-02-26 14:41
本实用新型专利技术属于半导体气敏元件技术领域,具体涉及一种掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器,从下至上依次包括:钛片、二氧化钛纳米管阵列层、金属钯层、金属电极层,所述二氧化钛纳米管阵列层为掺氮二氧化钛纳米管阵列层。所述掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器在室温下具有良好的灵敏度,快速的响应时间和低的氢气检测下限值,同时所述掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器的制备方法简便,易于实现。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器,所述掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器从下至上依次包括:钛片(1)、二氧化钛纳米管阵列层(2)、金属钯层(3)、金属电极层(4),其特征在于:所述二氧化钛纳米管阵列层(2)为掺氮二氧化钛纳米管阵列层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈洁谢贵久颜志红曹勇飞潘喜成宋祖殷
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十八研究所
类型:新型
国别省市:湖南;43

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