发光封装制造技术

可以提供一种发光器件封装，该发光器件封装包括：基板；布置在该基板上的第一发光芯片；布置在该第一发光芯片的外周上的多个第二发光芯片；和形成在该第一发光芯片和第二发光芯片上的透镜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光封装
本实施例涉及能够产生高显色指数(CRI)的发光器件封装。
技术介绍
近来，由于信息通信设备变得越来越小并且越来越薄，设备的各部分，例如，电阻、冷凝器、噪声过滤器等变得小得多并且以表面安装器件的类型被制造以便直接安装在印刷电路板(PCB)上。因此，现在正在研发表面安装器件的类型的LED灯。表面安装器件类型的LED灯能够产生具有各种颜色的光并且具有像高显色性性质、稳定性、能量守恒等的优势。因此，表面安装器件类型的LED灯现在广泛被用作液晶显示器(LED)的背光单元(BLU)、照明等的光源以及便携式电子器件的光源。在此处，关于被用作照明的光源的传统LED封装，发光器件芯片安装在混合室内，并且远程荧光体布置在发光器件芯片上。然而，在传统LED封装中，由于发光器件芯片相对于光学效率和颜色坐标被精密地构造，所以每个产品的颜色坐标被改变并且偏差发生。这造成产品的低劣品质并且大大降低产品的可靠性。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供能够通过使用4合1芯片封装来产生高显色指数(CRI)的发光器件封装。本专利技术的目的是提供能够通过将白色芯片和红色芯片应用到一个封装来最小化空间颜色偏差的发光器件封装。本专利技术的目的是提供能够通过白色芯片和红色芯片被应用到的4合1芯片封装的透镜设计来获得颜色空间均匀性的发光器件封装。本专利技术的目的是提供能够通过经由空间比例表达式被应用到的关系表达式来设计白色芯片和红色芯片的透镜形状来最小化空间颜色偏差的发光器件封装。本专利技术的目的是提供能够通过白色芯片和红色芯片被应用到的4合1芯片封装的透镜设计来获得颜色空间均匀性的发光器件封装。本专利技术的目的是提供能够通过经由空间比例表达式被应用到的关系表达式设计白色芯片和红色芯片的透镜形状来最小化空间颜色偏差的发光器件封装。本专利技术的目的是提供能够通过根据在白色芯片的中心处的透镜垂度与在红色芯片的中心处的透镜垂度的比率(无论芯片大小如何)来设计透镜的形状而最小化空间颜色偏差的发光器件封装。本专利技术的目的是提供能够被设计成具有最佳光学效率和颜色坐标的发光器件封装。本专利技术的目的是提供无论产品的大批量生产都能够被制造成具有相同或相似的光学效率和颜色坐标的发光器件封装。技术方案一个实施例是一种发光器件封装，该发光器件封装包括：基板；布置在该基板上的第一发光芯片；布置在该第一发光芯片的外周上的多个第二发光芯片；和形成在该第一和第二发光芯片上的透镜。透镜满足下列关系表达式其中“Z”表示透镜的垂度；“K”表示透镜的圆锥常数；“r”表示透镜的半径；并且“C”表示1/r。另外，透镜满足下列关系表达式LWT/LRcT＝从1.2到3.0的比率，其中“LWT”表示在第一发光芯片的中心处透镜的垂度；并且“LRcT”表示在第二发光芯片的中心处透镜的垂度。另外，透镜满足下列关系表达式LWT/LReT＝从1.2到3.0的比率，其中“LWT”表示在第一发光芯片的中心处透镜的垂度；并且“LReT”表示在第二发光芯片的边缘处透镜的垂度。透镜的圆锥常数“K”具有从-10.50到0.00的范围。透镜的半径“r”具有从1.90到4.70的范围。“C”具有从0.21到0.53的范围。在第二发光芯片的中心处透镜的垂度“LRcT”具有从0.17到0.35的范围。在第二发光芯片的边缘处透镜的垂度“LReT”具有从0.12到0.30的范围。“LWT”具有从0.26到0.50的范围。透镜的直径具有从2.65到3.50mm的范围。第一发光芯片的厚度大于第二发光芯片的厚度。第二发光芯片的厚度大于透镜的侧面。第二发光芯片的厚度大于第一发光芯片的厚度。第一发光芯片的厚度大于透镜的侧面。第一发光芯片的厚度(WCT)具有从0.08mm到0.30mm的范围。第二发光芯片的厚度(RCT)是0.10mm。从第一发光芯片的中心到第二发光芯片的边缘的距离(Re)具有从0.98mm到1.38mm的范围。第一发光芯片的中心和第二发光芯片的中心之间的距离(Rc)具有从0.80mm到1.20mm的范围。第一发光芯片和第二发光芯片之间的间隔“P”具有从0.080mm到1.175mm的范围。第一发光芯片的宽度(WCW)具有从1.090mm到1.300mm的范围。第二发光芯片的宽度(RCW)具有从0.350mm到0.175mm的范围。从第一发光芯片的顶表面的中心到透镜的厚度(DWCT)具有从0.170mm到0.190mm的范围。从第二发光芯片的顶表面到透镜的中心的厚度具有从0.190mm到0.390mm的范围。第一发光芯片和第二发光芯片具有80°到140°的光束角。第一发光芯片由白色芯片构成。第二发光芯片由红色芯片构成。第一发光芯片由蓝色芯片构成。第二发光芯片由红色芯片构成。第一发光芯片包括蓝色芯片。第二发光芯片被包含在单种或多种黄色荧光材料中以及在单种或多种绿色荧光材料中。第一发光芯片包括紫外发光的芯片。第二发光芯片由蓝色、绿色和红色荧光材料中的至少一种形成或由至少两种荧光材料的化合物形成。透镜的侧面的高度具有从0.020mm到0.050mm的范围。从基板的顶表面到透镜的中心的高度是从0.270mm到0.490mm。有益效果根据该实施例的4合1芯片封装能够通过使用4合1芯片封装来产生高显色指数(CRI)。根据该实施例的4合1芯片封装能够通过将白色芯片和红色芯片应用到一个封装来最小化空间颜色偏差。根据该实施例的4合1芯片封装能够通过白色芯片和红色芯片被应用到的4合1芯片封装的透镜设计来获得颜色空间均匀性。根据该实施例的4合1芯片封装能够通过经由空间比例表达式被应用到的关系表达式设计白色芯片和红色芯片的透镜形状来最小化空间颜色偏差。根据该实施例的4合1芯片封装能够通过根据在白色芯片的中心处的透镜垂度与在红色芯片的中心处的透镜垂度的比率(无论芯片大小如何)来设计透镜的形状而最小化空间颜色偏差。根据该实施例的4合1芯片封装能够解决因发光器件的排列而引起的光学效率下降以及因颜色坐标的偏差而引起的低劣质量两者，使得产品的可靠性显著提高。无论产品的大批量生产，根据该实施例的4合1芯片封装能够获得优良的光学效率和期望的颜色坐标。附图说明图1是根据第一实施例的发光器件封装的透视图；图2是图1所示的发光器件封装的截面图；图3是示出与根据第一实施例的4合1芯片封装的透镜设计相关的图示的视图；图4是示出根据第一实施例的4合1芯片封装的CSU、LWT/LRcT和LWT/LReT之间的比率的曲线图；图5是示出根据第一实施例的4合1芯片封装的设计措施的示例的视图；图6是示出根据第一实施例的4合1芯片封装的白色芯片和红色芯片的光谱分布的曲线图；图7示出基于根据第一实施例的4合1芯片封装中的115°的光束角的颜色坐标；图8是根据第一实施例的4合1芯片封装中的颜色空间均匀性(CSU)模拟图；图9示出根据第一实施例的4合1芯片封装中的基于50000K光线当光束角是115°时的颜色坐标；图10是示出根据第一实施例的4合1芯片封装中的基于50000K光线的光谱分布和CRI的曲线图；图11是根据第一实施例的4合1芯片封装中的基于50000K光线的颜色空间均匀性(CSU)模拟图；图12示出当光束角是115°并且将半球形透镜应用到根据第一实施例的4合1芯片封装时的颜色坐标；图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：基板；第一发光芯片，所述第一发光芯片布置在所述基板上；多个第二发光芯片，所述多个第二发光芯片布置在所述第一发光芯片的外周上；以及透镜，所述透镜形成在所述第一发光芯片和所述第二发光芯片上，其中，所述透镜满足下列关系表达式，其中，“Z”表示所述透镜的垂度；“K”表示所述透镜的圆锥常数；“r”表示所述透镜的半径；并且“C”表示1/r，或者其中，所述透镜满足下列关系表达式LWT/LRcT＝从1.2到3.0的比率，其中“LWT”表示在所述第一发光芯片的中心处所述透镜的垂度；并且“LRcT”表示在所述第二发光芯片的中心处所述透镜的垂度，或者其中，所述透镜满足下列关系表达式LWT/LReT＝从1.2到3.0的比率，其中，“LWT”表示在所述第一发光芯片的中心处所述透镜的垂度；并且“LReT”表示在所述第二发光芯片的边缘处所述透镜的垂度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.13 KR 10-2012-00141581.一种发光器件封装，包括：基板；第一发光芯片，所述第一发光芯片布置在所述基板上；多个第二发光芯片，所述多个第二发光芯片布置在所述第一发光芯片的外周上；和透镜，所述透镜形成在所述第一发光芯片和所述第二发光芯片上，其中，所述透镜满足下列关系表达式，其中，“z”表示所述透镜的垂度；“K”表示所述透镜的圆锥常数；“r”表示所述透镜的半径；并且“c”表示1/r，或者其中，所述透镜满足下列关系表达式LWT/LRcT＝从1.2到3.0的比率，其中“LWT”表示在所述第一发光芯片的中心处所述透镜的垂度；并且“LRcT”表示在所述第二发光芯片的中心处所述透镜的垂度，或者其中，所述透镜满足下列关系表达式LWT/LReT＝从1.2到3.0的比率，其中，“LWT”表示在所述第一发光芯片的中心处所述透镜的垂度；并且“LReT”表示在所述第二发光芯片的边缘处所述透镜的垂度。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述透镜的圆锥常数“K”具有从-10.50到0.00的范围，其中，所述透镜的半径“r”具有从1.90mm到4.70mm的范围，并且其中，所述“c”具有从0.21mm-1到0.53mm-1的范围。3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，在所述第二发光芯片的中心处所述透镜的垂度“LRcT”具有从0.17mm到0.35mm的范围。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，在所述第二发光芯片的边缘处所述透镜的垂度“LReT”具有从0.12mm到0.30mm的范围。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，所述“LWT”具有从0.26mm到0.50mm的范围。6.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，所述透镜的直径具有从2.65mm到3.50mm的范围。7.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，所述第一发光芯片的厚度大于所述第二发光芯片的厚度，并且其中，所述第二发光芯片的厚度大于所述透镜的侧面。8.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，所述第二发光芯片的厚度大于所述第一发光芯片的厚度，并且其中，所述第一发光芯片的厚度大于所述透镜的侧面。9.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，所述第一发光芯片的厚度(WCT)具有从0.08mm到0.30mm的范围，并且其中，所述第二发光芯片的厚度(RCT)是0.10mm。10.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，从所述第一发光芯片的中心到所述第二发光芯片的边缘的距离(Re)具有从0.98mm到1.38mm的范围，并且其中，所述第一发光芯片的中心和所述第二发光芯片的中心之间的距离(Rc)具有从0.80mm到1.20mm的范围。11.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，所述第一发光芯片和所述第二发光芯片之间的间隔“P”具有从0.080mm到1.175mm的范围。12.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，所述第一发光芯片的宽度(WCW)具有从1.090mm到1.300mm的范围，并且其中，所述第二发光芯片的宽度(RCW)具有从0.350mm到0.175mm的范围。13.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，其中，从所述第一发光芯片的顶表面的中心到所述透镜的厚度(DWCT)具有从0.170mm到0.190mm的范围，并且其中，从第二发光芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：金银华，金基显，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR