本发明专利技术提供了一种芯片拾取装置，该芯片拾取装置包括：拾取头；高压气体机构，将预定压强的气体提供给拾取头，以通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体；真空机构，将预定的真空度施加到拾取头，以通过拾取头来拾取芯片；高度传感器，测量拾取头与待拾取芯片之间的距离；控制器，被构造为根据高度传感器测量的拾取头与待拾取芯片之间的距离来执行通过拾取头喷吹气体的操作或通过拾取头拾取芯片的操作。根据本发明专利技术的芯片拾取装置，在芯片拾取过程中通过从拾取头喷吹出的高压气体将待拾取芯片表面的杂质颗粒除去，可以防止在芯片的拾取过程中或后续的芯片堆叠过程中杂质颗粒对芯片造成损坏。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种芯片拾取装置，该芯片拾取装置包括：拾取头；高压气体机构，将预定压强的气体提供给拾取头，以通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体；真空机构，将预定的真空度施加到拾取头，以通过拾取头来拾取芯片；高度传感器，测量拾取头与待拾取芯片之间的距离；控制器，被构造为根据高度传感器测量的拾取头与待拾取芯片之间的距离来执行通过拾取头喷吹气体的操作或通过拾取头拾取芯片的操作。根据本专利技术的芯片拾取装置，在芯片拾取过程中通过从拾取头喷吹出的高压气体将待拾取芯片表面的杂质颗粒除去，可以防止在芯片的拾取过程中或后续的芯片堆叠过程中杂质颗粒对芯片造成损坏。【专利说明】芯片拾取装置
本专利技术涉及一种芯片拾取装置。
技术介绍
通常，首先，通过一系列工艺(例如，杂质离子注入和扩散工艺、沉积工艺、蚀刻工艺及用于除去杂质的晶片清洁工艺)在晶片的表面上形成电路图案以构造半导体器件；然后，利用切割工艺将形成在晶片上的作为半导体芯片的半导体器件切割成单独的半导体芯片；最后，通过芯片拾取装置来拾取被切割的半导体芯片并贴装到基底上进行封装，从而完成封装件。 上述用于拾取被切割过的半导体芯片的拾取装置包括拾取头，在拾取过程中，拾取头通常通过真空吸力来拾取半导体芯片。 然而，随着存储装置的小型化以及存储密度的提高，需要半导体芯片的厚度以及封装件的厚度变得越来越小。因此，在利用芯片拾取装置拾取半导体芯片的过程，如果在半导体芯片与拾取头之间存在污染颗粒，则在拾取芯片过程中很容易因吸力的压迫导致半导体芯片的损坏。此外，如果被拾取的半导体芯片的表面上存在污染颗粒，并且在半导体芯片封装过程中污染颗粒位于相邻的两个半导体芯片之间，则也会容易导致半导体芯片的损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足而提供一种芯片拾取装置。 根据本专利技术的芯片拾取装置包括:拾取头；高压气体机构，将预定压强的气体提供给拾取头，以通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体；真空机构，将预定的真空度施加到拾取头，以通过拾取头来拾取芯片；高度传感器，测量拾取头与待拾取芯片之间的距离；控制器，被构造为根据高度传感器测量的拾取头与待拾取芯片之间的距离来执行通过拾取头喷吹气体的操作或通过拾取头拾取芯片的操作。 根据本专利技术的示例性实施例，控制器可以被构造为根据高度传感器测量的拾取头与待拾取芯片之间的距离来控制高压气体机构和真空机构的开启与关闭。 根据本专利技术的示例性实施例，当拾取头与待拾取芯片之间的距离大于预定距离时，控制器可以将高压气体机构开启并可以将真空机构关闭以将预定压强的气体提供给拾取头，从而通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体。 根据本专利技术的示例性实施例，当拾取头与待拾取芯片之间的距离小于预定距离时，控制器可以将真空机构开启并可以将高压气体机构关闭以将预定的真空度施加到拾取头，从而通过拾取头向待拾取芯片施加吸力。 根据本专利技术的示例性实施例，高压气体机构可以通过高压气体通道与拾取头连通，真空机构可以通过真空通道与拾取头连通。 根据本专利技术的示例性实施例，芯片拾取装置还可以包括与拾取头、高压气体机构和真空机构连通的电子阀门。 根据本专利技术的示例性实施例，当拾取头与待拾取芯片之间的距离大于预定距离时，控制器可以控制电子阀门以开启高压气体机构与拾取头之间的连通并关闭真空结构与拾取头之间的连通，将预定压强的气体提供给拾取头，从而通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体。 根据本专利技术的示例性实施例，当拾取头与待拾取芯片之间的距离小于预定距离时，控制器可以控制电子阀门以开启真空机构与拾取头之间的连通并关闭高压气体机构与拾取头之间的连通，将预定的真空度施加到拾取头，从而通过拾取头向待拾取芯片施加吸力。 根据本专利技术的示例性实施例，真空结构和高压气体机构可以处于常开状态。 根据本专利技术的示例性实施例，高压气体机构和真空机构可以分别通过高压气体通道和真空通道与电子阀门连通。 根据本专利技术的芯片拾取装置，在芯片拾取过程中通过从拾取头喷吹出的高压气体将待拾取芯片表面的杂质颗粒除去，可以防止在芯片的拾取过程中或后续的芯片堆叠过程中杂质颗粒对芯片造成损坏。 【专利附图】【附图说明】 通过结合附图进行的示例性实施例的以下描述，本专利技术的这些和/或其他方面和优点将变得清楚和更易于理解，其中: 图1是根据本专利技术的示例性实施例的芯片拾取装置的示意图； 图2是根据本专利技术的另一示例性实施例的芯片拾取装置的示意图； 图3a和图3b是根据本专利技术的示例性实施例的芯片拾取装置的操作的示意图。 【具体实施方式】 下面将结合附图和示例性实施例详细地描述根据本专利技术的芯片拾取装置。 图1是根据本专利技术的示例性实施例的芯片拾取装置的示意图。参照图1，根据该示例性实施例的芯片拾取装置可以包括拾取头10、高压气体机构20、真空机构30、高度传感器40和控制器(未示出)。 如图1中所示，拾取头10可以包括用于接触芯片并拾取芯片的吸嘴11、安装吸嘴11的夹具12以及固定夹具12的转接头13。另外，可使由高压气体机构20产生的气体流过并可通过真空机构30来产生真空度以形成吸力的通道可以形成在拾取头10中。这里，转接头13可以与驱动拾取头10上下左右移动的机械手臂连接。 虽然这里描述了具有以上结构的拾取头10，但本领域技术人员将认识到，拾取头10的结构不限于此。例如，通过真空吸力来拾取芯片的各种拾取头均可应用到本专利技术。 高压气体机构20可以将预定压强的气体提供给拾取头10，以通过拾取头10向待拾取芯片喷吹气体。根据本专利技术的示例性实施例，高压气体机构20可以通过高压气体通道21与拾取头10连通。例如，高压气体通道21可以与形成在拾取头10中的通道连通，这样由高压气体机构20产生的预定压强的气体可以经由高压气体通道21、拾取头10内的通道向待拾取芯片喷吹，从而将待拾取芯片表面上的杂质颗粒除去。根据本专利技术的示例性实施例，由高压气体机构20提供的气体可以为空气，但本专利技术不限于此。 真空机构30可以将预定的真空度施加到拾取头10，以通过拾取头10拾取芯片。根据本专利技术的示例性实施例，真空机构30可以通过真空通道31与拾取头10连通。例如，真空通道31可以与形成在拾取头10中的通道连通，这样由真空机构30产生的预定真空度可以通过真空通道31、拾取头10内的通道在拾取头10处产生真空吸力，从而拾取头10可以通过真空吸力来拾取芯片。 高度传感器40可以测量拾取头10与待拾取芯片之间的距离，并可以将测量的距离以电信号的形式传输到控制器。这里，高度传感器40可以测量拾取头10的拾取表面与芯片的被拾取表面之间的距离。根据本专利技术的示例性实施例，高度传感器40可以为红外线传感器、激光测距仪等。另外，根据本专利技术的示例性实施例，可以通过驱动马达的位移传感器来控制拾取头10与待拾取芯片之间的距离。 控制器(未示出)可以从高度传感器40接收所测量的拾取头10与待拾取芯片之间的距离数据，并且可以根据该距离数据来控制高压气体机构20和真空机构30的开启与关闭，以执行通过拾取头10喷吹气体的操作或通过拾取头10拾取芯片的操作。 虽然未示出，但如本领域技术人员所将认识到的，根据本示例性实施例的芯片拾取装置还可以包括本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片拾取装置，其特征在于，所述芯片拾取装置包括：拾取头；高压气体机构，将预定压强的气体提供给拾取头，以通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体；真空机构，将预定的真空度施加到拾取头，以通过拾取头来拾取芯片；高度传感器，测量拾取头与待拾取芯片之间的距离；控制器，被构造为根据高度传感器测量的拾取头与待拾取芯片之间的距离来执行通过拾取头喷吹气体的操作或通过拾取头拾取芯片的操作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜茂华，
申请(专利权)人：三星半导体中国研究开发有限公司，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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