像素结构、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:11030308 阅读:108 留言:0更新日期:2015-02-11 16:47
本实用新型专利技术提供一种像素结构、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的阵列基板的出光率低的问题。该像素结构,具有像素电路,所述像素结构包括显示区和透过区,所述像素电路中的有机电致发光器件位于显示区,所述像素电路中的至少一个存储电容位于透过区,所述存储电容第一极板和第二极板的材料均为透明导电材料,且两者至少通过介电层电学绝缘隔开。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种像素结构、阵列基板及显示装置,属于显示
,其可解决现有的阵列基板的出光率低的问题。该像素结构,具有像素电路,所述像素结构包括显示区和透过区,所述像素电路中的有机电致发光器件位于显示区,所述像素电路中的至少一个存储电容位于透过区,所述存储电容第一极板和第二极板的材料均为透明导电材料,且两者至少通过介电层电学绝缘隔开。【专利说明】像素结构、阵列基板及显示装置
本技术属于显示
,具体涉及一种像素结构、阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展,人们对显示画质的需求日益增长,高画质、高分辨率的平板显示装置的需求越来越普遍,也越来越得到显示面板厂家的重视。 现有的应用于透明显示的有机电致发光显示面板像素结构包括:显示区和透过区,其中,该显示面板的像素结构中的薄膜晶体管、存储电容,以及有机电致发光器件均设于显示区,在显示面板的尺寸一定的情况下,显示区的面积越大则透过区的面积越小,而在现有的有机电致发光显示面板中存储电容的第一极板和第二极板通常分别与薄膜晶体管的有源层和栅极采用同一次构图工艺形成,也就是说存储电容所在的位置为非透光的。 有机电致发光显示面板,其像素电路结构较LCD更为复杂,通常需要多个薄膜晶体管和电容,这决定了必须留有较大面积的显示区域来排布这些复杂的电路结构,导致整体像素尺寸变大。使得现有应用于透明显示的有机电致发光显示面板的分辨率较低,并且显示区尺寸较大也会影响透过区的面积,使得面板整体透过率低。 技术人发现由于现有技术中存储电容的第一极板和第二极板分别与有源层和栅极的材料相同,因此存储电容的第一极板和第二极板均不透光,从而影响显示面板的透过率,且存储电容位于显示区导致像素尺寸过大而无法实现高分辨率的透明显示。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题包括,针对现有的阵列基板存在的上述的问题,提供一种显示区较大的像素结构、阵列基板及显示装置。 解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种像素结构,具有像素电路,所述像素结构包括显示区和透过区,所述像素电路中的有机电致发光器件位于显示区,所述像素电路中的至少一个存储电容位于透过区,所述存储电容第一极板和第二极板的材料均为透明导电材料,且两者至少通过介电层电学绝缘隔开。 本技术的像素结构的存储电容设于透过区,也就是存储电容的位置是可以透光的,故可以提高该像素结构的出光率。同时由于显示区面积减小,还可以进一步提高分辨率。 优选的是,所述第一极板与所述有机电致发光器件的阳极同层设置,且材料相同。 优选的是,所述像素结构还包括与第二极板电连接的连接电极,所述连接电极与所述有机电致发光器件的阳极同层设置,且材料相同。 优选的是,在所述有机电致发光器件的阳极所在层下方至少在透过区设置有第一绝缘层,所述第一极板设置在所述第一绝缘层下方。 优选的是,在所述有机电致发光器件的阴极所在层下方至少有一层结构在所述显示区和所述透过区存在段差。 进一步优选的是,所述连接电极与所述有机电致发光器件的阳极同层断开设置,且材料相同。 优选的是,在所述有机电致发光器件的阴极所在层下方至少有一层结构在所述显示区和所述透过区存在段差。 优选的是,所述像素结构还包括设于所述有机电致发光器件的阳极下方的钝化层,所述钝化层在显示区的厚度大于在所述透过区的厚度。 优选的是,所述介电层包括第一绝缘层、像素限定层或平坦化层中至少一层。 解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,其包括上述像素结构。 解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,其包括上述阵列基板。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的实施例1的像素结构的俯视图; 图2为图1的的A-A的剖视图; 图3为技术的实施例1的阵列基板的一个像素结构的电路示意图。 其中附图标记为:1、基底;2、缓冲层;3、第一极板;4、第一绝缘层;5、连接电极;6、像素限定层;7、第二极板;M1、开关晶体管;M2、驱动晶体管;D1、有机电致发光器件;Cs、存储电容;Q1、透过区;Q2、显示区。 【具体实施方式】 为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细描述。 实施例1: 本实施例提供了一种像素结构,具有像素电路,其特征在于,所述像素结构包括显示区和透过区,所述像素电路中的有机电致发光器件位于显示区,所述像素电路中的至少一个存储电容位于透过区,所述存储电容第一极板和第二极板的材料均为透明导电材料,且两者至少通过介电层电学绝缘隔开。 由于在本实施例的像素结构中,存储电容的材料为透明导电材料且该存储电容设于透过区,也就是说存储电容所在的位置可以有光透过,提升像素结构的透过率,即本实施例的像素结构中的显示区的面积可相对减小,相应地,透过区的面积可以相对提高,也就说本实施例的像素结构的具有较高的透过率,同时将该像素结构用于显示面板中,则显示面板具有较高的开口率。而且相对现有技术,在本实施例的电容设置在透过区,其显示区的尺寸可适当减小,进而整体像素结构的尺寸可以减小,所以较现有技术的显示面板而言,有利于制作更多的像素结构,进而可以提高显示面板的分辨率。 作为本实施例的这一种可选的方式,第一极板与所述有机电致发光器件的阳极同层设置,且材料相同。此时可以减小构图工艺此时,节约成本。可选的,阳极材料为透明导电薄膜,透明导电薄膜选自:ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)或InGaSnO (氧化铟镓锡)。 需要说明的,在本实施例中所指的“同层”是指采用同一次构图工艺形成的结构,则称之为同层设置,而非视觉上绝对在同一平面上的结构。 作为本实施例的另一种可选的方式,在所述有机电致发光器件的阳极所在层下方至少在透过区设置有第一绝缘层,所述第一极板设置在所述第一绝缘层下方。也就是说有机电致发光器件的阳极也是可以不与第一极板同层设置的。此时可以将第一极板与有机电致发光器件的阳极分别单独制作,只需要增加一次构图工艺,可选地,第一绝缘层材料为氮化硅、氧化硅等介电常数较高的材料以增大其存储能力。 可选地,所述像素结构还包括与第二极板电连接的连接电极,所述连接电极与所述有机电致发光器件的阳极同层设置,且材料相同。 由于一般的像素结构包括晶体管,晶体管是要与驱动电源连接,故在形成薄膜晶体管各膜层的同时将会形成一些连接线,通过连接线可以将晶体管与驱动电源连接,所以在本实施例中可以借助连接电极与连接线连接,从而使得第二极板通过连接电极连接驱动电源。 进一步可选地,连接电极与所述有机电致发光器件的阳极同层设置,且材料相同。此时可以减小构图工艺次数,节约成本。当然,将连接电极与有机电致发光器件的阳极分别单独制作也是可行的,但需要增加一次构图工艺。 可选地,在有机电致发光器件的阴极下方至少于一层结构在显示区和透光区存在段差。例如在设于有机电致发光器件的阴极所在层与阳极所在层之间的像素限定层,该像素限定层在显示区的厚度大于在透过区的厚度,此时像素限定层在显示区和透过区将形成段差,甚至可以在透过区不设置像素限定层。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种像素结构,具有像素电路,其特征在于,所述像素结构包括显示区和透过区,所述像素电路中的有机电致发光器件位于显示区,所述像素电路中的至少一个存储电容位于透过区,所述存储电容第一极板和第二极板的材料均为透明导电材料,且两者至少通过介电层电学绝缘隔开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘利宾
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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