【技术实现步骤摘要】
—种蓝宝石晶体生长用真空炉
: 本专利技术涉及一种蓝宝石晶体生长用的真空炉。
技术介绍
: 现有的蓝宝石晶体生长用真空炉底部无水冷，有的虽然有水冷，但是没有温度和水流量的控制，增加了生长蓝宝石晶体温场热扰动几率和不稳定性，导致生产困难，产品质量不稳定，特别是生长60kg以上晶体就更为困难。
技术实现思路
: 本专利技术所要解决的技术问题是提供一种温场热扰动几率小，稳定性好，能提高蓝宝石产量和质量的蓝宝石晶体生长用真空炉。 上述目的是这样实现的:与现有技术相同的是它也包括具有双层结构的炉体，炉体侧壁上有进水阀门，炉体侧壁的出水口上有流量计，炉体一侧装有真空系统，炉体上部有炉盖，炉盖上有进水阀门、出水流量计、电极、观察孔、蓝宝石晶体提拉机构，炉体内有下隔热屏、侧隔热屏、上隔热屏，在各隔热屏里面炉体的中央有坩埚，坩埚外面有发热体，坩埚下面是坩埚托盘，坩埚托盘下面是托盘顶柱，托盘顶柱置于炉底上，炉底为双层结构，炉底中央有进水阀门；炉底周围有若干个出水管道，各出水管道上都有流量计，炉底上的各出水管道均与集水槽连通，集水槽内设有温度计，集水槽上有排水阀门；与现有技术不同的是:还设有集水控制槽，集水控制槽上有进水管，集水控制槽有管道经调节阀门与集水槽连接，集水控制槽内有换热器，换热器有管道经制冷阀门与制冷机连接，集水控制槽内设有温度控制仪，集水控制槽通过管道经水泵和控制流量计与炉底中央的进水阀门连接。 本专利技术的优点是:蓝宝石晶体的生长对温场要求非常严格，现有的蓝宝石晶体生长用真空炉温度调控设施虽然较完备，并且设有双层炉底，，...
【技术保护点】
一种蓝宝石晶体生长用真空炉，包括具有双层结构的炉体(6)，炉体侧壁上有进水阀门(11)，炉体侧壁的出水口上有流量计(25)，炉体一侧装有真空系统(7)，炉体上部有炉盖(1)，炉盖上有进水阀门(5)、出水流量计(25)、电极(2)、观察孔(3)、蓝宝石晶体提拉机构(4)，炉体内有下隔热屏(10)、侧隔热屏(9)、上隔热屏(8)，在各隔热屏里面炉体的中央有坩埚(29)，坩埚外面有发热体(27)，坩埚下面是坩埚托盘(28)，坩埚托盘下面是托盘顶柱(26)，托盘顶柱置于炉底(30)上，炉底为双层结构，炉底中央有进水阀门(15)；炉底周围有若干个出水管道，各出水管道上都有流量计(25)，炉底上的各出水管道均与集水槽(12)连通，集水槽内设有温度计(14)，集水槽上有排水阀门(13)；其特征是：还设有集水控制槽(17)，集水控制槽上有进水管(18)，集水控制槽有管道经调节阀门(16)与集水槽(12)连接，集水控制槽内有换热器(19)，换热器有管道经制冷阀门(20)与制冷机(21)连接，集水控制槽内设有温度控制仪(22)，集水控制槽通过管道经水泵(23)和控制流量计(24)与炉底中央的进水阀门(15...
【技术特征摘要】
1.一种蓝宝石晶体生长用真空炉，包括具有双层结构的炉体(6)，炉体侧壁上有进水阀门(11)，炉体侧壁的出水口上有流量计(25)，炉体一侧装有真空系统(7)，炉体上部有炉盖(1)，炉盖上有进水阀门(5)、出水流量计(25)、电极(2)、观察孔(3)、蓝宝石晶体提拉机构(4)，炉体内有下隔热屏(10)、侧隔热屏(9)、上隔热屏(8)，在各隔热屏里面炉体的中央有坩埚(29)，坩埚外面有发热体(27)，坩埚下面是坩埚托盘(28)，坩埚托盘下面是托盘顶柱(26)，托盘顶柱置于炉底(30)上，炉底为双层结构，炉底...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚泰，韩杰才，张宇民，于永澔，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
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