黑矩阵结构、掩膜板、彩膜基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:10971215 阅读:102 留言:0更新日期:2015-01-30 01:05
本发明专利技术提供一种黑矩阵结构、掩膜板、彩膜基板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的黑矩阵结构在拼接位置处存在误差导致显示不良的问题。本发明专利技术的黑矩阵结构包括由多个子黑矩阵拼接组成的像素单元阵列,每个像素单元包括像素开口区和包围像素开口区的黑矩阵图案区,且两相邻所述子黑矩阵拼接形成的拼接线为曲线;其中,所述拼接线包括至少一个弯曲单元,所述弯曲单元在行方向上的最大宽度不小于所述像素单元的宽度,在列方向上的最大高度大于两相邻行所述像素开口区之间的所述黑矩阵图案区的高度。本发明专利技术的黑矩阵和掩膜板特别适用于大尺寸的显示装置中。

【技术实现步骤摘要】
黑矩阵结构、掩膜板、彩膜基板及显示装置
本专利技术属于显示
,具体涉及一种黑矩阵结构、掩膜板、彩膜基板及显示装置。
技术介绍
目前,液晶显示器(LiquidCrystalDisplay:简称LCD)以其优异的性能与成熟的技术成为市场上的主流产品。伴随着显示技术的发展,高透过率、大尺寸低功耗、低成本已成为未来显示器领域的发展方向。现有的超大尺寸的液晶显示器的彩膜基板的制备过程中,因基板尺寸较大,无法实现单次曝光形成整个基本图形,从而不得不使用拼接方式来实现整个基板的曝光工艺。在传统的拼接曝光方式下,由于拼接区两边的拼接工艺不是一次完成,必然造成拼接区的图案与非拼接区的图形存在差异。结合图1和图2,特别是通过拼接曝光方式形成的黑矩阵的图形,也就说黑矩阵结构是由子黑矩阵100拼接组成的像素单元阵列,其中,每个像素单元10包括像素开口区11和包围像素开口区11的黑矩阵图案区12,两子黑矩阵100拼接形成的拼接线20位于两列像素单元10的像素开口区11之间的黑矩阵图案区12处成一条直线,如图1所示;或者位于贯穿某一列像素开口区11,成一条直线,如图2所示,由于子黑矩阵100的拼接位置必然本文档来自技高网...
黑矩阵结构、掩膜板、彩膜基板及显示装置

【技术保护点】
一种黑矩阵结构,其特征在于,包括由多个子黑矩阵拼接组成的像素单元阵列,每个像素单元包括像素开口区和包围像素开口区的黑矩阵图案区,且两相邻所述子黑矩阵拼接形成的拼接线为曲线;其中,所述拼接线包括至少一个弯曲单元,所述弯曲单元在行方向上的最大宽度不小于所述像素单元的宽度,在列方向上的最大高度大于两相邻行所述像素开口区之间的所述黑矩阵图案区的高度。

【技术特征摘要】
1.一种黑矩阵结构,其特征在于,包括由多个子黑矩阵拼接组成的像素单元阵列,每个像素单元包括像素开口区和包围像素开口区的黑矩阵图案区,且两相邻所述子黑矩阵拼接形成的拼接线为曲线;其中,所述拼接线包括至少一个弯曲单元,所述弯曲单元在行方向上的最大宽度不小于所述像素单元的宽度,在列方向上的最大高度大于两相邻像素单元的高度之和。2.根据权利要求1所述的黑矩阵结构,其特征在于,所述拼接线位于所述黑矩阵图案区。3.根据权利要求2所述的黑矩阵结构,其特征在于,所述拼接线包括连接在一起的多个弯曲单元,每个所述弯曲单元在行方向上的最大宽度等于N个所述像素单元的宽度,在列方向上的高度等于M个所述像素单元的高度之和,其中N为大于等于1的整数,M为大于等于2的整数。4.根据权利要求1所述的黑矩阵结构...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴洪江袁剑峰
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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